为缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应引起的电路老化,提高电路可靠性,提出一种在电路待机状态下应用输入向量约束的门替换方法.运用动态和静态的NBTI模型进行感知NBTI的静态时序分析,确定潜在关...为缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应引起的电路老化,提高电路可靠性,提出一种在电路待机状态下应用输入向量约束的门替换方法.运用动态和静态的NBTI模型进行感知NBTI的静态时序分析,确定潜在关键路径,考虑路径相关性的关键门算法以确定关键门,并生成能使关键门最大限度处于恢复阶段的输入向量.对输入向量无法控制的关键门采用门替换方法进行内部控制.对ISCAS标准电路的实验结果表明,电路时序余量为5%时,该方法的平均门替换率降低到9.68%,时延改善率提高到39.65%.展开更多
文摘为缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应引起的电路老化,提高电路可靠性,提出一种在电路待机状态下应用输入向量约束的门替换方法.运用动态和静态的NBTI模型进行感知NBTI的静态时序分析,确定潜在关键路径,考虑路径相关性的关键门算法以确定关键门,并生成能使关键门最大限度处于恢复阶段的输入向量.对输入向量无法控制的关键门采用门替换方法进行内部控制.对ISCAS标准电路的实验结果表明,电路时序余量为5%时,该方法的平均门替换率降低到9.68%,时延改善率提高到39.65%.
