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Bi_2O_3基固体电解质材料改性研究 被引量:3
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作者 梁广川 刘文西 +1 位作者 陈玉如 靳为 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期627-629,共3页
对Bi2 O3 基固体电解质进行了研究。实验确认 ,在Bi2 O3 Y2 O3 系统中掺入ZrO2 可抑制Bi2 O3 立方到菱方相变 ,使其在低温长时间退火后还能保持立方相 ,ZrO2 抑制相变的作用是通过降低间隙阳离子浓度实现的 ;在Bi2 O3 Y2 O3 系统中掺入B... 对Bi2 O3 基固体电解质进行了研究。实验确认 ,在Bi2 O3 Y2 O3 系统中掺入ZrO2 可抑制Bi2 O3 立方到菱方相变 ,使其在低温长时间退火后还能保持立方相 ,ZrO2 抑制相变的作用是通过降低间隙阳离子浓度实现的 ;在Bi2 O3 Y2 O3 系统中掺入B2 O3,可抑制Bi2 O3 的还原 ,原因是B3 + 改变了晶体中的应力状态和点缺陷的分布。实验中获得了同时具有抗相变、抗还原性能的Bi2 O3 展开更多
关键词 燃料电池 相变 还原 改性 固体电解质 三氧化铋
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反应烧结氮化硅陶瓷模具拉深不锈钢的试验研究 被引量:1
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作者 梁金生 梁广川 +2 位作者 张建军 高兴华 傅德水 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 1998年第4期40-44,共5页
在YA-100型四柱液压拉深机上,进行了用反应烧结氮化硅材料凹模拉深不锈钢(SUS304)的试验研究。结果证明:与水基润滑剂配合,反应烧结氮化硅陶瓷材料模具拉深SUS304不锈钢时,拉深件不产生划痕、划伤等表面缺陷,... 在YA-100型四柱液压拉深机上,进行了用反应烧结氮化硅材料凹模拉深不锈钢(SUS304)的试验研究。结果证明:与水基润滑剂配合,反应烧结氮化硅陶瓷材料模具拉深SUS304不锈钢时,拉深件不产生划痕、划伤等表面缺陷,拉深件废品率低于0.1%,模具表面也不产生拉深棱缺陷,是可以替代金属模具拉深不锈钢的新一代模具材料,应用前景广阔。 展开更多
关键词 反应烧结 氮化硅 陶瓷模具 不锈钢 拉深 模具
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现代无机非金属材料的分类与构成 被引量:1
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作者 张雯 高兴华 梁金生 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期36-39,共4页
将现代无机非金属材料按其功能进行了分类,可分为两大类,工程材料和功能材料。并按此分类,说明了各类材料的组成及功能,指出了现代无机非金属材料在国民经济和生产生活中的重要作用。
关键词 非金属材料 分类 无机材料
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微量元素保健釉的研究 被引量:3
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作者 张雯 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期41-42,共2页
综合土壤学、生物学和营养学的理论 ,指出人体中已经缺乏微量元素 ,必需给予补充。设想了一种补充微量元素的途径———制作微量元素保健釉 ,并探讨了制作微量元素保健釉的可行性、方法。
关键词 人体 微量元素 保健釉 制法 陶瓷 瓷釉
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软磁锰锌铁氧体纳米晶的制备及测试分析 被引量:18
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作者 崔银芳 王新 +2 位作者 魏雨 郝顺利 王永明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1096-1099,共4页
本文论述了用一种改进的方法—共沉淀沸腾回流法制备软磁锰锌铁氧体纳米晶。在生成反应前驱体时,通过变换溶液的pH值,得到粒径不同的五个样品,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和粉末样品磁强共振计(VSM)对其显微结构和磁性能进行... 本文论述了用一种改进的方法—共沉淀沸腾回流法制备软磁锰锌铁氧体纳米晶。在生成反应前驱体时,通过变换溶液的pH值,得到粒径不同的五个样品,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和粉末样品磁强共振计(VSM)对其显微结构和磁性能进行分析。结果表明该方法成本低、无污染、反应过程易控,且制得的样品磁性能较好,可重复性高。 展开更多
关键词 锰锌铁氧体 纳米晶 制备方法 尖品石结构 磁性能
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NTDCZSi中氧的沉淀与吸除 被引量:1
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作者 张维连 王志军 +2 位作者 孙军生 张颖怀 张恩怀 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期596-597,共2页
在适当温度退火时,中子嬗变掺杂(NTD)的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐照缺陷的存在... 在适当温度退火时,中子嬗变掺杂(NTD)的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系,利用扩展电阻(SR-100C)法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式,发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。 展开更多
关键词 中子嬗变掺杂 辐照缺陷 CZSI 氧沉淀退火
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光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级
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作者 张维连 闫书霞 冀志江 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期266-267,共2页
用光激电流法研究了Ge作为杂质掺入到Si中可能引入的深能级,发现掺锗量小于或等于1.0wt%(重量比)时,不会在CZSi中引入与锗有关的深能级;锗的引入降低了硅中点缺陷的浓度。
关键词 等电子掺杂 深能级 光激电流法 掺锗 硅晶体
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高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
8
作者 张维连 王志军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期92-95,共4页
为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象... 为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象,下降幅度在10%~30%左右。不中照的FZSi则没有观察到这种现象。这表明,在1150℃以上长时间退火时,NTDFZSi中产生了过剩载流子,本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高,辐照通量越大,电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷,并与原始单晶缺陷有关。 展开更多
关键词 辐照损伤 中子嬗变 掺杂区熔硅 载流子 退火
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