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基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1: 1; 作者吕元杰冯志红 +6 位作者宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页; 基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯被引量：8: 2; 作者刘庆彬蔚翠 +4 位作者何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页; 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 展开更多; 关键词石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 3; 作者吕元杰冯志红 +6 位作者张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准... 展开更多; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）被引量：1: 4; 作者尹甲运吕元杰 +5 位作者宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期6-9,34,共5页; 在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩... 展开更多; 关键词 InA1N/GaN HFET FT 再生长n+-GaN欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP单晶材料现状与展望被引量：10: 5; 作者孙聂枫周晓龙 +1 位作者陈秉克孙同年《电子工业专用设备》 2005年第10期10-14,23,共6页; 介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大... 展开更多; 关键词液封直拉法气压控制直拉法垂直梯度凝固单晶材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺被引量：1: 6; 作者李献杰曾庆明 +5 位作者蔡克理敖金平赵永林焦智贤王全树郭建魁《半导体情报》 1999年第1期37-40,共4页; 介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成... 展开更多; 关键词倒装焊 CMOS-SEED 半导体光电器件凸点; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al在生长InGaN材料中的表面活化效应: 7; 作者袁凤坡尹甲运 +2 位作者刘波梁栋冯志宏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页; 为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 ... 展开更多; 关键词金属有机物化学汽相淀积氮化镓铟镓氮铝活性剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器被引量：2: 8; 作者张立森梁士雄 +4 位作者杨大宝徐鹏宋旭波吕元杰冯志红《电子技术应用》 2019年第7期14-18,18,共5页; 设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性... 展开更多; 关键词二倍频肖特基二极管反向串联平衡式太赫兹; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1: 1; 作者吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期534-537,568,共5页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.; 关键词 ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管电流增益截止频率最大振荡频率再生长欧姆接触; Keywords AlGaN/GaN, HFET, fT ,fmax, regrown Ohmic contacts; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯被引量：8: 2; 作者刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红; 机构河北半导体研究所; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页; 基金国家自然科学基金(61306006)资助项目; 文摘化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。; 关键词石墨烯蓝宝石化学气相沉积法生长温度刻蚀机理; Keywords Graphene Sapphire Chemical vapor deposition Growth temperature Etching mechanism; 分类号 O613.71 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 3; 作者吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军; 机构河北半导体研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); Keywords InAlN/GaN, heterostructure field-effect transistors （HFET）, unity current gain cut-off frequency （fr） , maximum oscillation frequency（fmax ）; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）被引量：1: 4; 作者尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期6-9,34,共5页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Vgs=1 V下器件最大饱和电流(I_(ds))达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.; 关键词 InA1N/GaN HFET FT 再生长n+-GaN欧姆接触; Keywords InA1N/GaN, HFET, fT, regrown n ＋ -GaN ohmic contacts; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP单晶材料现状与展望被引量：10: 5; 作者孙聂枫周晓龙陈秉克孙同年; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《电子工业专用设备》 2005年第10期10-14,23,共6页; 基金国家自然科学基金项目(编号:60276008)的支持。; 文摘介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。; 关键词液封直拉法气压控制直拉法垂直梯度凝固单晶材料; Keywords Liguid-encap Sulated Czochralski Process Vapor-pressure-controlled Czochralski Vertical Gradient Freeze InP Single Crystal; 分类号 TN304.053 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺被引量：1: 6; 作者李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林焦智贤王全树郭建魁; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《半导体情报》 1999年第1期37-40,共4页; 文摘介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。; 关键词倒装焊 CMOS-SEED 半导体光电器件凸点; Keywords Flip chip bond CMOS SEED Bump; 分类号 TN386.105 [电子电信—物理电子学] TN360.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al在生长InGaN材料中的表面活化效应: 7; 作者袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏; 机构河北半导体研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期126-128,共3页; 文摘为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。; 关键词金属有机物化学汽相淀积氮化镓铟镓氮铝活性剂; Keywords MOCVD GaN InGaN Al surfactant; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器被引量：2: 8; 作者张立森梁士雄杨大宝徐鹏宋旭波吕元杰冯志红; 机构河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《电子技术应用》 2019年第7期14-18,18,共5页; 文摘设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离,简化了电路结构,降低了损耗,成功设计并制作出300GHz二倍频器,在312~319GHz的倍频效率大于5%,最大倍频效率为10.1%@316GHz,在307GHz^318GHz的输出功率大于4mW,最大输出功率为8.7mW@316GHz。采用较高掺杂浓度材料二极管的倍频器最大效率为13.7%,最大输出功率为11.8mW。该倍频器的输出功率与已报道水平相当,验证了国产肖特基二极管的设计、工艺以及高频工作等方面的能力。; 关键词二倍频肖特基二极管反向串联平衡式太赫兹; Keywords doubler Schottky diodes anti-series balanced terahertz; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）	吕元杰冯志红宋旭波张志荣谭鑫郭红雨房玉龙周幸叶蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯	刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2016	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）	吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）	尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	InP单晶材料现状与展望	孙聂枫周晓龙陈秉克孙同年	《电子工业专用设备》	2005	10	在线阅读下载PDF 职称材料
6	与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺	李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林焦智贤王全树郭建魁	《半导体情报》	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Al在生长InGaN材料中的表面活化效应	袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器	张立森梁士雄杨大宝徐鹏宋旭波吕元杰冯志红	《电子技术应用》	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料