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一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路
被引量:
2
1
作者
王忠
秦世清
+1 位作者
王福学
边国辉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期483-491,共9页
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。...
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路,并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径,抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真,并搭建实验平台进行实测验证,结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下,证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。
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关键词
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
驱动电路
串扰
桥式电路
电路振荡
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职称材料
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
被引量:
1
2
作者
王忠
曹通
+1 位作者
王福学
边国辉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第3期263-271,共9页
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电...
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电容和有源开关管组成。该变换器在主开关管关断期间将开关管的电压浪涌钳位为恒定电压,由于有源开关管驱动信号由变压器的次级侧电流控制,因此不需要单独的控制电路。为验证所提出的变换器和控制电路的有效性,搭建了一个60 W的AC-DC功率变换器,测试结果表明,主开关管的最大电压浪涌约为450 V,具有高达91.6%的能量转换效率。
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关键词
反激式变换器
电压浪涌
自驱动有源缓冲器
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
DC-DC
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职称材料
题名
一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路
被引量:
2
1
作者
王忠
秦世清
王福学
边国辉
机构
无锡职业技术学院汽车与交通学院
江南大学江苏省轻工光电工程技术研究中心
河北东森电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期483-491,共9页
文摘
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路,并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径,抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真,并搭建实验平台进行实测验证,结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下,证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。
关键词
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
驱动电路
串扰
桥式电路
电路振荡
Keywords
GaN high electron mobility transistor(HEMT)
drive circuit
crosstalk
bridge circuit
circuit oscillation
分类号
TN710.4 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
被引量:
1
2
作者
王忠
曹通
王福学
边国辉
机构
无锡职业技术学院汽车与交通学院
江南大学理学院
河北东森电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第3期263-271,共9页
文摘
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电容和有源开关管组成。该变换器在主开关管关断期间将开关管的电压浪涌钳位为恒定电压,由于有源开关管驱动信号由变压器的次级侧电流控制,因此不需要单独的控制电路。为验证所提出的变换器和控制电路的有效性,搭建了一个60 W的AC-DC功率变换器,测试结果表明,主开关管的最大电压浪涌约为450 V,具有高达91.6%的能量转换效率。
关键词
反激式变换器
电压浪涌
自驱动有源缓冲器
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
DC-DC
Keywords
flyback converter
voltage surge
self-driving active buffer
GaN high electron mobility transistor(HEMT)
DC-DC
分类号
TN710.4 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路
王忠
秦世清
王福学
边国辉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
2
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职称材料
2
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
王忠
曹通
王福学
边国辉
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
1
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