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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管传感器的栅极功能化处理方法综述
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作者 王浩宇 郭焱 +3 位作者 周玉刚 陈敦军 张荣 郑有炓 《材料导报》 北大核心 2025年第13期38-47,共10页
半导体场效应晶体管(FET)在传感器中的应用是当前传感领域的热门研究方向之一。以AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)等为代表,FET传感器在检测限、灵敏度、特异性和操作便捷性等方面均优势明显,且易于集成化。器件传感表面的功能化处... 半导体场效应晶体管(FET)在传感器中的应用是当前传感领域的热门研究方向之一。以AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)等为代表,FET传感器在检测限、灵敏度、特异性和操作便捷性等方面均优势明显,且易于集成化。器件传感表面的功能化处理是器件制造的核心工艺之一,是场效应晶体管传感器后续发展的重要方向。本文综述了国内外基于AlGaN/GaN HEMT的传感器栅极功能化处理方法的研究进展,分别对气体、溶液离子和生物物质检测等常用的处理方法进行了介绍,并指出了一些现有处理手段中存在的局限性,展望了未来相关研究的部分发展方向。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 栅极功能化处理 气体探测 离子敏传感器 生物传感
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宽带隙半导体材料光电性能的测试
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作者 郭媛 陈鹏 +4 位作者 孟庆芳 于治国 杨国锋 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期817-820,共4页
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发... 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 展开更多
关键词 光致发光 深能级 自由激子 束缚激子 多量子阱 蓝移
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USB2.0 IP核功能验证的研究和应用 被引量:4
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作者 侯大志 李丽 +1 位作者 何书专 吴志刚 《电子测量技术》 2009年第4期75-79,共5页
本文从验证平台模型的构建出发,完成了对一款USB2.0 IP核的功能验证。文中列举了部分验证代码和实例,在测试用例中着重对UTMI接口,微处理器接口和RAM接口等进行了详细描述,最后给出了仿真波形和验证结果报告,从中可以看出USB2.0 IP核的... 本文从验证平台模型的构建出发,完成了对一款USB2.0 IP核的功能验证。文中列举了部分验证代码和实例,在测试用例中着重对UTMI接口,微处理器接口和RAM接口等进行了详细描述,最后给出了仿真波形和验证结果报告,从中可以看出USB2.0 IP核的代码覆盖率达到了100%,结果令人满意。文中对验证方法学进行了研究和实践,实现了测试向量的可读性,验证结果的自动生成和可观测性,验证思想可以在相关设计中复用。 展开更多
关键词 USB2.0 IP核 接口 验证
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AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 被引量:2
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作者 谢自力 张荣 +7 位作者 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期727-729,共3页
用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明... 用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率。 展开更多
关键词 MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN
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大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 被引量:2
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作者 王新强 黎大兵 +2 位作者 刘斌 孙钱 张进成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1305-1309,共5页
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界... 高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。 展开更多
关键词 氮化镓 大失配 强极化 生长动力学 载流子调控
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八通道多协议串行通信控制器的功能验证
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作者 周吉吉 何书专 +3 位作者 李伟 娄孝祥 张仲金 李丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1036-1040,共5页
