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GaN薄膜材料TEM样品的制备: 1; 作者陈雷英陈贵锋 +3 位作者赵勇明白云娜马晓薇李养贤《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期161-163,共3页; 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了... 展开更多; 关键词氮化镓透射电子显微镜样品制备薄膜材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟: 2; 作者赵勇明陈贵锋 +3 位作者陈雷英马晓薇白云娜李养贤《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期119-122,共4页; 建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结... 展开更多; 关键词氮化镓氢化物气相外延计算流体力学理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1: 3; 作者赵丽伟滕晓云 +3 位作者郝秋艳朱军山张帷刘彩池《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期38-42,共5页; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质... 展开更多; 关键词 GAN V缺陷湿法化学腐蚀六角腐蚀坑; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究被引量：3: 4; 作者温迪雷青松 +3 位作者乔治高美伶薛俊明张雯《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2002-2006,2012,共6页; 采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化，获得了方阻为2．99Ω／□，电阻率为1．76×10^-4Ω·cm，可见光波段（400—800nm）平均透过率为82．3％的ITO薄膜。将优... 展开更多; 关键词 ITO薄膜衬底温度溅射功率 HIT太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直式HVPE反应器温场的数值模拟: 5; 作者赵勇明陈贵锋 +3 位作者陈雷英马晓薇白云娜李养贤《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期116-118,共3页; 基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体... 展开更多; 关键词氢化物气相外延温场计算机流体力学有限体积法流场; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN薄膜材料TEM样品的制备: 1; 作者陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期161-163,共3页; 基金河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134) 河北省自然科学基金(E2007000119); 文摘研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。; 关键词氮化镓透射电子显微镜样品制备薄膜材料; Keywords GaN TEM sample preparetion thin film material; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟: 2; 作者赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期119-122,共4页; 基金河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134) 河北省自然科学基金(E2007000119); 文摘建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结果显示,衬底距离出气口的距离及NH3出气口尺寸是影响GaCl与NH3在衬底上的均匀分布和沉寂速率均匀性的重要因素。衬底不同转速则对本反应室中的GaCl与NH3在衬底上的均匀分布、沉寂速率的均匀性影响不大。通过数值模拟发现反应室存在的缺陷,并利用模拟结果对反应室进行了优化。; 关键词氮化镓氢化物气相外延计算流体力学理论; Keywords GaN HVPE CFD theory; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1: 3; 作者赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期38-42,共5页; 基金教育部新世纪优秀人才支持计划河北省自然科学基金资助项目(No.E2005000042); 文摘利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。; 关键词 GAN V缺陷湿法化学腐蚀六角腐蚀坑; Keywords GaN V defect wet etching hexagonal etch pit; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究被引量：3: 4; 作者温迪雷青松乔治高美伶薛俊明张雯; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所河北汉盛光电科技有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2002-2006,2012,共6页; 基金天津市自然科学基金(10JCYBJC03000); 文摘采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化，获得了方阻为2．99Ω／□，电阻率为1．76×10^-4Ω·cm，可见光波段（400—800nm）平均透过率为82．3％的ITO薄膜。将优化后的薄膜用于电池上，制出了转化效率为14．04％的HIT太阳能电池。; 关键词 ITO薄膜衬底温度溅射功率 HIT太阳能电池; Keywords ITO thin film substrate temperature sputtering power HIT solar cell; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直式HVPE反应器温场的数值模拟: 5; 作者赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤; 机构河北工业大学材料学院信息功能材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期116-118,共3页; 基金河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134) 河北省自然科学基金(E2008000079 E2007000119); 文摘基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体实验结合选择合适的温度传输模型,分别改变石墨环几何尺寸、流量等条件,得到反应器流场、温场的相应变化。根据对模拟结果进行分析,流场对温场的影响是重要的影响因素,流量的大小直接关系到温场的分布,并把数值模拟结果与实验进行了对比验证。; 关键词氢化物气相外延温场计算机流体力学有限体积法流场; Keywords HVPE temperature field CFD finite volume method flow field; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN薄膜材料TEM样品的制备	陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟	赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究	赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究	温迪雷青松乔治高美伶薛俊明张雯	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	垂直式HVPE反应器温场的数值模拟	赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料