1
|
基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究(英文) |
吕元杰
冯志红
宋旭波
张志荣
谭鑫
郭红雨
房玉龙
周幸叶
蔡树军
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
1
|
|
2
|
蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯 |
刘庆彬
蔚翠
何泽召
王晶晶
李佳
芦伟立
冯志红
|
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
8
|
|
3
|
基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件(英文) |
吕元杰
冯志红
张志荣
宋旭波
谭鑫
郭红雨
尹甲运
房玉龙
蔡树军
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
2
|
|
4
|
基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管(英文) |
尹甲运
吕元杰
宋旭波
谭鑫
张志荣
房玉龙
冯志红
蔡树军
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2017 |
1
|
|
5
|
InP单晶材料现状与展望 |
孙聂枫
周晓龙
陈秉克
孙同年
|
《电子工业专用设备》
|
2005 |
10
|
|
6
|
与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺 |
李献杰
曾庆明
蔡克理
敖金平
赵永林
焦智贤
王全树
郭建魁
|
《半导体情报》
|
1999 |
1
|
|
7
|
Al在生长InGaN材料中的表面活化效应 |
袁凤坡
尹甲运
刘波
梁栋
冯志宏
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
0 |
|
8
|
基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器 |
张立森
梁士雄
杨大宝
徐鹏
宋旭波
吕元杰
冯志红
|
《电子技术应用》
|
2019 |
2
|
|