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微电子用硅溶胶的纯化 被引量：1
1
作者 王娟 刘玉岭 张建新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期17-19,共3页
对微电子工艺中引入杂质的危害进行了阐述,找出现有硅溶胶距离实际应用的不足,发掘其纯化工艺,为微电子用硅溶胶的广泛应用提供了前提条件。
关键词 硅溶胶 纯化 杂质
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加强大学生心理健康教育 被引量：1
2
作者 刘玉岭 《教育与职业》 北大核心 2011年第25期7-7,共1页
近年来，大学生因心理疾病、精神障碍等原因伤害自己和他人的案例时有发生，给学生本人、他人以及相关家庭带来极大的伤害。据调查，大学生心理不健康的人数有逐年上升的趋势，且出现的问题越来越复杂，大学生心理弱势群体已经形成。这... 近年来，大学生因心理疾病、精神障碍等原因伤害自己和他人的案例时有发生，给学生本人、他人以及相关家庭带来极大的伤害。据调查，大学生心理不健康的人数有逐年上升的趋势，且出现的问题越来越复杂，大学生心理弱势群体已经形成。这种现象应引起高校和社会的广泛关注与深刻反思。 展开更多
关键词 大学生心理健康教育 心理弱势群体 心理疾病 精神障碍 他人 伤害 高校
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针对社会需求开展大学生实践活动
3
作者 刘玉岭 《教育与职业》 北大核心 2010年第28期7-7,共1页
作为新时代的大学生,积极参加社会实践活动是非常有必要也是非常有意义的。随着社会的发展,一个只有满腹经纶、却没有实际经验的人,会逐渐被社会淘汰,我们应该在掌握理论知识的基础上，真正地走上社会，将其应用于其中。实践活动多了，... 作为新时代的大学生,积极参加社会实践活动是非常有必要也是非常有意义的。随着社会的发展,一个只有满腹经纶、却没有实际经验的人,会逐渐被社会淘汰,我们应该在掌握理论知识的基础上，真正地走上社会，将其应用于其中。实践活动多了，并且能深入下去，大学生在积极参与的过程中，就会逐渐养成坚韧、顽强的优良品质。 展开更多
关键词 社会实践活动 社会需求 大学生 优良品质 是非
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阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
4
作者 刘鸣瑜 高宝红 +3 位作者 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期461-470,共10页
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面... 为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面的润湿性、吸附构型及吸附稳定性。通过优化表面活性剂质量浓度,选择达到吸附稳定时的质量浓度配置4种表面活性剂来清洗铜晶圆,利用扫描电子显微镜观测铜表面形貌,对比它们的清洗效果。随后选择TD⁃40和JFC⁃6进行复配,研究复配后表面活性剂对硅溶胶颗粒的去除效果。实验结果表明,使用体积比为2∶1的TD⁃40与JFC⁃6进行复配得到的CMP清洗液对SiO_(2)颗粒的去除效果比单一表面活性剂的更好。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗
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Bi_2Te_3热电材料研究现状 被引量：12
5
作者 周欢欢 檀柏梅 +3 位作者 张建新 牛新环 王如 潘国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期765-770,777,共7页
Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔。Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主要集中在如何提高热电材料的能量转换效率上。... Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔。Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主要集中在如何提高热电材料的能量转换效率上。综述了热电材料的种类、国内外关于Bi2Te3热电薄膜的制备方法和性能研究,对多种典型制备方法进行分析对比,探讨了影响Bi2Te3热电薄膜质量的因素及机制。结合Bi2Te3热电薄膜在温差发电和热电制冷方面的应用,如果微型热电制冷器实现与大功率LED芯片集成封装,那么芯片级低温散热问题有望解决。 展开更多
关键词 热电材料 热电性能 碲化铋 温差发电 热电制冷
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一维光子晶体的光学传输特性分析 被引量：58
6
作者 段晓峰 牛燕雄 +1 位作者 张雏 张存善 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1086-1089,共4页
采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的缺陷态 ,... 采用等效F P腔方法对一维光子晶体进行研究 ,计算并讨论不同周期数的一维光子晶体对光学传输特性的影响 计算结果表明 ,一维光子晶体具有光子禁带 ,表现为对光的高反射率 ;掺杂的一维光子晶体的光子禁带中央将出现频宽极窄的缺陷态 ,即光子局域 ,与复折射率和晶体周期数有密切的关系 所得结果与实验分析一致 ,证明了方法的有效性和实用性 。 展开更多
关键词 一维光子晶体 光学传输特性 等效F-P腔方法 周期数 光子禁带 光子局域 缺陷态
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新型碱性阻挡层抛光液在300mm铜布线平坦化中的应用 被引量：15
7
作者 魏文浩 刘玉岭 +3 位作者 王辰伟 牛新环 郑伟艳 尹康达 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期3333-3335,共3页
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具... 研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑(dishing)和蚀坑(erosion)具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。 展开更多
关键词 碱性阻挡层抛光液 去除速率 选择性 碟形坑 蚀坑
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四探针技术测量薄层电阻的原理及应用 被引量：56
8
作者 刘新福 孙以材 刘东升 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期48-52,共5页
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)... 对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考。 展开更多
关键词 四探针 薄层电阻 Rymaszewski法 范德堡法
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Si单晶片切削液挂线性能的研究 被引量：11
9
作者 宁培桓 周建伟 +2 位作者 刘玉岭 唐文栋 张伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期981-984,共4页
Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率。为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性... Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率。为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比。 展开更多
关键词 硅晶片 切削液 表面张力 黏度 渗透性 挂线性能
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磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响 被引量：13
10
作者 刘金玉 刘玉岭 +1 位作者 项霞 边娜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1064-1066,1082,共4页
蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素。分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光... 蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题。在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素。分析了化学机械抛光过程中抛光液中磨料的作用以及抛光机理,在确保表面状态的基础上,研究了抛光液中磨料体积分数、粒径和抛光液的黏度对速率的影响,指出纳米磨料是蓝宝石衬底抛光的最佳磨料。选用合适的磨料体积分数、粒径及抛光液黏度,不仅获得了良好的去除速率,而且有效地解决了表面状态方面的问题。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 化学机械抛光 磨料 去除速率 粒径
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低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究 被引量：7
