半导体器件的发展与固态纳米电子器件研究现状 被引量：2

1

作者 张楷亮 刘玉岭 王芳 《微纳电子技术》 CAS 2003年第1期6-11,共6页

简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简... 简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程。分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术。在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电子器件,并由纳米器件的分类简单介绍了当前固态纳米电子器件的三个部分,即量子点、谐振隧穿器件和单电子晶体管。最后对半导体器件的发展提出了展望。 展开更多

关键词 半导体器件 纳米 电子器件 研究现状 纳米电子学 单电子器件 量子点

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ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究 被引量：9

2

作者 苏艳勤 刘玉岭 +3 位作者 刘效岩 康海燕 武彩霞 张进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期730-733,共4页

分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选... 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题。 展开更多

关键词 化学机械抛光 碱性抛光液 铜布线 表面粗糙度

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ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究 被引量：8

3

作者 孙薇 刘玉岭 +2 位作者 张伟 时慧玲 侯丽辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期662-665,共4页

超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并... 超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并进一步通过对多层Cu布线CMP硅溶胶磨料的优化研究,指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料,可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题,获得了良好的抛光效果。 展开更多

关键词 化学机械抛光 磨料 速率 表面状态

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ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究 被引量：8

4

作者 张楷亮 宋志棠 +2 位作者 张建新 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2004年第4期556-558,563,共4页

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质 展开更多

关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米研磨料 硅溶胶 大粒径

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影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究 被引量：4

5

作者 李咸珍 刘玉岭 +2 位作者 宗思邈 张伟 江焱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期658-661,673,共5页

介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层... 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22MPa和流速210mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。 展开更多

关键词 化学机械抛光 微晶玻璃 氧化铈

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氢化非晶硅薄膜H含量控制研究进展 被引量：2

6

作者 张伟 周建伟 +3 位作者 刘玉岭 赵之雯 张进 杨玉楼 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第11期667-672,共6页

氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性。分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备... 氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性。分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备工艺中衬底温度、H稀释比、气体压强等对薄膜H含量的影响及其机理,并对用不同方法控制H含量的优缺点进行了比较,分析了通过以上三种方法控制薄膜H含量的局限性。探寻了控制薄膜H含量的新方法,并对该领域的发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 氢化非晶硅 光敏材料 H含量 红外光谱 反应机理

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ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究 被引量：3

7

作者 唐心亮 智兆华 +3 位作者 刘玉岭 胡轶 刘效岩 王立冉 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第4期380-383,共4页

研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的... 研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的碟形坑等问题,分析了表面活性剂对表面粗糙度的影响。 展开更多

关键词 碱性抛光液 工艺参数 铜布线平坦化 化学机械抛光

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ULSI多层互连中W-CMP速率研究 被引量：1

8

作者 张进 刘玉岭 +2 位作者 申晓宁 张伟 苏艳勤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期737-740,共4页

随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,... 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。 展开更多

关键词 集成电路互连 化学机械抛光 钨插塞 抛光液 抛光速率

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微区薄层电阻测试方法的研究 被引量：2

9

作者 刘新福 孙以材 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第3期15-18,共4页

对国内外开展微区薄层电阻测试的方法进行了综述,特别对改进范德堡四探针技术方法的测试原理、测试过程与测试结果进行了论述与分析,对微区电阻测试方法的进一步发展提出了一种可操作的方法。

关键词 微区薄层电阻 改进范德堡法 四探针测试技术 Mapping技术

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微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究

10

作者 田巧伟 檀柏梅 +3 位作者 高宝红 黄妍妍 刘楠 苏伟东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第12期820-823,共4页

硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯... 硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒。经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不含金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染。 展开更多

关键词 化学腐蚀 硅片清洗 表面损伤 颗粒 清洗液

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金刚石膜电化学对LCD上残留有机物清洗的研究

11

作者 陈婷 刘玉岭 +1 位作者 魏恒 梁蒲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期837-839,共3页

