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纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究
被引量：
3
1
作者
沈思国
丁建宁
+3 位作者
潘海彬
凌智勇
程广贵
范真
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2010年第10期62-64,共3页
利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性,设计出超微压压力传感器芯片结构:双岛—梁—膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐反应分析、瞬态分析,结果表明:该结构具有灵敏度高、线性度好、动态响应快等优点。
关键词
纳米硅薄膜
超微压压力传感器
结构
性能
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职称材料
题名
纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究
被引量：
3
1
作者
沈思国
丁建宁
潘海彬
凌智勇
程广贵
范真
机构
江苏
大学
微
纳
米研究
中心
江苏工业学院低维材料微纳器件与系统中心
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2010年第10期62-64,共3页
基金
江苏省科技支撑计划资助项目(BE2009123)
文摘
利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性,设计出超微压压力传感器芯片结构:双岛—梁—膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐反应分析、瞬态分析,结果表明:该结构具有灵敏度高、线性度好、动态响应快等优点。
关键词
纳米硅薄膜
超微压压力传感器
结构
性能
Keywords
nano-silicon thin film
uhraminiatured pressure sensor
structure
properties
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究
沈思国
丁建宁
潘海彬
凌智勇
程广贵
范真
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2010
3
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