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纳米晶体SiC薄膜制备方法研究进展
被引量：
3
1
作者
万明
王炜路
+1 位作者
彭新村
邹继军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期424-433,共10页
纳米晶体Si C凭借其独特的物理、光学及电学特性成为适合在高温、高频、高功率、高辐照环境工作的绝佳半导体材料、核聚变反应堆包层材料和核辐射探测材料。本文对纳米晶体Si C的结构及其特性进行了介绍,综述了目前制备纳米晶体Si C的...
纳米晶体Si C凭借其独特的物理、光学及电学特性成为适合在高温、高频、高功率、高辐照环境工作的绝佳半导体材料、核聚变反应堆包层材料和核辐射探测材料。本文对纳米晶体Si C的结构及其特性进行了介绍,综述了目前制备纳米晶体Si C的主要方法,包括磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、光化学气相沉积法和电子回旋共振化学气相沉积法,并对每种制备方法的工艺条件和材料特性进行了分析和总结。
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关键词
纳米晶体
SIC
制备方法
磁控溅射
化学气相沉积
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职称材料
题名
纳米晶体SiC薄膜制备方法研究进展
被引量：
3
1
作者
万明
王炜路
彭新村
邹继军
机构
江西省
新
能源
工艺及
装备
工程技术
研究
中心
(
东华
理
工大
学
)
核
技术
应用教育部
工程
研究
中心
(
东华
理
工大
学
)
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期424-433,共10页
基金
江西省自然科学基金(20133ACB20005)
教育部科学技术研究重点项目(212090)
+1 种基金
江西省主要学科学术和技术带头人培养对象计划(20142BCB22006)
江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ14488)
文摘
纳米晶体Si C凭借其独特的物理、光学及电学特性成为适合在高温、高频、高功率、高辐照环境工作的绝佳半导体材料、核聚变反应堆包层材料和核辐射探测材料。本文对纳米晶体Si C的结构及其特性进行了介绍,综述了目前制备纳米晶体Si C的主要方法,包括磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、光化学气相沉积法和电子回旋共振化学气相沉积法,并对每种制备方法的工艺条件和材料特性进行了分析和总结。
关键词
纳米晶体
SIC
制备方法
磁控溅射
化学气相沉积
Keywords
Nanocrystalline
SiC
Preparation methods
Magnetron sputtering
Chemical vapor deposition
分类号
TB43 [一般工业技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米晶体SiC薄膜制备方法研究进展
万明
王炜路
彭新村
邹继军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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