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微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜
被引量：
3
1
作者
陈修勇
辛煜
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期163-168,共6页
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片...
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。
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关键词
微波电子回旋共振等离子体
非晶碳化硅
红外光谱
光学带隙
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职称材料
题名
微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜
被引量：
3
1
作者
陈修勇
辛煜
机构
江苏省仪征技师学院
苏州大学薄膜材料实验室物理科学与技术
学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期163-168,共6页
文摘
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。
关键词
微波电子回旋共振等离子体
非晶碳化硅
红外光谱
光学带隙
Keywords
Microwave electron cyclotron resonance plasma
a-SixC1-x：H
Infrared spectroscopy
Optical band gap
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜
陈修勇
辛煜
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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