随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时... 随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格。LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术。采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验得出较好的清洗的氧化浓度和清洗时间,通过显微镜观察,电化学清洗能够有效去除有机物污染,对比了一般清洗与电化学清洗效果,得出了更适合清洗残留有机物的方法。 展开更多

关键词 电化学 液晶显示器 清洗 表面污染 有机物

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HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

12

作者 张西慧 刘玉岭 李洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期425-428,共4页

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜... 研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致。加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大。 展开更多

关键词 铜 硅片表面 沉积 螯合剂

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蓝宝石衬底表面粗糙度的研究 被引量：5

13

作者 魏恒 刘玉岭 +2 位作者 陈婷 孙业林 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期741-744,共4页

简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验。分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了粗糙度随流量的变化规律;以原子力显微... 简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验。分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了粗糙度随流量的变化规律;以原子力显微镜为主要检测工具,找到了制备超光滑蓝宝石衬底最佳CMP工艺,在保证抛光速率的同时使表面质量达到超光滑表面的要求,有效地降低了成本。 展开更多

关键词 蓝宝石 衬底 化学机械抛光 粗糙度 去除速率

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IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展 被引量：7

14

作者 王玄石 高宝红 +3 位作者 曲里京 檀柏梅 牛新环 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期863-869,共7页

化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发... 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。 展开更多

关键词 缓蚀剂 化学机械抛光(CMP) 苯并三氮唑(BTA) 结构性损伤 电偶腐蚀

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铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展 被引量：2

15

作者 曲里京 高宝红 +2 位作者 王玄石 檀柏梅 刘玉岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期775-781,795,共8页

在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用... 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 CMP后清洗 颗粒去除 表面活性剂复配

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硅通孔抛光液的研究进展 被引量：2

16

作者 郑晴平 王如 吴彤熙 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期104-110,共7页

硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光... 硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平坦化的技术。抛光液是影响抛光表面质量和加工效率的关键因素,是CMP工艺中消耗品成本最大的部分。TSV抛光液主要包括铜膜抛光液和阻挡层抛光液,依据抛光速率和抛光质量(表面粗糙度、碟形坑修正等)的要求对其进行了分类讨论,概述了近年来TSV抛光液的研究进展,对其今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,认为TSV抛光液应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本、环境友好的方向发展。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 抛光速率 抛光质量

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STI应力对CMOS器件影响的模拟研究

17

作者 宋雯 檀柏梅 戚帆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期842-845,854,共5页

浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应... 浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMOS器件进行了工艺和器件仿真。结果表明,当WSTI=0.2μm时,压应力值为-30 MPa;当WSTI=0.75μm时,压应力值为-136 MPa,沟道中的压应力随STI宽度的增加而逐渐变大;当WSTI从0.2μm增大到0.75μm时,nMOS的Idsat降低了约7.1%,pMOS的Idsat提高了约6.67%,即随着STI宽度的增加nMOS的Idsat降低,pMOS的Idsat增加。因此,在版图设计中,可以通过改变STI宽度的方法来提高器件的性能。另外,在器件模型中应考虑加入WSTI参数,以达到对电路性能更精确的仿真。 展开更多

关键词 浅沟槽隔离 应力 TCAD软件 版图设计 器件建模

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硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究

18

作者 李晓光 王同祥 +1 位作者 李效白 杨瑞霞 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第3期42-44,共3页

硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导... 硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平. 展开更多

关键词 硫钝化 场效应晶体管 饱和源漏电流 施主缺陷 受主缺陷

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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果

19

作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页

为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗

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SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响 被引量：7

20

作者 孙增标 刘玉岭 +2 位作者 刘效岩 闫宝华 张研 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期72-74,共3页

在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用... 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。 展开更多

关键词 化学机械抛光 SiO2/CeO2混合磨料 去除速率 表面粗糙度

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