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HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能 被引量:10
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作者 任丙彦 刘晓平 +2 位作者 许颖 王敏花 廖显伯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期504-507,共4页
采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350~800 nm波段的平... 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350~800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%. 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 陶瓷靶 HIT太阳电池
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