检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

SiGe合金材料热电转换效应的应用和研究进展被引量：3: 1; 作者蒋中伟张维连 +1 位作者陈洪建孙军生《河北工业大学学报》 CAS 2004年第4期31-35,共5页; 半导体材料的热电效应在发电方面有着巨大的应用潜力,但如何提高材料的热电转换效率是目前人们研究探讨的热点问题.SiGe 材料的热电转换最大优值 = 1,实际应用中仅能达到 0.68.论述了目前提高材料温差电优值( ... 展开更多; 关键词 SIGE合金热电转换温差电优值热导率电导率塞贝克系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展被引量：1: 2; 作者张红娣刘彩池《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期76-79,共4页; 对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一领域有更深的认识。; 关键词重掺硅氧沉淀掺杂剂热处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI高温压力传感器的研究现状被引量：9: 3; 作者张书玉张维连 +1 位作者张生才姚素英《河北工业大学学报》 CAS 2005年第2期14-19,共6页; SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方... 展开更多; 关键词压力传感器 SOI SiO2层各向异性腐蚀硅片直接键合硅单晶片; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究: 4; 作者牛新环张维连 +1 位作者吕海涛蒋中伟《河北工业大学学报》 CAS 2004年第1期1-5,共5页; 利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.; 关键词直拉法硅锗单晶杂质分布分凝系数晶体生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展: 5; 作者陈洪建张维连 +1 位作者陈贵峰李养贤《河北工业大学学报》 CAS 2007年第2期15-19,共5页; 氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述... 展开更多; 关键词 GAN 自支撑GaN HVPE 金属有机化学气相沉积(MOCVD); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟被引量：9: 6; 作者张维连赵红生 +3 位作者左燕吕海涛牛新环蒋中伟《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期330-332,共3页; 以双指数形式太阳电池理论模型为基础,用实验数据拟合太阳电池的I—V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I—V和P—V特性计算机模拟,并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。; 关键词太阳电池 I-V曲线双指数模型计算机模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量：1: 7; 作者张维连孙军生 +1 位作者檀柏梅李嘉席《河北工业大学学报》 CAS 2001年第2期12-14,共3页; 利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺... 展开更多; 关键词热施主热退火机械强度杂质氧直拉单晶硅锗; 在线阅读下载PDF 职称材料

用自适应搜索算法拟合太阳电池I-V曲线被引量：1: 8; 作者赵红生张维连 +1 位作者任丙彦张春玲《河北工业大学学报》 CAS 2003年第2期7-14,共8页; 分析了序贯数论优化算法(SNTO)用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,结合遗传算法中自适应搜索的思想,用自适应搜索算法改进了SNTO算法.该算法的基本过程是:以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数;在拟合时,利用自适应搜索... 展开更多; 关键词太阳电池 I-V曲线序贯数论优化算法 SNTO 自适应搜索算法拟合; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响: 9; 作者张维连檀柏梅 +1 位作者张颖怀孙军生《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期92-96,共5页; CZSi中掺入等价元素锗 ,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在70 0℃退火时 ,抑制杆状氧沉淀的生成 ,在 90 0℃退火时 ,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明 ,锗并不作为氧沉淀的成核中心 ,氧沉淀及其衍生... 展开更多; 关键词直拉单晶硅氧沉淀锗 CZSI 沉淀形态; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiGe合金材料热电转换效应的应用和研究进展被引量：3: 1; 作者蒋中伟张维连陈洪建孙军生; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2004年第4期31-35,共5页; 基金河北省自然科学基金资助项目(E2004000061); 文摘半导体材料的热电效应在发电方面有着巨大的应用潜力,但如何提高材料的热电转换效率是目前人们研究探讨的热点问题.SiGe 材料的热电转换最大优值 = 1,实际应用中仅能达到 0.68.论述了目前提高材料温差电优值( )的主要途径,重点介绍了 SiGe 合金作为热电转换材料的主要特点,在热电应用中当前的主要研究成果.; 关键词 SIGE合金热电转换温差电优值热导率电导率塞贝克系数; Keywords SiGealloys thermoelectricgeneration figureofmerit thermal conductivity electrical conductivity seebeck coefficient; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展被引量：1: 2; 作者张红娣刘彩池; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期76-79,共4页; 文摘对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一领域有更深的认识。