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CdS/SiO_2纳米棒核/壳结构的制备和发光性能 被引量:13
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作者 匡汉茂 邓兆祥 +3 位作者 李春辉 孙晓明 庄京 李亚栋 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期477-480,共4页
利用在醇介质中氨水催化水解硅酸乙酯(TEOS)制备SiO2来包覆半导体CdS纳米棒而形成CdS/SiO2核/壳结构.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)证实SiO2包覆壳层为非晶,且壳层厚度随TEOS浓度的增大而增加,在10~30nm之间.并研究了其紫外... 利用在醇介质中氨水催化水解硅酸乙酯(TEOS)制备SiO2来包覆半导体CdS纳米棒而形成CdS/SiO2核/壳结构.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)证实SiO2包覆壳层为非晶,且壳层厚度随TEOS浓度的增大而增加,在10~30nm之间.并研究了其紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)的性质. 展开更多
关键词 核/壳结构 制备 发光性能 CDS纳米棒 半导体 复合结构 发光光谱 硫化镉 二氧化硅
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CdS/MS(M=Ag,Pb,Cu,Zn)半导体纳米复合结构的制备 被引量:8
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作者 匡汉茂 邓兆祥 +2 位作者 李春辉 孙晓明 李亚栋 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第2期133-137,共5页
利用金属硫化物在水溶液中溶度积的差异和通过水热及超声波等辅助方式,利用离子置换法与共沉淀法,对CdS纳米棒上金属离子(Cd2+)的部分置换而对纳米微粒进行侵蚀或包覆,形成镶嵌式点缀结构或完全包覆层的异质核-壳结构CdS/MS(M=Ag+,Cu2+,... 利用金属硫化物在水溶液中溶度积的差异和通过水热及超声波等辅助方式,利用离子置换法与共沉淀法,对CdS纳米棒上金属离子(Cd2+)的部分置换而对纳米微粒进行侵蚀或包覆,形成镶嵌式点缀结构或完全包覆层的异质核-壳结构CdS/MS(M=Ag+,Cu2+,Pb2+,Zn2+)。使用XRD和TEM对所得样品进行了表征。 展开更多
关键词 硫化镉 离子置换法 共沉淀法 核-壳结构 硫化镉 半导体纳米复合结构 制备 表征 CDS
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