ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究 被引量：9

1

作者 苏艳勤 刘玉岭 +3 位作者 刘效岩 康海燕 武彩霞 张进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期730-733,共4页

分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选... 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题。 展开更多

关键词 化学机械抛光 碱性抛光液 铜布线 表面粗糙度

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ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究 被引量：8

2

作者 孙薇 刘玉岭 +2 位作者 张伟 时慧玲 侯丽辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期662-665,共4页

超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并... 超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并进一步通过对多层Cu布线CMP硅溶胶磨料的优化研究,指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料,可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题,获得了良好的抛光效果。 展开更多

关键词 化学机械抛光 磨料 速率 表面状态

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影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究 被引量：4

3

作者 李咸珍 刘玉岭 +2 位作者 宗思邈 张伟 江焱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期658-661,673,共5页

介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层... 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22MPa和流速210mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。 展开更多

关键词 化学机械抛光 微晶玻璃 氧化铈

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ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究 被引量：3

4

作者 唐心亮 智兆华 +3 位作者 刘玉岭 胡轶 刘效岩 王立冉 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第4期380-383,共4页

研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的... 研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的碟形坑等问题,分析了表面活性剂对表面粗糙度的影响。 展开更多

关键词 碱性抛光液 工艺参数 铜布线平坦化 化学机械抛光

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Ta-W合金的化学机械抛光实验研究 被引量：3

5

作者 舒行军 何建国 +2 位作者 陶继忠 戴晓静 刘玉岭 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期78-80,83,共4页

针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺，设计了Ta-W合金材料化学机械抛光抛光液，并探讨了抛光液各组分的含量及抛光工艺参数对抛光速率和抛光件表面质量的影响。结果表明，当抛光液中磨料SiO2溶胶质量分数为40％-65％时，抛光... 针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺，设计了Ta-W合金材料化学机械抛光抛光液，并探讨了抛光液各组分的含量及抛光工艺参数对抛光速率和抛光件表面质量的影响。结果表明，当抛光液中磨料SiO2溶胶质量分数为40％-65％时，抛光速率也达到较高值并在一定的硅溶胶含量范围内波动不大；当抛光液中有机碱的质量分数为4％-6％时，抛光速率达到最大值；随着氧化剂含量的增加，去除速率几乎成线性增加，但随氧化剂含量的增大表面状态变差，故应控制氧化剂的含量；随着抛光液流量的增加，抛光速率也增大，但在流量增加到200mL／min后，速率的增加变得缓慢。 展开更多

关键词 化学机械抛光 抛光液 抛光速率

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ULSI多层互连中W-CMP速率研究 被引量：1

6

作者 张进 刘玉岭 +2 位作者 申晓宁 张伟 苏艳勤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期737-740,共4页

随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,... 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。 展开更多

关键词 集成电路互连 化学机械抛光 钨插塞 抛光液 抛光速率

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碱性浆料下计算机硬盘NiP基板CMP机理的分析研究 被引量：1

7

作者 田军 刘玉岭 +1 位作者 王立发 唐文栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1086-1088,共3页

通过对镍磷基板的化学性质分析，讨论了其动力学过程，指出化学反应过程是最慢的过程，是CMP的控制过程，分析了浆料在硬盘基板CMP中的重要性，指出浆料的化学成份是化学作用的关键，研制了新型碱性浆料，研究了碱性浆料下镍磷基板CMP... 通过对镍磷基板的化学性质分析，讨论了其动力学过程，指出化学反应过程是最慢的过程，是CMP的控制过程，分析了浆料在硬盘基板CMP中的重要性，指出浆料的化学成份是化学作用的关键，研制了新型碱性浆料，研究了碱性浆料下镍磷基板CMP机理，通过络合胺化剂的强络合作用实现了碱性浆料下的高凹凸选择性，获得了较高的去除速率；选用小粒径、低硬度的二氧化硅水溶胶磨料实现了较低的表面粗糙度。 展开更多

关键词 硬盘基板 CMP 浆料 机理 去除速率

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进一步提高当代研究生科研素质 被引量：3

8

作者 刘玉岭 《教育与职业》 北大核心 2011年第31期7-7,共1页

近几年，由于高校扩招以及经济危机造成的本科应届生就业压力，迫使很多大学生选择继续深造，加上社会人士加盟“考研大军”，目前已经形成了所谓的“考研产业”。社会的需求和学校的压力都促使研究生教育加快了发展速度。针对发展过快... 近几年，由于高校扩招以及经济危机造成的本科应届生就业压力，迫使很多大学生选择继续深造，加上社会人士加盟“考研大军”，目前已经形成了所谓的“考研产业”。社会的需求和学校的压力都促使研究生教育加快了发展速度。针对发展过快造成的研究生科研素质不高的问题。 展开更多

