太阳电池铸造多晶硅材料的结构缺陷及其控制 被引量：5

1

作者 李云明 罗玉峰 +2 位作者 张发云 胡云 王发辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期29-33,共5页

铸造多晶硅具有高的性价比,已成为主要的光伏材料,其晶体内的结构缺陷显著影响太阳电池的转换效率。综述了传统铸造多晶硅太阳电池材料和新型黑硅太阳电池材料的研究进展,同时阐述了控制多晶硅中的杂质、晶界、位错的途径及方法。

关键词 多晶硅 黑硅 结构缺陷 杂质 晶界 位错

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磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展 被引量：5

2

作者 张发云 罗玉峰 +3 位作者 李云明 王发辉 胡云 彭华厦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期15-19,共5页

论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为... 论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。 展开更多

关键词 多晶硅 磁场 杂质 分凝行为 数值模拟

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多晶硅铸锭炉热场结构的改进与模拟 被引量：7

3

作者 罗玉峰 宋华伟 +3 位作者 张发云 饶森林 彭华厦 王发辉 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第13期64-68,共5页

在多晶硅铸锭炉内采用了凹坑坩埚和凹坑坩埚平台组合的改进结构,并结合COMSOL4.3a模拟软件对改进前后的热场做了对比分析。结果表明:与改进前相比,在改进后的热场结构中,硅熔体结晶界面趋于平坦,等温线更加均匀,熔体轴向温度梯度增加了... 在多晶硅铸锭炉内采用了凹坑坩埚和凹坑坩埚平台组合的改进结构,并结合COMSOL4.3a模拟软件对改进前后的热场做了对比分析。结果表明:与改进前相比,在改进后的热场结构中,硅熔体结晶界面趋于平坦,等温线更加均匀,熔体轴向温度梯度增加了大约2 K/cm,有利于柱状晶的生长;硅熔体对流强度增大,可以使溶质分布更加均匀;GL/VS变大、溶质边界层厚度减小,有利于阻碍结晶界面前沿发生组分过冷,进一步抑制结晶界面细晶的产生。 展开更多

关键词 多晶硅 凹坑坩埚 热场 数值模拟

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坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响 被引量：5

4

作者 刘志辉 罗玉峰 +3 位作者 饶森林 胡云 龚洪勇 刘杰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2017年第11期74-77,共4页

运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm... 运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。 展开更多

关键词 多晶硅 温度场 热应力 数值模拟

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加热器位置对多晶硅定向凝固热场的影响 被引量：2

5

作者 罗玉峰 刘杰 +2 位作者 张发云 胡云 宋华伟 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第17期82-84,90,共4页

运用有限元软件COMSOL Multiphysics 4.3a对多晶硅定向凝固过程进行了全局瞬态模拟,在多晶硅铸锭炉顶部加热器与侧部加热器的垂直距离分别为60、150、300 mm时,分析了其对多晶硅熔化以及结晶初期的影响。结果表明:距离为60 mm时硅料熔... 运用有限元软件COMSOL Multiphysics 4.3a对多晶硅定向凝固过程进行了全局瞬态模拟,在多晶硅铸锭炉顶部加热器与侧部加热器的垂直距离分别为60、150、300 mm时,分析了其对多晶硅熔化以及结晶初期的影响。结果表明:距离为60 mm时硅料熔化所需时间最长,而距离为150、300 mm时硅料熔化时间与其相比分别少34、60 min;对于结晶初期的固液界面,距离为60 mm时固液界面接近于平面,有利于多晶硅晶体生长,而距离为150、300 mm时固液界面均呈现明显的凸形,并且后者比前者凸起的程度更大,会降低多晶硅锭的质量。 展开更多

关键词 多晶硅 热场 定向凝固 数值模拟

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坩埚形状对多晶硅定向凝固热流场的影响 被引量：2

6

作者 罗玉峰 饶森林 +2 位作者 张发云 彭华厦 王发辉 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第5期1-4,共4页