11
作者 郑伟艳 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 串利伟 魏文浩 岳红维 曹冠龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3472-3474,共3页
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3... 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。 展开更多
关键词 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率
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ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究 被引量：9
12
作者 苏艳勤 刘玉岭 +3 位作者 刘效岩 康海燕 武彩霞 张进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期730-733,共4页
分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选... 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响。实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题。 展开更多
关键词 化学机械抛光 碱性抛光液 铜布线 表面粗糙度
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多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究 被引量：7
13
作者 王辰伟 刘玉岭 +3 位作者 蔡婷 马锁辉 曹阳 高娇娇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期3603-3605,3610,共4页
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液... 对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。 展开更多
关键词 络合剂 TSV 化学机械平坦化 抛光速率
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300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 被引量：7
14
作者 田雨 王胜利 +3 位作者 刘玉岭 刘效岩 邢少川 马迎姿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期836-839,共4页
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=... 随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。 展开更多
关键词 铜互连线 低磨料 低压 粗糙度 化学机械抛光
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ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究 被引量：8
15
作者 孙薇 刘玉岭 +2 位作者 张伟 时慧玲 侯丽辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期662-665,共4页
超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并... 超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并进一步通过对多层Cu布线CMP硅溶胶磨料的优化研究,指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料,可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题,获得了良好的抛光效果。 展开更多
关键词 化学机械抛光 磨料 速率 表面状态
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混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响 被引量：7
16
作者 于江勇 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 李英的 夏显召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B08期84-86,共3页
分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响。研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学... 分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响。研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高。在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 化学机械抛光 混合磨料 去除 速率
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941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列 被引量：4
17
作者 辛国锋 花吉珍 +4 位作者 陈国鹰 康志龙 杨鹏 徐会武 安振峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半... 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9% 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱
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纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析 被引量：5
18
作者 檀柏梅 牛新环 +2 位作者 时慧玲 刘玉岭 崔春翔 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期881-884,共4页
二氧化硅是目前IC生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（CMP）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质CMP机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅... 二氧化硅是目前IC生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（CMP）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质CMP机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅水溶胶配制抛光浆料进行CMP实验研究，采用这种高浓度、易清洗、低分散度的硅溶胶纳米磨料达到了较高的去除速率和较好的表面状态，有效地减少了表面划伤。另外还分析了磨料粒径、浓度及浆料的流速对CMP的影响，并且对浆料中加入的表面活性剂的作用进行了讨论。 展开更多
关键词 化学机械抛光 纳米磨料 粒径 浓度 去除速率
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SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响 被引量：7
19
作者 孙增标 刘玉岭 +2 位作者 刘效岩 闫宝华 张研 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期72-74,共3页
在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用... 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。 展开更多
关键词 化学机械抛光 SiO2/CeO2混合磨料 去除速率 表面粗糙度
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硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进 被引量：7
20
作者 张伟 周建伟 +1 位作者 刘玉岭 刘承霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期758-761,765,共5页
在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加。介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析。硅片表... 在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加。介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析。硅片表面状态得到了一定程度的改善,提高了生产效率。 展开更多
关键词 硅片 研磨 研磨液 应力
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