量子线和量子箱激光器——下一代高性能半导体激光器 被引量：1

1

作者 张汉三 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期5-8,共4页

本文讨论了量子线和量子箱激光器的特性,如呈现非常低的阈值电流、展宽的调制带宽和窄的谱线宽度。还介绍了量子尺寸结构的制造工艺、尺寸起伏和非线性增益对激射特性的影响。最后给出量子微腔激光器的新概念。

关键词 半导体激光器 量子阱 量子结构

全文增补中

碳点基电致发光器件研究进展 被引量：1

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作者 禹珍珍 任正 +4 位作者 李琮 武泽芃 王大伟 关丽 李旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1247-1265,共19页

荧光碳点(CDs)具有原料广泛、无毒无污染、发光颜色可调、低成本和生物相容性等优异特点,在发光领域具有广阔的应用前景。近年来,基于CDs的电致发光器件已经取得了不错的成就。本文总结了基于CDs的电致发光器件的最新进展,并且重点论述... 荧光碳点(CDs)具有原料广泛、无毒无污染、发光颜色可调、低成本和生物相容性等优异特点,在发光领域具有广阔的应用前景。近年来,基于CDs的电致发光器件已经取得了不错的成就。本文总结了基于CDs的电致发光器件的最新进展,并且重点论述了合成高效CDs和调控器件结构以获得高性能器件的可行性策略。此外,结合CDs在电致发光器件应用中的发展现状以及未来需求分析,本文对实现高性能CDs基电致发光器件进行了展望。 展开更多

关键词 碳点 电致发光 发光二极管(LED) 性能 全溶液

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Al_(2)O_(3)表面包覆增强K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉发光性能和湿热稳定性

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作者 段凌岳 路万兵 +4 位作者 王智逾 赵金鑫 王大伟 刘海旭 于威 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期443-449,共7页

研究了粉末原子层沉积技术(ALD)在白光LED用K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)(KSFM)红色荧光粉包覆和表面改性中的应用,以及对其结构特性、发光性能和湿热环境中稳定性的影响。结果表明,采用ALD技术以三甲基铝作为前驱体、臭氧作为氧化剂,可以在K... 研究了粉末原子层沉积技术(ALD)在白光LED用K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)(KSFM)红色荧光粉包覆和表面改性中的应用,以及对其结构特性、发光性能和湿热环境中稳定性的影响。结果表明,采用ALD技术以三甲基铝作为前驱体、臭氧作为氧化剂,可以在KSFM表面形成氧化铝包覆层。X射线衍射、表面形貌分析表明,ALD处理过程不会影响KSFM荧光粉的晶相和形貌特征。发光光谱分析表明,由于氧化铝钝化特性还会增强KSFM荧光粉的发光强度,并且不改变其发光波长。相较于未经包覆的KSFM荧光粉,包覆层可以显著改善KSFM粉末的湿热环境稳定性,ALD包覆后样品的相对发光强度在85%湿度/85℃环境中老化处理24 h后仍能保持初始值的84%。 展开更多

关键词 K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+) 红色荧光粉 表面改性 原子层沉积 湿热稳定性

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封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响 被引量：3

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作者 袁凤坡 白欣娇 +3 位作者 李帅 崔素杭 李晓波 王静辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期712-716,734,共6页

SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研... SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。 展开更多

关键词 SIC 功率模块 热电特性 有限元分析 空洞率

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一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型

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作者 胡志富 崔玉兴 +3 位作者 杜光伟 方家兴 武继斌 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期671-673,698,共4页

基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善... 基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 模型 鱼骨型 分布式

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近紫外基白光LEDs用KYBaSi_(2)O_(7)∶Bi^(3+)蓝色荧光粉发光特性 被引量：5

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作者 付素月 朱烨程 +7 位作者 马颖珊 姚瑶 王志军 索浩 王大伟 杨志平 赵金鑫 李盼来 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1078-1085,共8页