采用Comsol Multiphysics模拟软件研究了三种不同形状的坩埚(圆形、底部凹形及倒锥形)对多晶硅定向凝固过程中热场及流场的影响。结果显示:圆形和底部凹形坩埚内熔体的热场差异不大,而与这两种坩埚相比,倒锥形的坩埚可以得到更加均匀的... 采用Comsol Multiphysics模拟软件研究了三种不同形状的坩埚(圆形、底部凹形及倒锥形)对多晶硅定向凝固过程中热场及流场的影响。结果显示:圆形和底部凹形坩埚内熔体的热场差异不大,而与这两种坩埚相比,倒锥形的坩埚可以得到更加均匀的热场分布及平直的固液界面;三种坩埚内熔体底部及侧壁区域的热对流变化基本相同,但熔体中心区域不同;圆形及底部凹形坩埚内中心区域的热对流较弱,而倒锥形坩埚内熔体中心区域的热对流较强,这在一定程度上有利于熔体内杂质的排出。 展开更多

关键词 多晶硅 定向凝固 热场 速度场 数值模拟

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降温速率对升级冶金硅定向凝固生长多晶硅少子寿命的影响 被引量：2

7

作者 刘志辉 罗玉峰 +3 位作者 龚洪勇 饶森林 张发云 胡云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期13-17,共5页

对经过前期提纯的冶金级硅料进行一次性定向凝固生长多晶硅铸锭,研究了长晶阶段降温速率对多晶硅少子寿命的影响。结果显示降温速率越低,获得多晶硅少子寿命越高,但降温速率低到一定程度时,少子寿命反而会降低。通过测试生长多晶硅硅锭... 对经过前期提纯的冶金级硅料进行一次性定向凝固生长多晶硅铸锭,研究了长晶阶段降温速率对多晶硅少子寿命的影响。结果显示降温速率越低,获得多晶硅少子寿命越高,但降温速率低到一定程度时,少子寿命反而会降低。通过测试生长多晶硅硅锭曲率半径、晶体结构等数据,分析了该现象的产生原因。这将有助于升级冶金硅一次性定向凝固生长多晶硅铸锭的生产应用。 展开更多

关键词 多晶硅 冶金硅 定向凝固 降温速率 少子寿命

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稳恒磁场对多晶硅定向凝固晶体生长的影响 被引量：1

8

作者 罗玉峰 宋华伟 +3 位作者 张发云 胡云 彭华厦 饶森林 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第5期58-61,64,共5页

采用基于有限元方法的Comsol 4.3a软件,对有、无稳恒磁场作用时多晶硅定向凝固晶体生长过程进行了模拟分析。根据模拟结果,阐明了稳恒磁场对硅熔体的流场、热场以及固液界面形状的影响。数值计算表明:与未添加磁场相比,施加稳恒磁场后,... 采用基于有限元方法的Comsol 4.3a软件,对有、无稳恒磁场作用时多晶硅定向凝固晶体生长过程进行了模拟分析。根据模拟结果,阐明了稳恒磁场对硅熔体的流场、热场以及固液界面形状的影响。数值计算表明:与未添加磁场相比,施加稳恒磁场后,硅熔体的流动区域变小,最大流速从70.793μm/s下降到了60.623μm/s,减少了14.37%,硅熔体上表面的紊波受到了抑制;硅熔体的轴向温差下降了1/3,径向温差增大了1/3;硅熔体的固液界面趋于平坦,有利于多晶硅晶体生长。 展开更多

关键词 多晶硅 磁场 热场 流场 数值模拟

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多晶硅定向凝固过程中晶体内热应力场的数值模拟 被引量：1

9

作者 罗玉峰 宋华伟 +3 位作者 张发云 胡云 彭华厦 刘杰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第11期75-78,82,共5页

