采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga_2O_3含量为3wt.%的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜...采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga_2O_3含量为3wt.%的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响。结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86%,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18×10-3Ω·cm,性能指数ΦTC为4.73×10^(-3)Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 e V减少到3.56 e V。在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4Ω·cm,可见光透过率峰值为81%。展开更多
文摘采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga_2O_3含量为3wt.%的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响。结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86%,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18×10-3Ω·cm,性能指数ΦTC为4.73×10^(-3)Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 e V减少到3.56 e V。在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4Ω·cm,可见光透过率峰值为81%。
