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大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究
被引量：
6
1
作者
默江辉
王丽
+6 位作者
刘博宁
李亮
王勇
陈昊
冯志红
何庆国
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期658-660,668,共4页
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四...
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
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关键词
SiCMESFET
内匹配
大功率
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职称材料
题名
大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究
被引量：
6
1
作者
默江辉
王丽
刘博宁
李亮
王勇
陈昊
冯志红
何庆国
蔡树军
机构
专用集成电路国家级重点
实验
室
国防科技信息研究中心
河北大学工商学院实验管理科
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期658-660,668,共4页
基金
重点实验室基金(914A08050509D223)
文摘
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。
关键词
SiCMESFET
内匹配
大功率
Keywords
SiC MESFET
internally-matching
high Power
分类号
TN325 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究
默江辉
王丽
刘博宁
李亮
王勇
陈昊
冯志红
何庆国
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
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