通过基于有限元方法的Comsol Multiphysics 4.3a软件模拟了多晶硅定向凝固过程中的热应力场,分析了炉膛内温度梯度,以及坩埚底部不同倒角半径对晶体内热应力的影响。结果表明:多晶硅晶体中存在两个高热应力区,热应力最大值出现在晶体底... 通过基于有限元方法的Comsol Multiphysics 4.3a软件模拟了多晶硅定向凝固过程中的热应力场,分析了炉膛内温度梯度,以及坩埚底部不同倒角半径对晶体内热应力的影响。结果表明:多晶硅晶体中存在两个高热应力区,热应力最大值出现在晶体底部边缘,其次为靠近晶体顶部边缘处。当炉腔内温度梯度从3 K/cm增加到6 K/cm时,晶体内热应力的平均值从34.18 MPa增加到了56.75 MPa,热应力的平均值增加了66.03%。随着温度梯度的增加,晶体内热应力平均值增长幅度逐渐减小。当坩埚底部倒角半径从10 mm增加到20 mm时,晶体内热应力的平均值从78.12 MPa减小到了63.25 MPa,热应力的平均值减小了19.03%。随着坩埚底部倒角半径的增加,晶体内热应力平均值减小幅度逐渐降低。 展开更多

关键词 多晶硅 热应力 温度梯度 数值模拟

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轴向磁场下多晶硅定向凝固研究 被引量：1

10

作者 刘志辉 罗玉峰 +4 位作者 饶森林 胡云 张发云 龚洪勇 刘杰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第1期88-91,95,共5页

利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有... 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。 展开更多

关键词 多晶硅 定向凝固 数值模拟 轴向磁场 熔体对流

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多晶硅太阳电池扩散工艺影响因素分析 被引量：2

11

作者 刘丹娟 何伟 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1830-1832,共3页

工业生产中普遍采用液态三氯氧磷(POCl3)作为多晶硅太阳电池的扩散磷源。研究了各种工艺参数对扩散方块电阻的大小及均匀性的影响。结果表明:提高扩散温度、增加主扩散时间、减小再分布时间、增加小氮流量、减小大氮流量,可以减小方块电... 工业生产中普遍采用液态三氯氧磷(POCl3)作为多晶硅太阳电池的扩散磷源。研究了各种工艺参数对扩散方块电阻的大小及均匀性的影响。结果表明:提高扩散温度、增加主扩散时间、减小再分布时间、增加小氮流量、减小大氮流量,可以减小方块电阻;合理设置炉管内的温度分布、适当增加大氮流量,可以改善方块电阻的均匀性;氧气流量对方块电阻影响不大。得到了一组优化的扩散工艺参数,测得方块电阻为55.1Ω/□,片内极差为5.6%,片间极差为3.1%。 展开更多

关键词 太阳电池 扩散 方块电阻 均匀性

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勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析 被引量：1

12

作者 罗玉峰 刘杰 +2 位作者 张发云 饶森林 胡云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期110-114 127,127,共6页

利用基于有限元的软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行了一系列二维数值模拟,研究了勾形磁场(CMF)对多晶硅定向凝固过程的影响。模拟分别在线圈电流设为0 A、10 A、20 A、30 A和40 A的情况下进行。结果表明:CMF能有效抑制... 利用基于有限元的软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行了一系列二维数值模拟,研究了勾形磁场(CMF)对多晶硅定向凝固过程的影响。模拟分别在线圈电流设为0 A、10 A、20 A、30 A和40 A的情况下进行。结果表明:CMF能有效抑制熔体的对流,特别是对坩埚侧壁附近的熔体。CMF可以影响结晶时的固液界面,使结晶初期凸形结晶界面变得平滑。电流从0 A逐渐均匀增加到40 A时,施加于熔体上的磁场也逐渐增加,熔体的最高流速逐渐减小,而且最高流速的减小量呈现出先增加后减小的趋势。 展开更多

关键词 定向凝固 磁场 熔体对流 数值模拟 多晶硅

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酸腐蚀多晶硅绒面光学特性的模拟研究 被引量：1

13

作者 张发云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1366-1370,共5页

利用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元软件中的RF模块对酸腐蚀前后多晶硅表面的光学特性进行数值模拟,通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得硅片的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律。结果表明:与初始硅片相比,绒面... 利用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元软件中的RF模块对酸腐蚀前后多晶硅表面的光学特性进行数值模拟,通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得硅片的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律。结果表明:与初始硅片相比,绒面的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值明显偏大,当波长为600nm时,绒面表面电场z分量的最大值和最小值分别为初始硅片的3.2倍和3.5倍,表面磁场y分量两个极值约为初始硅片的7.5倍;初始硅片反射率较高,绒面具有较好的陷光作用,其反射率明显偏小。通过对比实验和模拟结果可知,模拟值和试验值变化趋势基本一致,两者吻合较好,可为实际生产和试验研究提供理论指导。 展开更多

