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基底材料对MoS2的应变场影响
被引量：
1
1
作者
吴亚俊
周行
《江西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第4期388-393,共6页
利用有限元法分析对生长在Au、Cu、Al2O3、SiO2、Ni这5种不同基底上的层状MoS2的应变分布进行模拟仿真.研究结果表明:基底材料的泊松比不同会使得基底和MoS2的y方向形变都不相同;基底的杨氏模量不同会使得不同基底底部与二硫化钼(MoS2)...
利用有限元法分析对生长在Au、Cu、Al2O3、SiO2、Ni这5种不同基底上的层状MoS2的应变分布进行模拟仿真.研究结果表明:基底材料的泊松比不同会使得基底和MoS2的y方向形变都不相同;基底的杨氏模量不同会使得不同基底底部与二硫化钼(MoS2)顶部的应变差别不同.在膨胀过程中,y方向底端的拉伸应变大于中间的拉伸应变,这会导致基底与顶端应变高于中间的应变.因此,基底材料的杨氏模量和泊松比与MoS2的应变分布密切相关.根据仿真结果可得,由于MoS2在Au和SiO2基底上所受到的应变较小,导致MoS2的顶端和基底底部应变差较大,因此容易造成剥离脱落;而在Al2O3基底上,由于基底材料具有较高的杨氏模量,且与MoS2比较接近,所以MoS2顶端和基底底部呈现的应变差接近.由此可见,在这些材料当中,Al2O3更适合作为MoS2的基底材料.通过研究基底材料的应变场分布,能更好地对纳米材料进行调控,从而改善器件的相关性能.
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关键词
基底
MOS2
杨氏模量
泊松比
应变
有限元
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职称材料
题名
基底材料对MoS2的应变场影响
被引量：
1
1
作者
吴亚俊
周行
机构
江西师范大学
物理与通信电子学院
江西师范大学微纳材料与传感器件重点实验室
出处
《江西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第4期388-393,共6页
基金
国家自然科学基金(51761017,51661012,51461019)资助项目
文摘
利用有限元法分析对生长在Au、Cu、Al2O3、SiO2、Ni这5种不同基底上的层状MoS2的应变分布进行模拟仿真.研究结果表明:基底材料的泊松比不同会使得基底和MoS2的y方向形变都不相同;基底的杨氏模量不同会使得不同基底底部与二硫化钼(MoS2)顶部的应变差别不同.在膨胀过程中,y方向底端的拉伸应变大于中间的拉伸应变,这会导致基底与顶端应变高于中间的应变.因此,基底材料的杨氏模量和泊松比与MoS2的应变分布密切相关.根据仿真结果可得,由于MoS2在Au和SiO2基底上所受到的应变较小,导致MoS2的顶端和基底底部应变差较大,因此容易造成剥离脱落;而在Al2O3基底上,由于基底材料具有较高的杨氏模量,且与MoS2比较接近,所以MoS2顶端和基底底部呈现的应变差接近.由此可见,在这些材料当中,Al2O3更适合作为MoS2的基底材料.通过研究基底材料的应变场分布,能更好地对纳米材料进行调控,从而改善器件的相关性能.
关键词
基底
MOS2
杨氏模量
泊松比
应变
有限元
Keywords
base
MoS2
Young′s modulus
Poisson′s ratio
strain
finite element method
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基底材料对MoS2的应变场影响
吴亚俊
周行
《江西师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
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