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GaN基HEMT器件的优化设计
被引量：
2
1
作者
冯嘉鹏
赵红东
+4 位作者
孙渤
段磊
郭正泽
陈洁萌
姚奕洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期817-821,共5页
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响...
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。
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关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN
HEMT)
器件参数
性能
场板
自热效应
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职称材料
基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体带隙研究
被引量：
4
2
作者
孙渤
赵红东
+3 位作者
冯嘉鹏
郭正泽
姚奕洋
王炯杰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期2399-2403,共5页
应用平面波展开法(PMW)计算了圆形立方晶格、正方形立方晶格及正六边形立方晶格三种不同结构的二维空气柱光子晶体带隙结构。结果表明,空气柱光子晶体存在对应TE、TM模的完全禁带,并且圆形空气柱光子晶体存在完全带隙。比较而言,圆形空...
应用平面波展开法(PMW)计算了圆形立方晶格、正方形立方晶格及正六边形立方晶格三种不同结构的二维空气柱光子晶体带隙结构。结果表明,空气柱光子晶体存在对应TE、TM模的完全禁带,并且圆形空气柱光子晶体存在完全带隙。比较而言,圆形空气柱立方晶格的TE模禁带与完全禁带最宽,最宽禁带宽度分别为0.137(ωa/2πc)与0.018(ωa/2πc),正方形空气立方晶格的TM模禁带最宽,最宽禁带宽度为0.119(ωa/2πc)。
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关键词
光子晶体
平面波展开法
带隙
空气柱立方晶格
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职称材料
题名
GaN基HEMT器件的优化设计
被引量：
2
1
作者
冯嘉鹏
赵红东
孙渤
段磊
郭正泽
陈洁萌
姚奕洋
机构
河北工业大学信息工程学院电子材料与器件天津市重点实验室
中国
电子
科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期817-821,共5页
基金
河北省自然科学基金资助项目(F2013202256)
文摘
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN
HEMT)
器件参数
性能
场板
自热效应
Keywords
GaN high electron mobility transistor （HEMT）
device parameter
performance
field plate
self heating effect
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体带隙研究
被引量：
4
2
作者
孙渤
赵红东
冯嘉鹏
郭正泽
姚奕洋
王炯杰
机构
河北工业大学
信息
工程
学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期2399-2403,共5页
基金
河北省自然科学基金(F2013202256)
文摘
应用平面波展开法(PMW)计算了圆形立方晶格、正方形立方晶格及正六边形立方晶格三种不同结构的二维空气柱光子晶体带隙结构。结果表明,空气柱光子晶体存在对应TE、TM模的完全禁带,并且圆形空气柱光子晶体存在完全带隙。比较而言,圆形空气柱立方晶格的TE模禁带与完全禁带最宽,最宽禁带宽度分别为0.137(ωa/2πc)与0.018(ωa/2πc),正方形空气立方晶格的TM模禁带最宽,最宽禁带宽度为0.119(ωa/2πc)。
关键词
光子晶体
平面波展开法
带隙
空气柱立方晶格
Keywords
photonic crystal
plane wave method
band gap
air column cubic lattice
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
GaN基HEMT器件的优化设计
冯嘉鹏
赵红东
孙渤
段磊
郭正泽
陈洁萌
姚奕洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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职称材料
2
基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体带隙研究
孙渤
赵红东
冯嘉鹏
郭正泽
姚奕洋
王炯杰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
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职称材料
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