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16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制
1
作者
李金华
袁宁一
陈王丽华
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003年第3期45-48,共4页
用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位...
用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址。用 6μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离。用 4 0nm厚的Ni Cr膜作面阵的上电极及吸收层。测得该面阵单元在 6 0 0Hz下探测率峰值为 2 .6× 10 7cmHz1/2 /W。
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关键词
纳米陶瓷/聚合物
复合敏感膜
热释电面阵
探测率
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职称材料
离子束增强沉积二氧化钒薄膜和器件的研究进展
2
作者
李金华
袁宁一
《科学技术与工程》
2004年第1期46-48,共3页
用改进了的离子束增强沉积方法从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 ,薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理 ,介绍了薄膜工艺的优化、薄膜性能测试和理论模拟的主要结果。
关键词
离子束增强沉积
二氧化钒薄膜
非制冷红外成像
研究进展
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职称材料
题名
16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制
1
作者
李金华
袁宁一
陈王丽华
机构
江苏工业学院信息科学系功能材料实验室
香港理工大学应用物理
系
及
材料
研究中心
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003年第3期45-48,共4页
文摘
用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 [P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址。用 6μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离。用 4 0nm厚的Ni Cr膜作面阵的上电极及吸收层。测得该面阵单元在 6 0 0Hz下探测率峰值为 2 .6× 10 7cmHz1/2 /W。
关键词
纳米陶瓷/聚合物
复合敏感膜
热释电面阵
探测率
Keywords
infrared imaging, pyroelectric array, homogenous sensing film
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN219 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
离子束增强沉积二氧化钒薄膜和器件的研究进展
2
作者
李金华
袁宁一
机构
江苏工业学院信息科学系功能材料实验室
出处
《科学技术与工程》
2004年第1期46-48,共3页
基金
国家自然科学基金 ( 10 175 0 2 7)和 ( 60 2 770 19)资助
文摘
用改进了的离子束增强沉积方法从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 ,薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理 ,介绍了薄膜工艺的优化、薄膜性能测试和理论模拟的主要结果。
关键词
离子束增强沉积
二氧化钒薄膜
非制冷红外成像
研究进展
Keywords
VO 2 film Ion Beam Enhanced Deposition uncooled infrared imaging
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制
李金华
袁宁一
陈王丽华
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
离子束增强沉积二氧化钒薄膜和器件的研究进展
李金华
袁宁一
《科学技术与工程》
2004
0
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职称材料
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