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材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
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作者 谢自力 张荣 +9 位作者 刘斌 姬小利 李亮 修向前 江若琏 龚海梅 赵红 韩平 施毅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1060-1062,共3页
采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DB... 采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的A lGaN/A lN DBR材料。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜 反射率 AlxGa1-x N/AlN 金属有机化学汽相沉积
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MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜 被引量:2
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作者 刘斌 张荣 +12 位作者 谢自力 张禹 李亮 张曾 刘启佳 姚劲 周建军 姬小利 修向前 江若琏 韩平 郑有炓 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期964-966,970,共4页
本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微... 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微镜(AFM)测量得到所有A lGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现,A lGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制,随A l组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射(RBS)两种方法确定A lGaN薄膜的A l组分,发现A l组分与摩尔比TMA l/(TMGa+TMA l)关系为线性,说明在优化的生长条件下,A l原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。 展开更多
关键词 金属有机物化学汽相淀积 ALGAN 薄膜生长
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AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长 被引量:1
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作者 李亮 张荣 +14 位作者 谢自力 张禹 修向前 姬小利 刘成祥 毕朝霞 陈琳 周建军 刘斌 韩平 江若琏 顾书林 施毅 龚海梅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期891-893,共3页
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
关键词 ALGAN GAN 分布布拉格反射镜 MOCVD
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退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响 被引量:5
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作者 陈晓清 谢自力 +5 位作者 张荣 修向前 顾书林 韩平 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期24-27,共4页
利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。
关键词 纳米ZNO薄膜 发光特性 硅衬底 退火温度 发光性能 C轴取向 发光强度 紫外 溶胶-凝胶法 锌矿
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Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长 被引量:1
5
作者 姚靖 谢自力 +8 位作者 刘斌 韩平 张荣 江若琏 刘启佳 徐峰 龚海梅 施毅 郑有炓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期971-973,980,共4页
文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保... 文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着A l组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现A l组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升;Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而A l组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型A l0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。 展开更多
关键词 金属有机物化学汽相淀积 Mg掺杂 P型AlGaN RAMAN光谱
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