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硅CVD外延自掺杂效应的分析研究 被引量:5
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作者 刘玉岭 金杰 +1 位作者 徐晓辉 张德臣 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第3期332-336,共5页
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
关键词 反向补偿 CVD 外延 自掺杂
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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱 被引量:2
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作者 杨瑞霞 胡恺生 +1 位作者 周智慧 郭小兵 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期22-24,共3页
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.40~0.70eV范围发现了一个光响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49... 研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.40~0.70eV范围发现了一个光响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49、0.56和0.69eV峰的起始阈值分别为0.44、0.47、0.51和0.67eV。本文讨论了M1带的起源,提出了0.44、0.47和0.51eV光电离阈值与铜受主、EL3和氧施主间的可能联系,并研究了M1带与GaAs场效应晶体管漏-源电流光响应特性的关系。 展开更多
关键词 LECSIGaAs 光电流谱 场效应晶体管 砷化镓
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利用自平衡电桥消除压力传感器的大热零点漂移 被引量:11
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作者 孙新宇 孙以材 +4 位作者 马瑞珍 常志红 贾德贵 高振斌 杨瑞霞 《传感器技术》 CSCD 1999年第3期36-39,共4页
论述了利用并联自平衡电桥的方法补偿大热零点漂移的问题,主要分析了自平衡电桥的性质、补偿原理、补偿线路的原理及补偿效果。通过实验,得出了自平衡电桥可充分补偿热零点漂移的结论。
关键词 热零点漂移 补偿 自平衡电桥 压力传感器
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微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用 被引量:2
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作者 孙新宇 王鑫 +3 位作者 孙以材 孟庆浩 孙冰 李福林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期18-23,共6页
利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法,将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图,这种Mapping技术十分有利于评价材料的质量。在测试过程中应用微处理器,可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻,加快了计... 利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法,将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图,这种Mapping技术十分有利于评价材料的质量。在测试过程中应用微处理器,可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻,加快了计算速度并有利于控制探针的合适位置。 展开更多
关键词 微区薄层电阻 探针技术 微处理器 测试 IC
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GaAs中碳受主局域振动模的非简谐性对主吸收带的影响
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作者 杨瑞霞 李光平 +1 位作者 贾晓华 罗晋生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期792-793,共2页
在GaAs中碳受主局域振动模主吸收带低能侧,观察到一个吸收边带,其峰频率与局域振动模吸收主带的峰频率之差约为35 cm - 1。该边带的积分面积随温度变化,并影响主吸收带积分面积的温度关系。
关键词 砷化镓 主吸收带 局域振动模 边带 非筒谐性
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压力传感器芯片的低温玻璃封接技术 被引量:5
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作者 沈今楷 孙以材 +4 位作者 常志宏 贾德贵 孟庆浩 高振斌 杨瑞霞 《传感器技术》 CSCD 1999年第1期10-12,共3页
在硅杯背面制备过渡层,然后用低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起,有效地降低了热应力。采用这种新工艺制造出的压力传感器,性能良好,封接强度达7MPa,提高了可靠性与稳定性。
关键词 压力传感器 芯片封接技术 低温玻璃
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