; 关键词重掺硅氧沉淀掺杂剂热处理; Keywords heavily-doped Si oxygen precipitation dopant heat treatment; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高温压力传感器的研究现状被引量：9: 3; 作者张书玉张维连张生才姚素英; 机构河北工业大学半导体材料研究所天津大学微电子研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2005年第2期14-19,共6页; 文摘 SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.; 关键词压力传感器 SOI SiO2层各向异性腐蚀硅片直接键合硅单晶片; Keywords pressure sensor SOI SiO2 layer anisotropic etching SDB silicon film; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究: 4; 作者牛新环张维连吕海涛蒋中伟; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2004年第1期1-5,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 (59772037) 河北省自然科学基金资助项目 (500016); 文摘利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.; 关键词直拉法硅锗单晶杂质分布分凝系数晶体生长; Keywords CZ SiGe bulk single crystal distributy of impurity crystal growth; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展: 5; 作者陈洪建张维连陈贵峰李养贤; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2007年第2期15-19,共5页; 基金河北省自然科学基金(2007000119); 文摘氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.; 关键词 GAN 自支撑GaN HVPE 金属有机化学气相沉积(MOCVD); Keywords GaN Free-standing GaN Hydride Vapor Phase Epitaxy （HVPE） Metal Organic Chemical Vapor Deposition （MOCVD）; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟被引量：9: 6; 作者张维连赵红生左燕吕海涛牛新环蒋中伟; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期330-332,共3页; 文摘以双指数形式太阳电池理论模型为基础,用实验数据拟合太阳电池的I—V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I—V和P—V特性计算机模拟,并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。; 关键词太阳电池 I-V曲线双指数模型计算机模拟; Keywords solar cell I—V curve double exponential model computer simulation; 分类号 TK513 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量：1: 7; 作者张维连孙军生檀柏梅李嘉席; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2001年第2期12-14,共3页; 基金河北省自然科学基金资助项目!(500016); 文摘利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．; 关键词热施主热退火机械强度杂质氧直拉单晶硅锗; Keywords ：thermal donor；annealing；Si doped Ge；mechanical strength；[Oi]impurity; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用自适应搜索算法拟合太阳电池I-V曲线被引量：1: 8; 作者赵红生张维连任丙彦张春玲; 机构河北工业大学半导体材料研究所中国科学院半导体研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2003年第2期7-14,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(69876011) 河北省自然科学基金资助项目(501019); 文摘分析了序贯数论优化算法(SNTO)用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,结合遗传算法中自适应搜索的思想,用自适应搜索算法改进了SNTO算法.该算法的基本过程是:以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数;在拟合时,利用自适应搜索算法来随机地确定收缩比,即用第t次拟合中的计算结果来确定第t+1次的最优参数可取值范围,使各步中目标函数的参数空间构成一个最优决策序列.拟合结果表明,该算法比直接采用序贯数论优化算法(SNTO)具有更少的计算量,更高的收敛性和鲁棒性.; 关键词太阳电池 I-V曲线序贯数论优化算法 SNTO 自适应搜索算法拟合; Keywords solar cell I- V curve Sequential Number-Theoretic Optimization adaptation search algorithm correlating; 分类号 TM914.40 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响: 9; 作者张维连檀柏梅张颖怀孙军生; 机构河北工业大学半导体材料研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期92-96,共5页; 基金国家自然科学基金(编号:59772037) 河北省自然科学基金资助项目(编号:594061); 文摘 CZSi中掺入等价元素锗 ,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在70 0℃退火时 ,抑制杆状氧沉淀的生成 ,在 90 0℃退火时 ,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明 ,锗并不作为氧沉淀的成核中心 ,氧沉淀及其衍生的二次缺陷中也不包含锗。文中对锗影响氧沉淀的成核与形态进行了简要的讨论。; 关键词直拉单晶硅氧沉淀锗 CZSI 沉淀形态; Keywords CZSi oxygen precipitation coring doping (Ge) heat treatment; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SiGe合金材料热电转换效应的应用和研究进展	蒋中伟张维连陈洪建孙军生	《河北工业大学学报》 CAS	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展	张红娣刘彩池	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SOI高温压力传感器的研究现状	张书玉张维连张生才姚素英	《河北工业大学学报》 CAS	2005	9	在线阅读下载PDF 职称材料
4	掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究	牛新环张维连吕海涛蒋中伟	《河北工业大学学报》 CAS	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展	陈洪建张维连陈贵峰李养贤	《河北工业大学学报》 CAS	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟	张维连赵红生左燕吕海涛牛新环蒋中伟	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	9	在线阅读下载PDF 职称材料
7	锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响	张维连孙军生檀柏梅李嘉席	《河北工业大学学报》 CAS	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	用自适应搜索算法拟合太阳电池I-V曲线	赵红生张维连任丙彦张春玲	《河北工业大学学报》 CAS	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响	张维连檀柏梅张颖怀孙军生	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料