超大规模集成电路芯片的验证是一项复杂的任务,占据了整个芯片设计工作量的70%。实现了一款八通道多协议串行通信控制器芯片的功能验证,介绍了基于总线功能模型验证平台的建立方法,并根据此芯片的设计特点,研究了该芯片的验证策略,设计... 超大规模集成电路芯片的验证是一项复杂的任务,占据了整个芯片设计工作量的70%。实现了一款八通道多协议串行通信控制器芯片的功能验证,介绍了基于总线功能模型验证平台的建立方法,并根据此芯片的设计特点,研究了该芯片的验证策略,设计了验证平台,同时完成了芯片的后仿真和样片测试。实践证明,该验证策略具有较高的功能覆盖率,验证平台具有较好的复用性,对同类具有复杂通信协议电路的功能验证有一定的参考价值。 展开更多
关键词 功能验证 验证平台 总线功能模型
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面向能耗和延时的NoC映射方法 被引量:46
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作者 杨盛光 李丽 +1 位作者 高明伦 张宇昂 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期937-942,共6页
随着对NoC平台研究的逐步深入,如何将规模庞大的应用合理地映射到NoC半台上成为亟待解决的问题之一.本文基于二维网格结构NoC平台,建立了旨在优化系统通信能耗和执行时间的统一目标函数.提出了通过优化链路负载分布间接优化延时的... 随着对NoC平台研究的逐步深入,如何将规模庞大的应用合理地映射到NoC半台上成为亟待解决的问题之一.本文基于二维网格结构NoC平台,建立了旨在优化系统通信能耗和执行时间的统一目标函数.提出了通过优化链路负载分布间接优化延时的方法,避免了NoC等待延时精确建模的难题.并且采用蚁群算法实现了面向能耗和延时的NoC映射.调整参数λ,可以选择单一目标或者联合目标优化.本文还对映射结果进行了执行时间模拟.实验结果显示:与随机映射相比,单一目标优化在通信能耗和执行时间上分别能节省(30%~47%)和(20%~39%),而联合目标优化则能在能量支配的映射方案中进一步挖掘时间维度的潜力. 展开更多
关键词 片上网络 映射 能耗 延时 蚁群算法
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3D NoC映射问题的动态蚁群算法 被引量:10
8
作者 王佳文 李丽 +4 位作者 易伟 潘红兵 张宇昂 侯宁 张荣 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第9期1614-1620,共7页
3D NoC映射通常涉及大量IP核及节点,使传统映射算法效率较低.为减少映射算法的执行时间,提高其优化能力,在传统蚁群算法(ACA)的基础上,提出一种动态蚁群算法(DACA).该算法采用逻辑斯蒂S形函数的变化形式,在每轮迭代开始前,依据当前... 3D NoC映射通常涉及大量IP核及节点,使传统映射算法效率较低.为减少映射算法的执行时间,提高其优化能力,在传统蚁群算法(ACA)的基础上,提出一种动态蚁群算法(DACA).该算法采用逻辑斯蒂S形函数的变化形式,在每轮迭代开始前,依据当前迭代次数动态调整参数α,β及蚂蚁总数M.实验结果表明,与ACA相比,DACA可以缩短执行时间,提高算法性能;在面向随机任务时,其单位时间优化能力可以提升38.2%~65.9%;而当面向多媒体系统的真实应用时,其单位时间优化能力可以提升25.3%~32.7%. 展开更多
关键词 3D片上网络 映射 动态蚁群算法
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基于QEMU的可重构专用处理器模拟器实现 被引量:6
9
作者 李可生 杨博 +3 位作者 徐天伟 李丽 何书专 潘红兵 《计算机工程与设计》 北大核心 2016年第5期1335-1339,共5页
针对基于SystemC的可重构专用处理器模拟器在整个系统的仿真时(包括操作系统、驱动、API及应用程序)耗时久、影响开发进度的问题,提出一种基于QEMU的模拟器设计方法。根据可重构专用处理器的功能特点和系统架构,对可重构专用处理器进行... 针对基于SystemC的可重构专用处理器模拟器在整个系统的仿真时(包括操作系统、驱动、API及应用程序)耗时久、影响开发进度的问题,提出一种基于QEMU的模拟器设计方法。根据可重构专用处理器的功能特点和系统架构,对可重构专用处理器进行抽象,利用在仿真速度上优势明显的QEMU,设计并实现一个在功能和内部存储上精确的模拟器。实验测试结果表明,该模拟器提高了全系统仿真时的速度,在硬件开发板尚未就位前,为软件开发人员提供了一个可以进行软件开发和测试的平台,提高了开发效率。 展开更多
关键词 QEMU 虚拟机 可重构专用处理器 模拟器 全系统仿真
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一种低电压、高增益电荷泵 被引量:4
10
作者 杨盛光 何书专 +2 位作者 高明伦 李伟 周松明 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第8期2001-2005,共5页
电荷泵在低压电路中扮演着重要的角色。作为片上电荷泵,其面临的主要问题是:电压增益、电压纹波和面积效率。该文提出了一种新型的电荷泵电路,它采用辅助电荷泵、电平转移电路结构来产生不同摆幅的时钟,该时钟被用来驱动开关管的栅极,... 电荷泵在低压电路中扮演着重要的角色。作为片上电荷泵,其面临的主要问题是:电压增益、电压纹波和面积效率。该文提出了一种新型的电荷泵电路,它采用辅助电荷泵、电平转移电路结构来产生不同摆幅的时钟,该时钟被用来驱动开关管的栅极,以有效控制开关管的电导,提高电压增益。由于采用PMOS管作为开关管,传输过程中避免了阈值电压损失。仿真结果显示,与以往文献中提到的电荷泵结构相比,该电荷泵具有更高的电压增益,开启时间短,纹波小,在低压应用环境优势更为突出。 展开更多
关键词 电荷泵 电压增益 开关管 阈值电压 电导
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多处理器NoC仿真平台 被引量:4
11
