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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制被引量：3: 1; 作者陈波陈焱谷德君《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页; 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及... 展开更多; 关键词凸点下金属层湿法刻蚀凸点底切单片机电镀凸点刻蚀速率刻蚀均匀度; 在线阅读下载PDF 职称材料

校企文化与协同培养工程科技人才研究被引量：4: 2; 作者艾红崔玉祥宗润福《黑龙江高教研究》 CSSCI 北大核心 2016年第8期137-140,共4页; 我国高等工程教育体系是随着中国工业化发展进程而形成的,工程科技人才的培养始终坚持走教育与生产劳动相结合、校企产学研合作的道路。校企产学研合作,产教融合协同育人是培养工程科技人才的有效途径。从校企合作的本质需要来看,校企... 展开更多; 关键词校企合作文化融合协同机制; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅片背面铜污染的清洗被引量：4: 3; 作者陈波《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期14-16,87,共4页; H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程... 展开更多; 关键词铜污染湿法单片清洗硅片背面刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于通用旋转组合设计的热板参数分析: 4; 作者王靖震魏猛 +1 位作者刘伟军胡延兵《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期411-414,共4页; 光刻工艺中对热板表面温度场均匀性有极高要求,在热板设计参数选择问题上,通过使用通用旋转组合设计的方法,利用ANSYS仿真模拟软件,得到不同设计参数情况下的热板表面温度场均匀性数据。对仿真结果数据进行回归建模,回归模型计算结果与... 展开更多; 关键词热板温度场回归模型通用旋转组合设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制被引量：3: 1; 作者陈波陈焱谷德君; 机构沈阳芯源微电子设备有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页; 基金国家科技重大专项资助项目(2009ZX02009); 文摘介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。; 关键词凸点下金属层湿法刻蚀凸点底切单片机电镀凸点刻蚀速率刻蚀均匀度; Keywords UBM wet etching undercut single wafer tool electroplating bump etching rate etching uniformity; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TN305.96 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名校企文化与协同培养工程科技人才研究被引量：4: 2; 作者艾红崔玉祥宗润福; 机构哈尔滨理工大学沈阳芯源微电子设备有限公司; 出处《黑龙江高教研究》 CSSCI 北大核心 2016年第8期137-140,共4页; 基金教育部人文社会科学研究项目(工程科技人才专项)"校企协同培养工程人才深度合作机制研究"(编号:15JDGC020) 黑龙江省高等教育教学改革工程项目"基于控制论模型的卓越计划质量评价体系研究"(编号:GJ2014010796)的研究成果; 文摘我国高等工程教育体系是随着中国工业化发展进程而形成的,工程科技人才的培养始终坚持走教育与生产劳动相结合、校企产学研合作的道路。校企产学研合作,产教融合协同育人是培养工程科技人才的有效途径。从校企合作的本质需要来看,校企文化融合能够有效促进二者深度合作机制的形成,使学校与企业从供给和需求的不同角度产生协同育人的内动力。; 关键词校企合作文化融合协同机制; Keywords university-enterprise cooperation culture fusion collaborative mechanism; 分类号 C645 [社会学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅片背面铜污染的清洗被引量：4: 3; 作者陈波; 机构沈阳芯源微电子设备有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期14-16,87,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02008) 科技部国际合作计划(2010DBF10660) 沈阳市科技专项资助项目(Z201001008); 文摘 H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。; 关键词铜污染湿法单片清洗硅片背面刻蚀; Keywords Cu contamination wet process single wafer clean Si wafer backside etching; 分类号 TN305.99 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于通用旋转组合设计的热板参数分析: 4; 作者王靖震魏猛刘伟军胡延兵; 机构中国科学院沈阳自动化研究所中国科学院研究生院沈阳芯源微电子设备有限公司; 出处《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期411-414,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02008-003); 文摘光刻工艺中对热板表面温度场均匀性有极高要求,在热板设计参数选择问题上,通过使用通用旋转组合设计的方法,利用ANSYS仿真模拟软件,得到不同设计参数情况下的热板表面温度场均匀性数据。对仿真结果数据进行回归建模,回归模型计算结果与仿真结果有较高的一致性。结果表明,热板设计参数可以根据该回归模型来选择。; 关键词热板温度场回归模型通用旋转组合设计; Keywords hot plate temperature field regressive model general rotary unitized design; 分类号 TH12 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料