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氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性被引量：18: 1; 作者袁宁一李金华林成鲁《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期572-575,共4页; 氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了V2 O5和VO2 薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性。; 关键词氧化钒薄膜相变热电阻温度系数功能材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO用作铁电薄膜电极的研究被引量：6: 2; 作者李金华陈汉松 +2 位作者李坤汤国英陈王丽华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页; 研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法... 展开更多; 关键词 ITO薄膜铁电电容电极 SOL-GEL法 FERAM 随机存; 在线阅读下载PDF 职称材料

PT/P(VDF-TrFE)复合膜及悬空结构热释电传感器研究被引量：3: 3; 作者李金华李坤 +2 位作者陈燕陈王丽华蔡忠龙《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第3期190-195,共6页; 将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ... 展开更多; 关键词复合材料热释电传感器共聚物悬空结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

绝压式BESOI负压传感器研制: 4; 作者李金华孙慷 +5 位作者蒋美萍周倜冒建军焦继传陆德仁王渭源《传感技术学报》 CAS CSCD 1995年第2期50-54,共5页; 采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10^(-6)/℃(FS).; 关键词负压传感器键合 BESOI 传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性被引量：18: 1; 作者袁宁一李金华林成鲁; 机构江苏石油化工学院功能材料实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期572-575,共4页; 基金中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室资助; 文摘氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了V2 O5和VO2 薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性。; 关键词氧化钒薄膜相变热电阻温度系数功能材料; Keywords thin films of vanadium oxides metal semiconductor phase transition thermal coefficient of resistance; 分类号 TB43 [一般工业技术] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO用作铁电薄膜电极的研究被引量：6: 2; 作者李金华陈汉松李坤汤国英陈王丽华; 机构江苏石油化工学院功能材料实验室香港理工大学电子工程系香港理工大学应用物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页; 基金香港GRC(大学研究基金会)资金资助项目; 文摘研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。; 关键词 ITO薄膜铁电电容电极 SOL-GEL法 FERAM 随机存; Keywords indium-tin oxide electrode of ferroelectric capacitor sol-gel method; 分类号 TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PT/P(VDF-TrFE)复合膜及悬空结构热释电传感器研究被引量：3: 3; 作者李金华李坤陈燕陈王丽华蔡忠龙; 机构江苏石油化工学院功能材料实验室香港理工大学应用物理系及材料研究中心; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第3期190-195,共6页; 基金香港研究基金委员会; 文摘将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。; 关键词复合材料热释电传感器共聚物悬空结构; Keywords nanocomposites,　pyroelectric　sensor,　suspended　membrane　structure,　copolymer; 分类号 TB330.3 [一般工业技术—材料科学与工程] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名绝压式BESOI负压传感器研制: 4; 作者李金华孙慷蒋美萍周倜冒建军焦继传陆德仁王渭源; 机构江苏石油化工学院功能材料实验室常州半导体厂中国科学院上海冶金研究所传感技术国家实验室; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 1995年第2期50-54,共5页; 基金中科院传感技术国家实验室资助项目; 文摘采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10^(-6)/℃(FS).; 关键词负压传感器键合 BESOI 传感器; Keywords negative pressure transducer BESOI; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性	袁宁一李金华林成鲁	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	18	在线阅读下载PDF 职称材料
2	ITO用作铁电薄膜电极的研究	李金华陈汉松李坤汤国英陈王丽华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	PT/P(VDF-TrFE)复合膜及悬空结构热释电传感器研究	李金华李坤陈燕陈王丽华蔡忠龙	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1998	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	绝压式BESOI负压传感器研制	李金华孙慷蒋美萍周倜冒建军焦继传陆德仁王渭源	《传感技术学报》 CAS CSCD	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料