超薄太阳能硅片线切割工艺中悬浮液特性研究 被引量：13

1

作者 任丽 李彦林 +2 位作者 羊建坤 刘晓平 王敏花 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期324-327,共4页

对硅片线切割工艺中悬浮液特性进行了理论与实验分析.测绘了悬浮液的粘度与温度特性曲线和pH值与温度特性曲线,为硅片的线切割工艺优化提供了理论和实验依据。

关键词 悬浮液 粘度 PH值 温度

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掺Ga高效单晶硅太阳电池抑制光衰研究 被引量：4

2

作者 任丽 李宁 +2 位作者 杨淑云 丰云恺 任丙彦 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期449-452,共4页

P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减。该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P〈100〉单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池，对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析。用标准模拟光源对样品电池分别进行光... P型掺B单晶硅制作的太阳电池光照10h后产生3％～6％的效率衰减。该文制备常规掺B和不同掺Ga剂量的P〈100〉单晶硅并切片制备高效晶硅太阳电池，对硅片物理参数和电池光伏特性参数进行测试对比分析。用标准模拟光源对样品电池分别进行光衰实验对比，结果证实：掺Ga单晶硅太阳电池不仅能保持与掺B单晶电池相同的光电转换效率，而且能强烈地抑制光衰。 展开更多

关键词 掺Ga 单晶硅 太阳电池 光衰

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S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究 被引量：2

3

作者 赵丽伟 刘彩池 +8 位作者 滕晓云 朱军山 郝秋艳 孙世龙 王海云 徐岳生 胡家辉 冯玉春 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1079-1082,共4页

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中... 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 展开更多

关键词 GAN 湿法腐蚀 六角腐蚀坑 SEM

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

4

作者 王娜 王丽华 +2 位作者 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期42-44,67,共4页

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。... 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 离子注入 电特性 快速热退火

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酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究 被引量：4

5

作者 王立建 刘彩池 +3 位作者 陈玉武 辛国军 左云翔 章灵军 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期784-786,共3页

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱... 多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVDSiNx减反射膜后反射率大大下降。 展开更多

关键词 表面织构 多晶硅 太阳电池

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离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

6

作者 董利菲 郝秋艳 刘彩池 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期276-279,共4页

将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1100℃下退火,纳米Si发光达到最强。... 将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1100℃下退火,纳米Si发光达到最强。由常规退火和快速退火样品的光致发光光谱的对比得出快速退火对纳米Si发光有增强的作用。对发光机制进行了探讨,认为其发光机理可归结为纳米Si/SiO2界面处Si=O键引起的发光。 展开更多

关键词 离子注入 纳米晶硅 光致发光

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TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量：12

7

作者 陈东坡 张晓丹 +2 位作者 魏长春 刘彩池 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页

通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%. 展开更多

关键词 染料敏化太阳能电池 阻挡层 TIO2薄膜 暗电流 TICL4

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大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系 被引量：5

8

作者 任丙彦 郝秋艳 +2 位作者 刘彩池 王海云 张颖怀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期21-24,共4页

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。

关键词 CZSi单晶 生微缺陷 间隙氧 集成电路 硅片 大直径 直拉硅单晶

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AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池 被引量：12

9

作者 任丙彦 王敏花 +6 位作者 刘晓平 李彦林 羊建坤 励旭东 许颖 李海玲 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期125-129,共5页

运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本... 运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,转换效率增加,但本征层厚度继续增加时,短路电流密度减少、效率也随之降低。本征层能隙宽度的变化对短路电流影响很大,随能隙宽度增加,短路电流先增加,但当能隙宽度大于某一特定值时,短路电流开始下降。在不插入本征层的情况下,N型发射层的能带失配对短路电流几乎无影响,而开路电压随导带失配的增大逐渐增大,界面态密度会导致开压迅速下降。 展开更多

关键词 APORS-HET 异质结太阳电池 光伏性能

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工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响 被引量：7

10

作者 任丙彦 刘晓平 +3 位作者 李彦林 王敏花 羊建坤 许颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期798-801,共4页

工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微... 工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45-1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响。在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04×10^-4Ω.cm、可见光波段（400-800 nm）透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 ITO薄膜 溅射气压 低温

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快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响 被引量：5

11

作者 陈玉武 郝秋艳 +3 位作者 刘彩池 赵建国 吴丹 王勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期611-614,共4页