作者 杨盛光 李丽 +3 位作者 张宇昂 王佳文 董岚 高明伦 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第19期6043-6047,共5页
面向多媒体和无线通讯领域的多处理器片上系统(MPSoC)对通信带宽的要求与日俱增,于是片上网络(NoC)被提出来满足这种要求。在NoC设计初期,建立一个速度、精度满足要求,能支持设计空间探索的仿真平台显得尤为重要。采用SystemC建模和仿... 面向多媒体和无线通讯领域的多处理器片上系统(MPSoC)对通信带宽的要求与日俱增,于是片上网络(NoC)被提出来满足这种要求。在NoC设计初期,建立一个速度、精度满足要求,能支持设计空间探索的仿真平台显得尤为重要。采用SystemC建模和仿真环境,建立了一个完整的多处理器NoC仿真平台,包括处理器模型、通信结构模型、存储器模型和并行编程支持软件,并且提出了基于该平台的设计方法学和应用开发流程。在仿真平台支持下,面向各种应用的多处理器NoC设计空间探索和原型验证等研究变得不再困难。DCT、FFT和JPEG解码器三种算法被用来作为案例在该平台上实现,验证了以上提出的仿真平台及其设计方法学。 展开更多
关键词 多处理器 系统芯片 片上网络 仿真平台 设计方法学
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基于“包-电路交换”的片上网络回退转向路由算法 被引量:6
12
作者 李丽 万健 +4 位作者 王佳文 潘红兵 许俊 孙敏敏 侯宁 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2759-2763,共5页
采用"包-电路交换"的片上路由器,链路的建立通过发送请求包完成,而数据的传输则采用电路形式。传统的路由算法已经不能很好地适应基于"包-电路交换"的片上网络(NoC)新特性。该文根据"包-电路交换"的NoC... 采用"包-电路交换"的片上路由器,链路的建立通过发送请求包完成,而数据的传输则采用电路形式。传统的路由算法已经不能很好地适应基于"包-电路交换"的片上网络(NoC)新特性。该文根据"包-电路交换"的NoC的特点,提出了一种新的路由算法——回退转向(RT)路由算法,以改善NoC性能。实验结果表明,与动态XY路由算法相比,回退转向路由算法使得网络平均吞吐量和平均包延迟最大分别改善26.7%和11.6%。 展开更多
关键词 片上网络(NoC) 路由算法 “包-电路交换”
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基于i.MX6的LED异步控制系统软件设计 被引量:3
13
作者 杨博 李可生 +3 位作者 何书专 李伟 李丽 潘红兵 《计算机工程与设计》 北大核心 2016年第6期1478-1484,共7页
为满足户外LED屏幕对异步控制的需求,利用面向对象的设计方法,设计实现一款基于i.MX6处理器的LED全彩异步控制系统嵌入式软件。提出基于多线程的事件队列和基于插件的GStreamer流媒体播放系统等技术方案;利用嵌入式Linux环境下可移植库... 为满足户外LED屏幕对异步控制的需求,利用面向对象的设计方法,设计实现一款基于i.MX6处理器的LED全彩异步控制系统嵌入式软件。提出基于多线程的事件队列和基于插件的GStreamer流媒体播放系统等技术方案;利用嵌入式Linux环境下可移植库的特性,实现对上位机发送的数据进行灵活的动态化处理,以及对多种格式的多媒体节目播放的异步控制;在性能上优化开机时间和播放策略。测试结果表明,该方案拥有较好用户体验,满足了设计需求。 展开更多
关键词 面向对象 多线程 流媒体播放 异步控制 嵌入式软件
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基于拥塞预测的NoC自适应仲裁方法 被引量:2
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作者 杨盛光 李丽 +3 位作者 徐懿 张宇昂 娄孝祥 高明伦 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2009年第2期652-654,659,共4页
传统用于总线系统或互联网的仲裁方法已不能很好地适应NoC应用环境。围绕NoC系统性能的关键影响因素——拥塞状态,提出了一种基于全局和本地拥塞预测的仲裁策略(GLCA),以改善NoC网络延迟。实验结果表明,相对于RR方法,新仲裁算法使得网... 传统用于总线系统或互联网的仲裁方法已不能很好地适应NoC应用环境。围绕NoC系统性能的关键影响因素——拥塞状态,提出了一种基于全局和本地拥塞预测的仲裁策略(GLCA),以改善NoC网络延迟。实验结果表明,相对于RR方法,新仲裁算法使得网络平均包延迟和平均吞吐量最大分别可改善20.5%和8%,并且在不同负载条件下都保持了其优势。综合结果显示,GLCA与RR方法相比,路由器仅在组合逻辑上有少许增加(25.7%)。 展开更多
关键词 片上网络 仲裁方法 拥塞 延迟 拥塞区域
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Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 被引量:10
15
作者 孔月婵 郑有炓 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期127-145,共19页
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二... 本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率
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MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征 被引量:2
16
作者 李亮 张荣 +11 位作者 谢自力 张禹 修向前 刘成祥 毕朝霞 陈琳 刘斌 俞慧强 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1118-1121,共4页
