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AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析被引量：1: 1; 作者陈欢欢张贺秋 +9 位作者邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期90-95,共6页; AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN HEMT 高温栅偏置应力栅极泄漏电流机制; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测: 2; 作者叶宇帆张贺秋 +4 位作者夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页; 采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.T... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真放大增益小信号模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 3; 作者王东盛郭文平 +8 位作者张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期225-229,共5页; 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相沉积紫光发光二极管 GAN发光二极管电子阻挡层超晶格; 在线阅读下载PDF 职称材料

企业并购涉及的财务问题分析被引量：2: 4; 作者谢志坚《财会月刊》北大核心 2007年第2期21-22,共2页; 企业并购大致可分为企业并购前的准备、企业并购实际操作和企业并购后的整合三个阶段。第一阶段涉及的财务问题有：制定企业并购的财目标与财务战略；分析评估目标企业；选择并购支付方式。第二阶段涉及的财务问题是为并购谈判提供信息... 展开更多; 关键词企业并购财务问题并购支付方式实际操作财务战略目标企业信息支持会计处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析被引量：1: 1; 作者陈欢欢张贺秋邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院元旭半导体科技股份有限公司江苏新广联科技股份有限公司中国科学院高能物理研究所; 出处《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期90-95,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)。; 文摘 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.; 关键词 AlGaN/GaN HEMT 高温栅偏置应力栅极泄漏电流机制; Keywords AlGaN/GaN HEMT high temperature gate bias stress mechanism of gate leakage current; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测: 2; 作者叶宇帆张贺秋夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院元旭半导体科技股份有限公司江苏新广联科技股份有限公司中国科学院高能物理研究所; 出处《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146)。; 文摘采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.TCAD的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaN HEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaN HEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6 200倍.; 关键词 AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真放大增益小信号模型; Keywords AlGaN/GaN HEMT TCAD simulation amplification gain small signal model; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 3; 作者王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同; 机构大连理工大学物理与光电学院江苏新广联科技股份有限公司中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期225-229,共5页; 文摘利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。; 关键词金属有机物化学气相沉积紫光发光二极管 GAN发光二极管电子阻挡层超晶格; Keywords metal organic chemical vapor deposition violet light emitting diodes GaN light emitting diodes electron blocking layer super lattice; 分类号 TN312.08 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名企业并购涉及的财务问题分析被引量：2: 4; 作者谢志坚; 机构江苏新广联科技股份有限公司; 出处《财会月刊》北大核心 2007年第2期21-22,共2页; 文摘企业并购大致可分为企业并购前的准备、企业并购实际操作和企业并购后的整合三个阶段。第一阶段涉及的财务问题有：制定企业并购的财目标与财务战略；分析评估目标企业；选择并购支付方式。第二阶段涉及的财务问题是为并购谈判提供信息支持。第三阶段涉及的财务问题主要是进行企业并购的会计处理。笔者拟对上述财务问题进行探讨，以抛砖引玉。; 关键词企业并购财务问题并购支付方式实际操作财务战略目标企业信息支持会计处理; 分类号 F271 [经济管理—企业管理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析	陈欢欢张贺秋邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟	《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测	叶宇帆张贺秋夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟	《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)	王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	企业并购涉及的财务问题分析	谢志坚	《财会月刊》北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料