-
题名基于PI控制器的不确定广义系统的耗散控制
被引量：2
- 1
-
-
作者
黎虹
史书慧
-
机构
沈阳工学院基础教育学院
沈阳工程学院基础教学部
-
出处
《控制工程》
CSCD
北大核心
2018年第9期1634-1637,共4页
-
基金
辽宁省教育厅科学研究一般项目资助(L2015381)
-
文摘
针对参数具有确定性及不确定性的一类广义系统,分别给出严格耗散PI控制器的设计方法。首先针对一类广义系统利用线性矩阵不等式的方法给出使其容许且严格耗散的充要条件,并由线性矩阵不等式的可行解构造出状态反馈PI控制器增益的显式表达式,保证闭环广义系统容许且严格耗散。然后,考虑系数矩阵均具有范数有界不确定性时的鲁棒严格耗散控制问题,给出使其容许且严格耗散的充要条件及状态反馈PI控制器增益的显式表达式,保证闭环广义系统容许且严格耗散。最后用数值例子说明了提出方法的有效性。
-
关键词
广义系统
严格耗散
PI控制器
-
Keywords
Singular system
strictly dissipative
PI controller
-
分类号
O23
[理学—运筹学与控制论]
-
-
题名一类切换奇异系统的相容控制
被引量：2
- 2
-
-
作者
史书慧
黎虹
袁哲理
-
机构
沈阳工程学院基础教学部
沈阳工学院基础教育学院
-
出处
《控制工程》
CSCD
北大核心
2018年第8期1451-1456,共6页
-
基金
国家自然科学基金资助(61203001
61603392)
+1 种基金
辽宁省教育厅一般项目资助(2014525
2015381)
-
文摘
研究了一类切换奇异系统的相容控制问题。奇异子系统进行切换的瞬间,前一个子系统的末状态可能不满足下一个要激活的子系统的相容初始条件,此时会产生瞬时的状态跳变,这种跳变会降低系统的性能,严重时会摧毁整个系统。引进脉冲控制律,完全消除由切换点处不相容初始条件导致的状态跳变。通过特殊的矩阵分解和等价代换,给出任意切换点处的相容初始条件表达式,并提出一个新算法去求解相应的脉冲控制律。数值例子验证了结论的有效性。
-
关键词
切换奇异系统
不一致条件
状态跳变
相容控制
-
Keywords
Switched singular systems
inconsistent condition
state jump
compatible control
-
分类号
TP217
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
-
题名反应溅射TiN纳米晶薄膜的结构特征和耐蚀性
- 3
-
-
作者
曲彬
张金林
贺春林
-
机构
沈阳工学院基础教育学院
沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室
-
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期28-31,53,共5页
-
基金
国家自然科学基金(51171118)
辽宁省高等学校优秀科技人才支持计划(LR2013054)
-
文摘
利用直流反应溅射技术在不锈钢和硅基体上沉积了TiN纳米晶薄膜,采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)和电化学阻抗谱(EIS)技术研究了薄膜的表面形貌、相结构和耐蚀性与偏压的关系。结果表明,TiN薄膜的表面结构明显取决于所施加的偏压,适当提高偏压有利于获得细小、均匀、致密和光滑的膜层。XRD分析发现,TiN薄膜为面心立方结构,其择优取向为(111)面。实验显示,对应0V和-35V偏压的薄膜为欠化学计量比的,而偏压增加至-70V和-105V时的薄膜为化学计量比的TiN。EIS结果表明,较高偏压下的TiN薄膜几乎在整个频率范围内均表现为容抗特征,其阻抗模值明显高于低偏压下的膜层,这主要与较高偏压下的薄膜具有相对致密的微结构有关。较低偏压的TiN薄膜因结构缺陷较多其耐蚀性低于基体不锈钢。EIS所揭示的薄膜结构特征与FESEM观测结果一致。可见,减少穿膜针孔等结构缺陷有利于改善反应溅射TiN纳米晶薄膜耐蚀性。
-
关键词
TIN
纳米晶薄膜
反应溅射
微结构
耐蚀性
-
Keywords
TiN
nanocrystalline thin film
reactive sputtering
microstructure
corrosion resistance
-
分类号
TB79
[一般工业技术—真空技术]
TB37
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