关键词 多晶硅 酸腐蚀 反射率 绒面 数值模拟

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预变形SiC_P/AZ61复合材料在半固态等温热处理时的组织演变 被引量：1

14

作者 张发云 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2013年第16期104-106,109,共4页

采用半固态等温热处理法研究了预变形SiCP/AZ61复合材料的微观组织变化。研究表明,SiCP/AZ61复合材料经15%预变形后,其最佳非枝晶组织的制备工艺参数：加热温度600℃、保温30～60min,这一温度区间可获得均匀、圆整的球状组织;当加热温... 采用半固态等温热处理法研究了预变形SiCP/AZ61复合材料的微观组织变化。研究表明,SiCP/AZ61复合材料经15%预变形后,其最佳非枝晶组织的制备工艺参数：加热温度600℃、保温30～60min,这一温度区间可获得均匀、圆整的球状组织;当加热温度高于605℃时,复合材料试样液相体积分数较高,产生严重变形和流淌,难以满足后续半固态触变成形时的组织要求。变形后SiCP/AZ61复合材料组织演化机制分析表明,在加热初期,晶粒主要呈熔合合并;加热中后期,晶粒主要通过熔化分离、球化并粗化长大。 展开更多

关键词 SICP AZ61复合材料 半固态等温热处理法 组织演变 预变形

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轴向磁场对多晶硅定向凝固过程中热流场的影响

15

作者 宋华伟 罗玉峰 +3 位作者 张发云 胡云 彭华厦 刘杰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第19期79-83,共5页

采用Comsol 4.3a软件建立了轴向磁场作用下多晶硅定向凝固的二维轴对称模型,通过有限元方法将硅熔体中的电磁场、温度场和流速场进行了耦合数值计算。结果表明:当磁场线圈中心面位于熔体中心面下方60 mm处时,其磁场线高密度集中在熔体... 采用Comsol 4.3a软件建立了轴向磁场作用下多晶硅定向凝固的二维轴对称模型,通过有限元方法将硅熔体中的电磁场、温度场和流速场进行了耦合数值计算。结果表明:当磁场线圈中心面位于熔体中心面下方60 mm处时,其磁场线高密度集中在熔体中心面下方强浮力对流区域,且均匀分布。此时硅熔体的最大流速为41μm/s,相比磁场线圈位于熔体中心面上方60 mm处的流速场减小了41.43%。随着磁场强度的增加,硅熔体中等温线越来越稀疏。与未施加磁场相比,轴向温度梯度减小了15 K/cm,硅熔体中的晶体生长速率增加。硅熔体温度梯度与晶体生长速率之比GL/Vs值变小会使得其结晶前沿界面产生组分过冷,导致细晶的生成,这方面有待于进一步的研究。 展开更多

关键词 多晶硅 磁场 温度场 流速场 数值模拟

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多晶硅绒面结构光学特性的数值模拟

16

作者 张发云 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第18期137-140,共4页

基于麦克斯韦方程组和材料本构方程,利用多物理场有限元软件COMSOL Multiphysics 3.5a中的RF模块建立了多坑绒面的有限元模型,并对硅片腐蚀前后的光学特性进行了模拟。研究表明,与硅片腐蚀前相比,腐蚀后(即多坑)绒面反射率较低,功率流y... 基于麦克斯韦方程组和材料本构方程,利用多物理场有限元软件COMSOL Multiphysics 3.5a中的RF模块建立了多坑绒面的有限元模型,并对硅片腐蚀前后的光学特性进行了模拟。研究表明,与硅片腐蚀前相比,腐蚀后(即多坑)绒面反射率较低,功率流y分量较高,具有较好的陷光效果,当波长为800nm时,多坑绒面表面电场z分量的最大值和最小值分别为腐蚀前硅片的3.1倍和2.3倍,而表面磁场y分量两个极值分别为腐蚀前硅片的6倍和6.6倍;通过将模拟结果和实验数据比较可知,多坑模型模拟结果更接近实验值,所获模拟结果可更好地指导实际生产。 展开更多

