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退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响
被引量：
1
1
作者
支壮志
王博
肇常胜
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期187-190,共4页
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果...
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV 。
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关键词
ZNO薄膜
等离子体增强化学气相沉积
PECVD
退火温度
激子发射
蓝移
在线阅读
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职称材料
题名
退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响
被引量：
1
1
作者
支壮志
王博
肇常胜
机构
沈阳炮兵学院物理教研室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期187-190,共4页
文摘
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV 。
关键词
ZNO薄膜
等离子体增强化学气相沉积
PECVD
退火温度
激子发射
蓝移
Keywords
ZnO thin film,PECVD,Annealing temperature,Exciton emission,Blue shift
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响
支壮志
王博
肇常胜
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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