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上... 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。 展开更多
关键词 MOCVD InxGa1-xN 薄膜 缓冲层
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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响 被引量:2
17
作者 陈刚 陈雪兰 +2 位作者 柏松 李哲洋 韩平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期247-249,共3页
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1... 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。 展开更多
关键词 4H-SIC 缺陷 肖特基二极管 理想因子 势垒高度 测试
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基于总线的片上多处理器SoC仲裁算法研究 被引量:3
18
作者 徐懿 杜高明 +3 位作者 李丽 蒋召宇 张冰 高明伦 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z3期2415-2418,共4页
为了探寻在不同的系统负载和系统约束下选择最佳的仲裁算法方案,本文以固定优先级、轮转优先级、混合优先级、加权随机算法4种仲裁算法为载体,在一个包括操作系统在内的软件支持的可配置的片上多处理器系统平台中,研究不同类型通讯任务... 为了探寻在不同的系统负载和系统约束下选择最佳的仲裁算法方案,本文以固定优先级、轮转优先级、混合优先级、加权随机算法4种仲裁算法为载体,在一个包括操作系统在内的软件支持的可配置的片上多处理器系统平台中,研究不同类型通讯任务要求下对系统性能的影响。以任务完成时间为标准得出以下结论:(1)独立任务下带OS的MPSoC采用可调的加权随机仲裁算法性能最好;(2)流水线任务下不带OS的MPSoC采用轮转优先级仲裁算法性能较佳;(3)在不同类型的通讯任务下轮转优先级算法表现稳定;(4)总线负载较重的情况下混合优先级算法表现出色。另外,本文还对仲裁算法对系统实时性的影响进行了阐述。 展开更多
关键词 多处理器SoC 仲裁算法 通讯任务
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基于统计时分复用技术的三维片上网络 被引量:2
19
作者 王佳文 李丽 +2 位作者 潘红兵 李伟 张荣 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第10期2501-2507,共7页
在片上网络(Network on Chip,NoC)系统中,本地子系统通常基于总线结构,而全局通信则由基于包交换的网络构成。然而,由于总线和网络之间通讯机制的差异,当本地子系统内各核访问全局资源的时候,系统整体性能将下降。在3D NoC中,由于全局... 在片上网络(Network on Chip,NoC)系统中,本地子系统通常基于总线结构,而全局通信则由基于包交换的网络构成。然而,由于总线和网络之间通讯机制的差异,当本地子系统内各核访问全局资源的时候,系统整体性能将下降。在3D NoC中,由于全局网络规模的扩大,该问题将越发显著。对此,该文提出一种基于统计时分复用(Statistical Time Division Multiplex,STDM)技术的3D NoC架构。该架构首先在本地子系统引入STMD控制单元,然后在网络接口设计中增加了计数及等待机制,并对路由节点针对STDM技术进行了优化设计,以增强对STDM的支持,减小总线、网络间的差异。同时,该文还充分利用STDM帧的特点,设计了一种新的数据包格式,以进一步降低全局通信的网络负荷。为证明新方案的高效,该文采用SystemC语言进行系统级建模,仿真结果表明:该方案在降低网络负荷、减小通信延时方面有着显著效果。最佳情况下,两者可以分别降低为传统方案的45%和20.5%。而实际应用中,尤其对于通信密集型应用而言,该方法的改善效果也同样明显。 展开更多
关键词 3D片上网络 统计时分复用 层次化存储架构
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MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜 被引量:2
20
作者 刘斌 张荣 +12 位作者 谢自力 张禹 李亮 张曾 刘启佳 姚劲 周建军 姬小利 修向前 江若琏 韩平 郑有炓 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期964-966,970,共4页
本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微... 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13<x<0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的A lN插入层有效地调节了A lGaN层与GaN支撑层的应力,使A lGaN表面平整无裂纹,原子力显微镜(AFM)测量得到所有A lGaN薄膜粗糙度均小于1nm。通过原位干涉谱发现,A lGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制,随A l组分升高逐渐降低。利用X射线衍射和卢瑟福背散射(RBS)两种方法确定A lGaN薄膜的A l组分,发现A l组分与摩尔比TMA l/(TMGa+TMA l)关系为线性,说明在优化的生长条件下,A l原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制。 展开更多
关键词 金属有机物化学汽相淀积 ALGAN 薄膜生长
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