关键词 多晶硅 多坑 反射率 绒面 数值模拟

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腐蚀时间对多晶硅表面绒面影响研究

17

作者 张发云 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1959-1961,共3页

研究了不同腐蚀时间下多晶硅绒面微观结构的演变规律,检测了其太阳电池电性能参数。研究表明:与110和170 s相比,当腐蚀时间为135 s时,腐蚀深度适中,反射率约16.5%,属正常腐蚀;虽然腐蚀时间为170 s时,腐蚀深度较深,反射率较低(约14.6%),... 研究了不同腐蚀时间下多晶硅绒面微观结构的演变规律,检测了其太阳电池电性能参数。研究表明:与110和170 s相比,当腐蚀时间为135 s时,腐蚀深度适中,反射率约16.5%,属正常腐蚀;虽然腐蚀时间为170 s时,腐蚀深度较深,反射率较低(约14.6%),但从太阳电池电性能来说,腐蚀时间为135 s的太阳电池电性能参数为最优,其转换效率可达16.3%。另外,多晶硅绒面制备过程中,随着腐蚀时间延长,硅片表面微观结构的演变规律为:表面少量微裂纹→浅状气泡状凹坑→均匀性较好的绒面→形成大量小孔和"断裂带"。 展开更多

关键词 多晶硅 酸腐蚀 绒面 腐蚀时间 形貌

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多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟 被引量：2

18

作者 张发云 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1076-1080,共5页

采用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元分析软件中的RF模块对3种硅片绒面的陷阱坑形貌(轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀)的光学性能进行了数值模拟.通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得了3种陷阱坑的表面电场z分量、表面磁场y分量和... 采用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元分析软件中的RF模块对3种硅片绒面的陷阱坑形貌(轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀)的光学性能进行了数值模拟.通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得了3种陷阱坑的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律.结果表明:当波长为600nm时,轻度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最小,反射率最高(约为35%);正常腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量其次,反射率约为17%;过度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最大,反射率最低(约为10%).通过实验和模拟结果对比可知,模拟值和试验值的反射率变化趋势基本一致,两者吻合较好,可为实际生产和试验提供理论参考. 展开更多

关键词 多晶硅 陷阱坑 形貌 陷光 数值模拟

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多晶硅晶体生长中固-液界面研究进展 被引量：1

19

作者 张发云 饶森林 +4 位作者 王发辉 龚洪勇 胡云 陈小会 刘俊 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期2077-2082,共6页

论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展... 论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展望了多晶硅晶体生长过程中固-液界面调控技术的发展前景。 展开更多

关键词 多晶硅 界面 定向生长 杂质 外场

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光伏电站的投资前景分析 被引量：8

20

作者 欧惠 查国君 +1 位作者 李黎明 刘澄宇 《可再生能源》 CAS 北大核心 2012年第10期19-21,25,共4页

在世界各国对太阳能光伏发电鼓励政策引导下,近年来太阳能光伏发电产业呈现出快速发展的势头。文章就建立光伏电站所涉及的电站成本、相关政策和市场状况问题进行了研究分析。在不考虑政府财政补贴的情况下,2008年投资光伏电站每年平均... 在世界各国对太阳能光伏发电鼓励政策引导下,近年来太阳能光伏发电产业呈现出快速发展的势头。文章就建立光伏电站所涉及的电站成本、相关政策和市场状况问题进行了研究分析。在不考虑政府财政补贴的情况下,2008年投资光伏电站每年平均损失115.5万元/MW,当前投资光伏电站每年可平均获得利润33万元/MW。在国内太阳能电站的收益率水平迅速提升的形势下,预计未来5年将是我国太阳能电站投资的黄金时期,建议政府和相关企业抓住机遇,加大光伏电站的投入和建设。 展开更多

关键词 光伏电站 成本 分析

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