白光发光二极管(LED)在固态照明中应用广泛,其中蓝色荧光粉因发挥十分重要的作用而成为当前研究的热点。本文采用高温固相法合成了KYBaSi_(2)O_(7)∶Bi^(3+)蓝色荧光粉,研究了材料的发光特性。结果显示,在370 nm光激发下,KYBaSi_(2)O_(7... 白光发光二极管(LED)在固态照明中应用广泛,其中蓝色荧光粉因发挥十分重要的作用而成为当前研究的热点。本文采用高温固相法合成了KYBaSi_(2)O_(7)∶Bi^(3+)蓝色荧光粉,研究了材料的发光特性。结果显示,在370 nm光激发下,KYBaSi_(2)O_(7)∶Bi^(3+)呈现出覆盖380~600 nm、主峰位于418 nm的不对称宽带发射;Bi^(3+)离子的发光存在浓度猝灭现象;温度升高时,材料表现出了较好的温度稳定性,在400 K时仍能保持64%的初始强度。此外,将其和商用荧光粉以及370 nm的近紫外芯片结合制成了白光LED,其色坐标为(0.3682,0.3981),色温为4463 K,表明利用该材料可以实现近紫外基白光LEDs。 展开更多

关键词 发光 荧光粉 KYBaSi_(2)O_(7)∶Bi^(3+)

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太赫兹InP HEMTs的神经网络建模方法 被引量：2

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作者 杜光伟 胡志富 +2 位作者 刘亚男 孙希国 崔玉兴 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S1期52-55,共4页

包含新技术、新材料的非传统器件的不断涌现使现有的模型已不能完全表征THz器件的特性。而采用神经网络建模的方法,可极大地提高建模的效率和精确度,解决一系列传统模型所无法解决的问题,是一种新型的CAD建模方法。本文采用神经网络空... 包含新技术、新材料的非传统器件的不断涌现使现有的模型已不能完全表征THz器件的特性。而采用神经网络建模的方法,可极大地提高建模的效率和精确度,解决一系列传统模型所无法解决的问题,是一种新型的CAD建模方法。本文采用神经网络空间映射的方法,在传统的粗模型的基础上对输入信号进行有效地修正,从而得到适合太赫兹器件的精确模型,器件的截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为220GHz和310GHz。模型在直流IV和1-110GHz范围内的S参数与测试结果吻合较好,比传统粗模型的精度有了较大的提高。 展开更多

关键词 太赫兹 神经网络 空间映射 模型 INP HEMTS

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高稳定宽光谱掺铒光纤光源 被引量：3

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作者 魏爱新 李旭辉 汤炜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期223-225,229,共4页

介绍了掺铒光纤光源的工作原理以及在小体积情况下制作EDFS时,铒纤长度的优化,提高输出光谱的平坦度,提高平均波长稳定度的方法。最后给出了实验样品的测试结果。

关键词 光纤光源 掺铒光纤 光谱

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射频微电子机械系统的发展与展望

9

作者 袁明文 《半导体情报》 2001年第4期1-9,共9页

介绍了射频微电子机械系统 ( RF MEMS)的最新进展、研究内容及应用前景。该系统装置包括开关、继电器、电容器、电感器、滤波器及微波和毫米波元件。

关键词 射频 微电子机械系统 电子元件

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原料配比和助熔剂对高显色LED用红色荧光粉性能的影响 被引量：1

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作者 李璇璇 王大伟 +5 位作者 杨志平 李旭 王志军 李盼来 刘学千 张楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期800-808,共9页

