溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质 被引量：4

1

作者 王季魁 沈明荣 +1 位作者 方亮 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.02... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶铅 多层膜 介电性质

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TiN/NbN纳米多层薄膜的交变应力场和超硬效应 被引量：6

2

作者 赖倩茜 虞晓江 +2 位作者 戴嘉维 李戈扬 宁兆元 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期313-316,共4页

为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构... 为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 。 展开更多

关键词 纳米多层薄膜 超硬效应 TiN/NbN超晶格薄膜 调制结构 超硬度 交变应力场 氮化钛 氮化铌

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低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究 被引量：3

3

作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 葛水兵 徐冬梅 张可达 张雪梅 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期96-98,共3页

在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。... 在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。但是４种薄膜经等离子体处理后其亲水性变化的程度并不相同，按照接触角减小的程度来排序依次为聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂。这意味着，等离子体辐照有机薄膜对其亲水性改善的效果依赖于薄膜本身的表面结构。 展开更多

关键词 有机高分子膜 等离子体 表面改性 薄膜 低湿氧

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高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究 被引量：1

4

作者 陈息林 余涛 +2 位作者 吴雪梅 董尧君 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1335-1338,1341,共5页

利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。 展开更多

关键词 高K栅介质 TA2O5 MOSFET器件 微结构 电学性质

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高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应 被引量：3

5

作者 孙华 李振亚 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2005年第4期407-429,共23页

颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况... 颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 展开更多

关键词 自旋极化 颗粒边界 磁电阻 半金属

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低掺铝TiN薄膜的XPS，XRD分析研究 被引量：1

6

作者 辛煜 宁兆元 +2 位作者 金宗明 薛青 范叔平 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期377-380,共4页

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果... 本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。 展开更多

关键词 薄膜 择优取向 XPS XRD 钛铝薄膜

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高K栅介质材料的研究现状与前景 被引量：1

7

作者 余涛 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 葛水兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第21期25-29,共5页

论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。 展开更多

关键词 高K栅介质 HFO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件

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钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究 被引量：5

8

作者 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期403-404,共2页

采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都... 采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低 。 展开更多

关键词 铁电薄膜 钛酸镧铅 溶胶-凝胶法 铁电性能 介电性能

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逾渗驱动的高自旋极化氧化物材料磁电阻增强效应——网络效应与调控

9

作者 蔡田怡 雎胜 +1 位作者 孙华 李振亚 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第1期50-71,共22页

锰氧化物具有内禀的多尺度非均匀性,这与同时活跃的多个自由度——自旋、电荷、晶格和轨道——非线性耦合,以及多种相互作用的共存密切相关。更重要的是,这种极为特殊的物理现象可能是庞磁电阻效应的微观起源——铁磁金属相在磁场作用... 锰氧化物具有内禀的多尺度非均匀性,这与同时活跃的多个自由度——自旋、电荷、晶格和轨道——非线性耦合,以及多种相互作用的共存密切相关。更重要的是,这种极为特殊的物理现象可能是庞磁电阻效应的微观起源——铁磁金属相在磁场作用下的逾渗而驱动的磁电阻效应。另一方面,在某组分导电逾渗阈值附近的磁电阻显著增强效应,是高自旋极化氧化物颗粒体系所具有的普遍现象之一。因此,针对各种高自旋极化氧化物的非均匀和颗粒复合体系,逾渗驱动磁电阻增强效应的研究具有重要的学术意义和应用价值,其中输运网络理论为重要的理论研究。在充分认识电磁输运微观机制的基础之上,通过调控输运网络的结构,探讨逾渗驱动磁电阻增强的必要条件,可以找出实现可控性高且幅值较大的磁电阻的新途径、新方法。本文主要基于电阻网络模型,综述高自旋极化氧化物材料中多相共存体系的磁输运性质研究的主要背景和发展现状,充分结合相关的实验结果,介绍逾渗驱动磁电阻效应增强的物理机制,以及各类电输运网络的构建,并展望未来的发展。 展开更多

关键词 自旋极化 磁电阻 网络效应 半金属 逾渗

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SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征

10

作者 辛煜 鲁涛 +4 位作者 黄壮雄 濮林 施毅 宁兆元 郑有炓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期36-38,42,共4页

本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1... 本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右. 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体 a-薄膜 红外光谱 光学性能

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氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光

11

作者 石旺舟 欧阳艳东 +1 位作者 吴雪梅 姚伟国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期71-74,共4页

采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立... 采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50～ 4 0 0nm、50 0～ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。 展开更多

关键词 非晶硅基薄膜 荧光 PECVD SiDx:H SiOxNy:H 发光材料

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C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究

12

作者 辛煜 范叔平 +2 位作者 吴建新 金宗明 杨礼富 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期351-354,共4页

以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该... 以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。 展开更多

关键词 多弧离子法 高速钢 薄膜

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沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响 被引量：8

13

作者 蒋平 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 吴兆丰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期560-563,共4页

采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）... 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 透射率 光学带隙 PL谱

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新型锂电池正极材料的制备及电化学性能研究 被引量：5

14

作者 张晖 郑分刚 +2 位作者 李德成 沈明荣 张茜 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期366-369,共4页

