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ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响
被引量：
2
1
作者
路丽霞
季辉
+2 位作者
汤庆鑫
童艳红
刘益春
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期229-233,共5页
采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果...
采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动。当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜。PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好。
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关键词
等离子体辅助电子束蒸发
纳米ZNO薄膜
ZnO/Zn界面
光致发光
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职称材料
题名
ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响
被引量：
2
1
作者
路丽霞
季辉
汤庆鑫
童艳红
刘益春
机构
河北工业大学理学院普物教研室
中国石油华北石化公司
中国科
学院
化学研究所有机固体重点实验室
中国科
学院
激发态
物
理重点实验室
东北师范
大学
物
理学院
光电材料研究中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期229-233,共5页
基金
河北省高校重点学科建设基金资助项目
文摘
采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动。当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜。PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好。
关键词
等离子体辅助电子束蒸发
纳米ZNO薄膜
ZnO/Zn界面
光致发光
Keywords
plasma assisted E-beam evaporation
nano-ZnO film
ZnO/Zn interface
photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响
路丽霞
季辉
汤庆鑫
童艳红
刘益春
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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