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题名太赫兹肖特基二极管噪声电压的理论研究
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作者
乔海东
李亮
默江辉
郭大路
吕昕
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机构
毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室
河北半导体研究所国家专用集成电路重点实验室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第5期82-84 88,88,共4页
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文摘
在太赫兹焦平面成像等系统中,Ga As肖特基二极管作为太赫兹检测的核心器件,其噪声特性直接影响太赫兹探测系统的灵敏度。讨论了Ga As肖特基二极管在不同直流偏压下加载给负载的热噪声电压、散粒噪声电压、总噪声电压,并给出了相应的解析解。同时,建模模拟了太赫兹混频前端,并利用谐波平衡法对理论公式进行了对比验证。对太赫兹像元与阵列芯片的噪声机理以及提高芯片的噪声性能研究,改善芯片噪声特性,从而提高太赫兹焦平面成像系统灵敏度具有重要意义和作用。
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关键词
太赫兹Ga
As
肖特基二极管
偏置电压
热噪声
散粒噪声
噪声电压
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Keywords
terahertz device,Schottky-barrier diode,bias,thermal noise,shot noise,noise voltage
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分类号
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
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