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题名具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
被引量：2
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作者
庄翔
张超
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机构
江苏捷捷微电子股份有限公司
捷捷半导体有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期199-204,共6页
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文摘
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降。该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备。与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88%,电流密度555 A/cm^(2)下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100μA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02μA。该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求。
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关键词
沟槽肖特基势垒二极管
正向压降
反向电流
电流密度
方形扁平无引脚(DFN)封装
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Keywords
trench Schottky barrier diode
forward voltage drop
reverse current
current density
quad flat no-lead(DFN)package
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分类号
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
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