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缺血性脑损伤与瞬时受体电位M通道的研究进展 被引量:1
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作者 史翠霞 曹伟 +2 位作者 张珂 尹纪娟 陈蕾 《中国医药科学》 2014年第5期46-49,共4页
缺血性脑血管病是临床常见病、多发病,其发病机制复杂。钙超载在缺血性脑损伤中起重要作用。瞬时受体电位M通道(transient receptor potential melastatin,TRPM)是位于细胞膜上的一类重要的非选择性阳离子通道超家族,对钙离子有较高的... 缺血性脑血管病是临床常见病、多发病,其发病机制复杂。钙超载在缺血性脑损伤中起重要作用。瞬时受体电位M通道(transient receptor potential melastatin,TRPM)是位于细胞膜上的一类重要的非选择性阳离子通道超家族,对钙离子有较高的通透性,在缺血性脑损伤中起重要作用,对TRPM通道的研究将成为治疗缺血性脑损伤新的靶点。本文就胞内钙离子超载在缺血性脑损伤中的作用、TRPM通道及其参与的缺血性脑损伤的机制予以综述。 展开更多
关键词 脑缺血 钙超载 瞬时受体电位M通道
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