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题名一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法
被引量：12
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作者
梁华国
陶志勇
李扬
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机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
合肥工业大学计算机与信息学院
江苏商贸职业学校信息系
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2013年第11期1011-1017,共7页
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基金
国家自然科学基金(61274036
61106037
+3 种基金
61106038)
国家教育部博士点基金(20110111120012)
安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2010A280)
江苏省高校"青蓝工程"项目(2010121312)
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文摘
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法。首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换。基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11%,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题。
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关键词
负偏置温度不稳定性
门替换
电路老化
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Keywords
negative bias temperature instability
gate replacement
circuit aging
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分类号
TP379.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN3
[电子电信—物理电子学]
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题名考虑路径相关性的TG-based缓解电路老化
被引量：4
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作者
徐辉
何洋
李丹青
李扬
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机构
安徽理工大学计算机科学与工程学院
江苏南通商贸职业学校信息系
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2018年第4期187-192,共6页
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基金
国家自然科学基金(61404001,61306046)
国家自然科学基金面上项目(61371025)资助
+1 种基金
安徽省高校省级自然科学研究重大项目(KJ2014ZD12)
淮南市科技计划(2013A4011)
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文摘
负偏置温度不稳定性(NBTI)效应促使晶体管的阈值电压不断升高,老化加剧,最终造成电路时序违规。现有的用于缓解由NBTI引起的电路老化插入传输门(TG-based)技术,在获取关键门时只考虑电路中单条路径的老化情况,而未考虑门与保护路径之间的相关关系,因此获取的关键门存在冗余。针对这一问题,在充分考虑门与保护路径之间的相关关系后,定义权值,更加精准的识别路径中的关键门集合,再对关键门进行插入传输门保护。实验结果显示,当电路的时序余量为5%时,电路的平均时延改善率为38.18%,面积开销相比现有方案平均改善了61.8%。
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关键词
负偏置温度不稳定性
传输门
关键门
路径相关性
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Keywords
negative bias temperature instability
transmission gate
critical gate
path correlation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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