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沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究
被引量：
3
1
作者
秦晓静
周建伟
康效武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期365-368,共4页
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了...
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。
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关键词
集成电路
沟槽
功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管
多晶硅
晶粒
栅极
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职称材料
题名
沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究
被引量：
3
1
作者
秦晓静
周建伟
康效武
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期365-368,共4页
文摘
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。
关键词
集成电路
沟槽
功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管
多晶硅
晶粒
栅极
Keywords
IC
trench
power MOSFET
poly silicon
grain
gate
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究
秦晓静
周建伟
康效武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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