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基于第一性原理计算的B掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构研究被引量：1: 1; 作者郑树凯吴国浩刘磊《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期29-32,38,共5页; 利用基于密度泛函理论的第一性原理,对B掺杂锐钛矿相TiO2的晶胞参数、B—O键长、电荷布居、能带结构、电子态密度及吸收光谱进行了计算。结果表明,B掺杂使TiO2晶格发生畸变,晶胞体积略有减小;B掺杂后TiO2的禁带宽度仅减小0.02eV,且在其... 展开更多; 关键词锐钛矿相TIO2 B掺杂第一性原理计算电子结构吸收光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

B掺杂SrTiO_3电子结构的第一性原理计算被引量：3: 2; 作者刘晨吉贾云龙 +3 位作者刘红吴一刘磊郑树凯《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期616-622,共7页; 利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO_3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明:B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO_3电子... 展开更多; 关键词 SRTIO3 B掺杂第一性原理电子结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算被引量：3: 3; 作者李文明吴一 +2 位作者刘晨吉郑树凯闫小兵《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期405-409,447,共6页; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大... 展开更多; 关键词 ZNTE 共掺杂密度泛函理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算被引量：5: 4; 作者史茹倩吴一 +3 位作者刘红刘晨吉郑树凯王晓媛《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1617-1624,共8页; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征以及P替位式掺杂,P间隙式掺杂4H-SiC的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明:P掺杂减小了4H-SiC的禁带宽度,其中P替位C原子掺杂的禁带宽度最小。替... 展开更多; 关键词 4H-SIC P掺杂第一性原理电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量：3: 5; 作者张明举李文明郑树凯《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期960-966,共7页; 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁... 展开更多; 关键词 ZNO 第一性原理共掺杂电子结构光学性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于第一性原理计算的B掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构研究被引量：1: 1; 作者郑树凯吴国浩刘磊; 机构河北大学电子信息工程学院河北大学计算材料与器件模拟研究中心; 出处《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期29-32,38,共5页; 文摘利用基于密度泛函理论的第一性原理,对B掺杂锐钛矿相TiO2的晶胞参数、B—O键长、电荷布居、能带结构、电子态密度及吸收光谱进行了计算。结果表明,B掺杂使TiO2晶格发生畸变,晶胞体积略有减小;B掺杂后TiO2的禁带宽度仅减小0.02eV,且在其价带底引入了掺杂能级;B掺杂可促进TiO2在紫外光区和可见光区的光吸收。; 关键词锐钛矿相TIO2 B掺杂第一性原理计算电子结构吸收光谱; Keywords anatase TiO2 B doping first-principles calculation electronic structure absorption spectrum; 分类号 TG146.4 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名B掺杂SrTiO_3电子结构的第一性原理计算被引量：3: 2; 作者刘晨吉贾云龙刘红吴一刘磊郑树凯; 机构河北大学电子信息工程学院河北大学计算材料与器件模拟研究中心河北省数字医疗工程重点实验室; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期616-622,共7页; 基金国家留学基金资助项目([2014]-3012)~~; 文摘利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO_3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明:B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO_3电子结构和光学性质的影响不显著;B替位O掺杂则在SrTiO_3的禁带中引入3条杂质能级,杂质能级上的电子可以吸收能量较小的光子跃迁至导带,光吸收强度从可见光长波段550nm开始逐渐增加,光谱吸收边红移;B以间隙原子的形式掺杂时,SrTiO_3的禁带宽度大幅增大,电子跃迁能增加,光谱吸收边蓝移。; 关键词 SRTIO3 B掺杂第一性原理电子结构; Keywords SrTiO_3 B-doped electronic structure optical property first-principle; 分类号 O643.36 [理学—物理化学] O641.1 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算被引量：3: 3; 作者李文明吴一刘晨吉郑树凯闫小兵; 机构河北大学电子信息工程学院河北大学计算材料与器件模拟研究中心; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期405-409,447,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61306098) 国家留学基金资助项目(2014-3012) 国家级大学生创新训练项目(201410075002); 文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。; 关键词 ZNTE 共掺杂密度泛函理论; Keywords ZnTe Codoped Density functional theory; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算被引量：5: 4; 作者史茹倩吴一刘红刘晨吉郑树凯王晓媛; 机构河北大学电子信息工程学院河北大学计算材料与器件模拟研究中心河北大学河北省数字医疗工程重点实验室中国工程物理研究院总体工程研究所; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1617-1624,共8页; 基金国家留学基金资助项目([2014]3012) 国家级大学生创新训练资助项目(201410075002); 文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征以及P替位式掺杂,P间隙式掺杂4H-SiC的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明:P掺杂减小了4H-SiC的禁带宽度,其中P替位C原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致4H-SiC的费米能级进入导带,使其成为n型半导体,间隙式掺杂使4H-SiC的费米能级接近导带并在其禁带中引入杂质能级。替位式掺杂后,4H-SiC的自由电子主要存在于导带底,而间隙式掺杂4H-SiC中除了导带底外,禁带中的杂质能级也提供了自由电子,因此,电子浓度大幅度增加。掺杂4H-SiC的载流子迁移率主要由中性杂质对电子的散射决定,较本征态的大幅度降低。通过计算4种体系的电导率可知,P替位Si原子掺杂4H-SiC的电导率最大,导电性最好。; 关键词 4H-SIC P掺杂第一性原理电导率; Keywords 4H-SiC P doping first-principles electrical conductivity; 分类号 O64 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量：3: 5; 作者张明举李文明郑树凯; 机构河北大学电子信息工程学院河北大学计算材料与器件模拟研究中心; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期960-966,共7页; 基金河北省高等学校科学技术研究重点项目(ZD2017008)~~; 文摘采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率。; 关键词 ZNO 第一性原理共掺杂电子结构光学性质; Keywords ZnO first principle codoped electronic structure optical property; 分类号 TQ132.41 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于第一性原理计算的B掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构研究	郑树凯吴国浩刘磊	《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	B掺杂SrTiO_3电子结构的第一性原理计算	刘晨吉贾云龙刘红吴一刘磊郑树凯	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算	李文明吴一刘晨吉郑树凯闫小兵	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算	史茹倩吴一刘红刘晨吉郑树凯王晓媛	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算	张明举李文明郑树凯	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料