以Sr3N2、Eu2O3、AlN和Li3N为原料,利用高压氮化烧结制备了系列高显色LED用红色荧光粉(Sr0.96,Eu0.04)LiAl3N4。通过XRD、SEM图像和激发发射光谱研究了不同Sr3N2用量、不同助熔剂对荧光粉颗粒和发光性能的影响。XRD及XRD Rietveld精修... 以Sr3N2、Eu2O3、AlN和Li3N为原料,利用高压氮化烧结制备了系列高显色LED用红色荧光粉(Sr0.96,Eu0.04)LiAl3N4。通过XRD、SEM图像和激发发射光谱研究了不同Sr3N2用量、不同助熔剂对荧光粉颗粒和发光性能的影响。XRD及XRD Rietveld精修结果表明,1.3倍Sr3N2原料所得的粉体具有更纯的晶相,此时发光强度达到最大。研究了分别以氯化物和氟化物作为助熔剂对烧结粉体发光效果以及颗粒形貌的影响,结果表明LiCl和NH4F的助熔效果较好。将LiCl和NH4F作为组合助剂,研究了不同组合比例对荧光粉发光性能的影响,实验确定组合比例为1∶1时可得到颗粒分散性较好的窄谱带红光荧光粉,发光强度比未使用助熔剂时提高了近4倍。红色荧光粉(Sr0.96,Eu0.04)LiAl3N4粉体与GAG535绿粉组合进行4000 K白光封装测试,结果表明该器件具有较高的发光效率,显色指数Ra高达91.9,适用于高显色指数的封装方案。 展开更多

关键词 高显色 红光荧光粉 助熔剂

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我国芯片制造业的发展

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作者 蒋昌凌 《电子与封装》 2002年第6期6-7,11,共3页

本文着重阐述了我国芯片制造业的发展现状及其将来的美好前景。

关键词 芯片 制造业 生产线

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金-锗系统欧姆接触制备研究 被引量：4

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作者 杨梦丽 张红欣 于信明 《半导体情报》 2001年第4期32-34,44,共4页

对于 Ga As MESFET和以 Ga As或 In P为衬底的 PHEMT的欧姆接触制备 ,虽均采用 Au-Ge- Ni系统 ,但其合金条件却因材料特性各异而不同。

关键词 MESFET PHEMT 欧姆接触 合金条件 金-锗系统

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最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文) 被引量：1

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作者 张立森 邢东 +5 位作者 徐鹏 梁士雄 王俊龙 王元刚 杨大宝 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第7期161-165,共5页

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制... 由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30μm,源漏间距为2μm。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1 440 mA/mm(V_(GS)=0.4 V),最大峰值跨导为2 230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。 展开更多

关键词 InAs沟道 高电子迁移率晶体管 T型栅 最大振荡频率

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基于AlN单晶衬底的高均匀性AlGaN/GaN HEMT材料研究分析

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作者 李佳 房玉龙 张志荣 《中国标准化》 2024年第S1期325-329,共5页

Ⅲ族氮化物材料中,AlN具有禁带宽度宽、与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,基于AlN单晶衬底的AlGaN/GaNHEMT在射频、功率器件等方面具有巨大的潜力。通过MOCVD在AlN衬底上制备出了高质量、高均匀的AlGaN/GaNHEMT外延材料... Ⅲ族氮化物材料中,AlN具有禁带宽度宽、与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,基于AlN单晶衬底的AlGaN/GaNHEMT在射频、功率器件等方面具有巨大的潜力。通过MOCVD在AlN衬底上制备出了高质量、高均匀的AlGaN/GaNHEMT外延材料。采用高分辨率X射线双晶衍射仪表征GaN晶体质量,GaN(002)晶面摇摆曲线半高宽为69弧秒,(102)晶面摇摆曲线半高宽为534弧秒;非接触霍尔测试结果显示AlN衬底上AlGaN/GaN HEMT外延材料二维电子气迁移率为1572cm^(2)/Vs。此外,利用拉曼测试分析AlN衬底上外延的GaN应力,GaN应力为0.089GPa,远小于蓝宝石或碳化硅衬底上生长的GaN应力。Mapping扫描结果显示,基于AlN单晶的GaN(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽相对标准偏差分别低至2.23%和2.88%,GaN的E2-high峰位相对标准偏差为0.1%,片内晶体质量及应力分布均匀。 展开更多

关键词 AlN单晶 AlGaN/GaN HEMT 均匀性 相对标准偏差

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