关键词 研究生教育 科研素质 当代 就业压力 社会人士 经济危机 高校扩招 学生选择

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加强大学生心理健康教育 被引量：1

9

作者 刘玉岭 《教育与职业》 北大核心 2011年第25期7-7,共1页

近年来，大学生因心理疾病、精神障碍等原因伤害自己和他人的案例时有发生，给学生本人、他人以及相关家庭带来极大的伤害。据调查，大学生心理不健康的人数有逐年上升的趋势，且出现的问题越来越复杂，大学生心理弱势群体已经形成。这... 近年来，大学生因心理疾病、精神障碍等原因伤害自己和他人的案例时有发生，给学生本人、他人以及相关家庭带来极大的伤害。据调查，大学生心理不健康的人数有逐年上升的趋势，且出现的问题越来越复杂，大学生心理弱势群体已经形成。这种现象应引起高校和社会的广泛关注与深刻反思。 展开更多

关键词 大学生心理健康教育 心理弱势群体 心理疾病 精神障碍 他人 伤害 高校

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金刚石膜电化学对LCD上残留有机物清洗的研究

10

作者 陈婷 刘玉岭 +1 位作者 魏恒 梁蒲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期837-839,共3页

随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时... 随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时间,通过显微镜观察,电化学清洗能够有效去除有机物污染,对比了一般清洗与电化学清洗效果,得出了更适合清洗残留有机物的方法。 展开更多

关键词 电化学 液晶显示器 清洗 表面污染 有机物

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HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

11

作者 张西慧 刘玉岭 李洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期425-428,共4页

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜... 研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致。加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大。 展开更多

关键词 铜 硅片表面 沉积 螯合剂

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针对社会需求开展大学生实践活动

12

作者 刘玉岭 《教育与职业》 北大核心 2010年第28期7-7,共1页

作为新时代的大学生,积极参加社会实践活动是非常有必要也是非常有意义的。随着社会的发展,一个只有满腹经纶、却没有实际经验的人,会逐渐被社会淘汰,我们应该在掌握理论知识的基础上，真正地走上社会，将其应用于其中。实践活动多了，... 作为新时代的大学生,积极参加社会实践活动是非常有必要也是非常有意义的。随着社会的发展,一个只有满腹经纶、却没有实际经验的人,会逐渐被社会淘汰,我们应该在掌握理论知识的基础上，真正地走上社会，将其应用于其中。实践活动多了，并且能深入下去，大学生在积极参与的过程中，就会逐渐养成坚韧、顽强的优良品质。 展开更多

关键词 社会实践活动 社会需求 大学生 优良品质 是非

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蓝宝石衬底表面粗糙度的研究 被引量：5

13

作者 魏恒 刘玉岭 +2 位作者 陈婷 孙业林 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期741-744,共4页

简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验。分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了粗糙度随流量的变化规律;以原子力显微... 简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验。分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了粗糙度随流量的变化规律;以原子力显微镜为主要检测工具,找到了制备超光滑蓝宝石衬底最佳CMP工艺,在保证抛光速率的同时使表面质量达到超光滑表面的要求,有效地降低了成本。 展开更多

关键词 蓝宝石 衬底 化学机械抛光 粗糙度 去除速率

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IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展 被引量：7

14

作者 王玄石 高宝红 +3 位作者 曲里京 檀柏梅 牛新环 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期863-869,共7页

化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发... 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。 展开更多

关键词 缓蚀剂 化学机械抛光(CMP) 苯并三氮唑(BTA) 结构性损伤 电偶腐蚀

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化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响 被引量：2

15

作者 贾少华 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 闫辰奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期2242-2246,2252,共6页

采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化... 采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化。通过实验得到了碱性条件下抛光速率较高、粗糙度较小的最佳pH值。研究了等质量分数等粒径条件下磨料分散度以及抛光温度对抛光速率和蓝宝石表面粗糙度的影响。 展开更多

关键词 蓝宝石 CMP 活性剂 分散度 温度

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铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展 被引量：2

16

作者 曲里京 高宝红 +2 位作者 王玄石 檀柏梅 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期775-781,795,共8页

在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用... 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 CMP后清洗 颗粒去除 表面活性剂复配

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硅通孔抛光液的研究进展 被引量：2

17

作者 郑晴平 王如 吴彤熙 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期104-110,共7页

硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光... 硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光液主要包括铜膜抛光液和阻挡层抛光液,依据抛光速率和抛光质量(表面粗糙度、碟形坑修正等)的要求对其进行了分类讨论,概述了近年来TSV抛光液的研究进展,对其今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,认为TSV抛光液应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本、环境友好的方向发展。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 抛光速率 抛光质量

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STI应力对CMOS器件影响的模拟研究

18

作者 宋雯 檀柏梅 戚帆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期842-845,854,共5页

浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应... 浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。 展开更多

关键词 浅沟槽隔离 应力 TCAD软件 版图设计 器件建模

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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果

19

作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页

为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗

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SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响 被引量：7

20

作者 孙增标 刘玉岭 +2 位作者 刘效岩 闫宝华 张研 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期72-74,共3页

在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用... 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。 展开更多

关键词 化学机械抛光 SiO2/CeO2混合磨料 去除速率 表面粗糙度

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