采用水热法以及后退火处理合成了锂离子电池正极材料Lix/3+1Ni1/2-x/2-y/2Mnx/6+1/2-y/2CryO2(0≤x≤1,0≤y<0.4,x+y≤1)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及恒电流充放电测试,研究了复合材料的晶体... 采用水热法以及后退火处理合成了锂离子电池正极材料Lix/3+1Ni1/2-x/2-y/2Mnx/6+1/2-y/2CryO2(0≤x≤1,0≤y<0.4,x+y≤1)。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及恒电流充放电测试,研究了复合材料的晶体结构、形貌以及电化学性能,并考察了不同原料配比对材料电化学性能的影响。实验结果表明,制得的Lix/3+1-Ni1/2-x/2-y/2Mnx/6+1/2-y/2CryO2正极材料结晶度高,粒度分布均匀。其中,样品Li1.1833Ni0.2Mn0.5667Cr0.05O2的首次充放电比容量最高,分别为153.5 mAh/g和213.8 mAh/g[电压范围为2.0～5.0 V(vs.Li+/Li),充放电倍率为0.2 C];样品Li1.2Ni0.2-Mn0.6O2则体现出优异的循环稳定性。 展开更多

关键词 正极材料 锂离子电池 高电压 水热法

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微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究 被引量：2

15

作者 贺洁 辛煜 +2 位作者 叶超 宁兆元 孙钢 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2010-2013,共4页

非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a... 非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si1-xCx∶H)。薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征。结果表明,在等离子体发射光谱中H、CH谱线强度随CH4流量的增加而增强,而SiH谱线强度则呈现相反的变化趋势。红外结构表明随着气体流量比R的增加,薄膜由富硅态向富碳态转变,薄膜结构的转变是薄膜光学带隙及其介电常数变化的根本原因。 展开更多

关键词 微波电子回旋共振等离子体 非晶碳化硅 红外光谱 介电常数

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CCP/ICP混合放电C_4F_8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响 被引量：1

16

作者 吴明智 金成刚 +3 位作者 王飞 黄天源 吴雪梅 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期744-747,共4页

室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团... 室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构;但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小。 展开更多

关键词 AZO CCP ICP 绒面结构 发射光谱

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基片下磁场对溅射薄膜宏观形貌的影响 被引量：1

17

作者 储开慧 狄国庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期330-331,共2页

通过屏蔽传统磁控溅射设备阴极内的磁场和在基片下放置永磁铁，使来自基片下的磁场发挥作用，研究了此外加磁场在溅射过程中对薄膜沉积所产生的影响。用这种方法沉积出的Cu、Al的薄膜的宏观形貌为：膜的中央有一圆斑，在圆斑的外围有环... 通过屏蔽传统磁控溅射设备阴极内的磁场和在基片下放置永磁铁，使来自基片下的磁场发挥作用，研究了此外加磁场在溅射过程中对薄膜沉积所产生的影响。用这种方法沉积出的Cu、Al的薄膜的宏观形貌为：膜的中央有一圆斑，在圆斑的外围有环。Al薄膜的中央圆斑处没有物质，为空白圆斑；而Cu薄膜的中央圆斑处有物质。对这一实验现象的产生机理，初步认为是成膜粒子在磁场中表现出的波动性。 展开更多

关键词 磁控溅射 膜厚 梯度磁场

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锂硫电池的研究现状与展望 被引量：10

18

作者 皮华滨 王传新 +1 位作者 汪建华 吴雪梅 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期113-115,共3页

从电解质体系研制、锂负极改性、硫系正极材料制备等3个方面,介绍了近年来锂硫电池的研究现状,并对发展前景进行了展望。

关键词 锂硫电池 电解质 锂负极 正极材料

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偏压对多弧离子镀TiN膜层的影响 被引量：7

19

作者 辛煜 范叔平 +3 位作者 宁兆元 杨礼富 薛青 金宗明 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第1期8-10,共3页

主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏... 主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏压下钛滴趋于细化。划痕试验表明:在150～200V偏压下膜层的临界载荷最佳。 展开更多

关键词 多弧离子镀 喷镀 氮化钛 离子镀 镀膜 偏压

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放电参量对电负性容性耦合等离子体电子密度的影响 被引量：5

20

作者 唐中华 洪布双 +1 位作者 徐东升 辛煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期84-90,共7页

利用微波共振探针对40.68 MHz单射频容性耦合SF6、Cl2、O2/Ar电负性等离子体电子密度进行了诊断测量。首先,将微波共振探针在Ar等离子体中的测量结果与朗缪尔探针结果进行对比,确定微波共振探针精确测量的实用范围;其次,运用微波共振探... 利用微波共振探针对40.68 MHz单射频容性耦合SF6、Cl2、O2/Ar电负性等离子体电子密度进行了诊断测量。首先,将微波共振探针在Ar等离子体中的测量结果与朗缪尔探针结果进行对比,确定微波共振探针精确测量的实用范围;其次,运用微波共振探针的测量方法详细研究了放电参量对电负性容性耦合等离子体电子密度的影响。结果发现,电负性气体如SF6、Cl2、O2掺入到Ar等离子体中,均大幅度降低了等离子体的电子密度,强电负性气体的掺入对电子密度的下降尤为明显,随着电负性气体的不断掺入,电子密度趋于稳定值。文中也解释了射频放电功率和放电气压对电子密度造成的影响。 展开更多

关键词 等离子体 电负性气体 微波共振探针 电子密度

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