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题名二硫化钼场效应晶体管金属接触的研究进展
被引量：2
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作者
张亚东
贾昆鹏
吴振华
田汉民
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机构
河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第2期109-118,共10页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61774168)
科技部重点研发计划资助项目(2016YFA0202300)
河北省留学人员择优资助项目(C2015003040).
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文摘
二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有广泛的前景。总结了MoS2的表面电荷转移掺杂和替位掺杂,并分析了不同掺杂方法的优劣,同时介绍了降低费米能级钉扎效应的两种接触电阻的优化方法。依据肖特基理论改变金属功函数可以调节金属与MoS2的肖特基势垒高度,但由于金属与MoS2之间存在费米能级钉扎效应,接触时会产生较大的肖特基势垒,降低载流子的发射效率,从而增加金属与MoS2之间的接触电阻。最后,指出MoS2器件接触电阻的研究趋势并展望了MoS2的应用前景。
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关键词
二硫化钼(MoS2)
场效应晶体管
二维晶体材料
金属-半导体接触
功函数
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Keywords
molybdenum disulfide(MoS2)
field-effect transistor
two-dimensional crystal material
metal-semiconductor contact
work function
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
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