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基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1: 1; 作者吕元杰冯志红 +6 位作者宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页; 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究: 2; 作者吕元杰宋旭波 +5 位作者何泽召谭鑫周幸叶王元刚顾国栋冯志红《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期976-980,共5页; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^(17)和1.0×10^(18) cm^(–3... 展开更多; 关键词氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管漏源饱和电流栅漏电; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯被引量：8: 3; 作者刘庆彬蔚翠 +4 位作者何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页; 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 展开更多; 关键词石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料被引量：4: 4; 作者刘庆彬蔚翠 +4 位作者何泽召王晶晶周闯杰郭建超冯志红《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期276-281,共6页; 利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保... 展开更多; 关键词石墨烯绝缘衬底化学气相沉积表面形态学电学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 5; 作者吕元杰冯志红 +6 位作者张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准... 展开更多; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）被引量：1: 6; 作者尹甲运吕元杰 +5 位作者宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期6-9,34,共5页; 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩... 展开更多; 关键词 InA1N/GaN HFET FT 再生长n+-GaN欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al在生长InGaN材料中的表面活化效应: 7; 作者袁凤坡尹甲运 +2 位作者刘波梁栋冯志宏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页; 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 ... 展开更多; 关键词金属有机物化学汽相淀积氮化镓铟镓氮铝活性剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考被引量：8: 8; 作者闫海东梁陪阶 +1 位作者梅云辉冯志红《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期15-23,共9页; 无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连... 展开更多; 关键词纳米银焊膏无压低温银烧结技术双面冷却 SIC器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1: 1; 作者吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.; 关键词 ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触; Keywords AlGaN/GaN, HFET, fT ,fmax, regrown Ohmic contacts; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究: 2; 作者吕元杰宋旭波何泽召谭鑫周幸叶王元刚顾国栋冯志红; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期976-980,共5页; 基金国家自然科学基金(61674130 61604137)~~; 文摘采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^(17)和1.0×10^(18) cm^(–3)的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×10^(17) cm^(–3)的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×10^(18) cm^(–3)的样品实现了欧姆接触最低值(9.8W×mm)。基于掺杂浓度为1.0×10^(18) cm^(–3)的n型β-Ga_2O_3薄膜材料,采用原子层沉积的Al_2O_3作为栅下绝缘介质层,研制出Ga_2O_3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。栅压为2 V时,器件漏源饱和电流达到108 mA/mm,器件峰值跨导达到17 mS/mm。由于栅漏电特性较差,器件的三端击穿电压仅为23 V@V_(gs)=–12 V。采用高介电常数的HfO_2或者Al_2O_3/HfO_2复合结构作为栅下介质能够改善栅漏电特性,提升器件的击穿性能。; 关键词氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管漏源饱和电流栅漏电; Keywords Ga2O3 MOSFET drain saturation current gate leakage; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯被引量：8: 3; 作者刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红; 机构河北半导体研究所; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页; 基金国家自然科学基金(61306006)资助项目; 文摘化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。; 关键词石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理; Keywords Graphene Sapphire Chemical vapor deposition Growth temperature Etching mechanism; 分类号 O613.71 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料被引量：4: 4; 作者刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶周闯杰郭建超冯志红; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期276-281,共6页; 基金国家自然科学基金项目(61306006 61674131)~~; 文摘利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。5.08cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000cm2·V^(-1)·s^(-1),方块电阻不均匀性为2.6%。相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900cm2·V^(-1)·s^(-1)。; 关键词石墨烯绝缘衬底化学气相沉积表面形态学电学特性; Keywords graphene insulating substrates chemical vapor deposition surface morphology electronics characteristic; 分类号 TQ127.11 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 5; 作者吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军; 机构河北半导体研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); Keywords InAlN/GaN, heterostructure field-effect transistors （HFET）, unity current gain cut-off frequency （fr） , maximum oscillation frequency（fmax ）; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）被引量：1: 6; 作者尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期6-9,34,共5页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Vgs=1 V下器件最大饱和电流(I_(ds))达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.; 关键词 InA1N/GaN HFET FT 再生长n+-GaN欧姆接触; Keywords InA1N/GaN, HFET, fT, regrown n ＋ -GaN ohmic contacts; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al在生长InGaN材料中的表面活化效应: 7; 作者袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏; 机构河北半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页; 文摘为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。; 关键词金属有机物化学汽相淀积氮化镓铟镓氮铝活性剂; Keywords MOCVD GaN InGaN Al surfactant; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考被引量：8: 8; 作者闫海东梁陪阶梅云辉冯志红; 机构桂林电子科技大学机电工程学院天津大学材料科学与工程学院河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室广西制造系统与先进制造技术重点实验室; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期15-23,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(51922075,51967005) 广西自然科学基金资助项目(2018GXNSFAA294082) 广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任课题资助项目(19-050-44-006Z)。; 文摘无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。; 关键词纳米银焊膏无压低温银烧结技术双面冷却 SIC器件可靠性; Keywords nano-silver paste pressure-less low-temperature silver sintering double-sided cooling SiC device reliability; 分类号 TM921.05 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）	吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究	吕元杰宋旭波何泽召谭鑫周幸叶王元刚顾国栋冯志红	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯	刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2016	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料	刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶周闯杰郭建超冯志红	《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）	吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）	尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Al在生长InGaN材料中的表面活化效应	袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考	闫海东梁陪阶梅云辉冯志红	《电源学报》 CSCD 北大核心	2020	8	在线阅读下载PDF 职称材料