利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少... 利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致。原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RTP后,其少子寿命值得到明显改善。低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大。高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降。实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响。 展开更多

关键词 铸造多晶硅 RTP 少子寿命 杂质 缺陷

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不同形貌的金字塔结构对硅片表面钝化和异质结太阳电池的影响 被引量：4

12

作者 王利果 张晓丹 +6 位作者 王奉友 王宁 姜元建 郝秋艳 许盛之 魏长春 赵颖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1758-1763,共6页

在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片表面制备了不同形... 在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅衬底表面制绒,是提高太阳电池效率的有效途径之一.本文采用四甲基氢氧化铵(TMAH)在硅片表面制备了不同形貌的金字塔结构的硅异质结电池衬底,并应用到电池中.通过研究不同金字塔的形貌,光学特性以及电学特性,找出提高硅片钝化效果,改善异质结电池的性能的优化的金字塔结构.结果表明:2%(w)TMAH,10%(w)异丙醇(IPA)可以在硅片表面制得标准四面体金字塔结构.和其它两种金字塔结构相比较,标准四面体金字塔结构绒面衬底反射率最低,可以提高太阳电池的短路电流密度(Jsc).同时,这种结构金字塔形貌可以提高钝化效果,改善电池各项性能参数. 展开更多

关键词 制绒 金字塔形貌 反射率 少子寿命 钝化 异质结电池

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N型单晶硅衬底上非晶硅／单晶硅异质结太阳电池计算机模拟 被引量：8

13

作者 任丙彦 张燕 +4 位作者 郭贝 张兵 李洪源 许颖 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1112-1116,共5页

采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当Dit>10^(12)cm^(-... 采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当Dit>10^(12)cm^(-2)·eV^(-1)时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率降低。当在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内。模拟的a-Si-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%。 展开更多

关键词 异质结 太阳电池 计算机模拟

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半导体硅熔体电导率的间接测量 被引量：3

14

作者 徐岳生 刘彩池 +2 位作者 王海云 张雯 石义情 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期102-103,101,共3页

本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=（μBb）2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率。其结果与用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单... 本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=（μBb）2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率。其结果与用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义。 展开更多

关键词 环境相 磁粘度 熔硅电导率

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CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究 被引量：2

15

作者 乔治 刘彩池 +1 位作者 张彦立 史严 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期257-259,共3页

CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其... CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。 展开更多

关键词 CZ-SI 流动图形缺陷(FPDs) 空洞型缺陷

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快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响 被引量：1

16

作者 郝秋艳 乔治 +3 位作者 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期747-750,共4页

本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原... 本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。 展开更多

关键词 快速退火 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 直拉硅单晶片

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水平磁场下硅熔体的有效粘度

17

作者 徐岳生 张雯 +2 位作者 王海云 刘彩池 石义情 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期93-96,共4页

用钕铁硼（NdFeB）永磁材料构建“魔环”结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度（有效粘度）。在温度一定时,粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系。熔硅... 用钕铁硼（NdFeB）永磁材料构建“魔环”结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度（有效粘度）。在温度一定时,粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系。熔硅温度升高,磁场影响加剧,抛物线更加陡峭。1510～1590℃温度区间内,粘度有异常变化。 展开更多

关键词 硅熔体 有效粘度 回转振荡法 魔环永磁体 钕铁硼永磁

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重掺硅衬底片的内吸除效应

18

作者 张红娣 郝秋艳 +3 位作者 张建峰 张建强 李养贤 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期781-783,共3页

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应。发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同。且发现砷增强了硅片近... 本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应。发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同。且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散。在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽。 展开更多

关键词 重掺杂硅单晶 热处理 内吸除效应 氧沉淀增强现象

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Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响

19

作者 乔治 李同锴 +2 位作者 刘彩池 冀建利 张彦立 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期691-693,共3页

将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火... 将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响。结果表明,FPDs缺陷在1100℃以下非常稳定;但是在1100℃以上的温度,尤其在1200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降。 展开更多

关键词 快速退火 流动图形缺陷 空洞型缺陷

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SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构

20

作者 马丽芬 许颖 +4 位作者 任丙彦 勾宪芳 王文静 万之坚 李海峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期915-918,共4页

采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的... 采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。 展开更多

关键词 RTCVD SiSiC 多晶硅 薄膜

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