SiC MOSFET开关速度快导致其对测试平台的寄生参数较为敏感,而高电压和大电流的特性也为测试平台设计带来挑战。自主设计和搭建了一套集成化和规范化的大功率双脉冲测试平台,利用叠层母排结构的低杂感集成化设计,减小器件过快的开关速...SiC MOSFET开关速度快导致其对测试平台的寄生参数较为敏感,而高电压和大电流的特性也为测试平台设计带来挑战。自主设计和搭建了一套集成化和规范化的大功率双脉冲测试平台,利用叠层母排结构的低杂感集成化设计,减小器件过快的开关速度对主回路寄生电感的影响;通过驱动过欠压保护电路设计,减小大电流密度的影响,保证器件可靠开通和关断。为验证该测试平台的实用性,选取几种国内外不同厂家的SiC MOSFET进行主要动态参数在不同结温下的测试及分析,全面评估了器件动态特性与温度的关系,研究结果对器件的生产和应用具有一定意义。展开更多
