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题名考虑路径相关性的TG-based缓解电路老化
被引量：4
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作者
徐辉
何洋
李丹青
李扬
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机构
安徽理工大学计算机科学与工程学院
江苏南通商贸职业学校信息系
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2018年第4期187-192,共6页
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基金
国家自然科学基金(61404001,61306046)
国家自然科学基金面上项目(61371025)资助
+1 种基金
安徽省高校省级自然科学研究重大项目(KJ2014ZD12)
淮南市科技计划(2013A4011)
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文摘
负偏置温度不稳定性(NBTI)效应促使晶体管的阈值电压不断升高,老化加剧,最终造成电路时序违规。现有的用于缓解由NBTI引起的电路老化插入传输门(TG-based)技术,在获取关键门时只考虑电路中单条路径的老化情况,而未考虑门与保护路径之间的相关关系,因此获取的关键门存在冗余。针对这一问题,在充分考虑门与保护路径之间的相关关系后,定义权值,更加精准的识别路径中的关键门集合,再对关键门进行插入传输门保护。实验结果显示,当电路的时序余量为5%时,电路的平均时延改善率为38.18%,面积开销相比现有方案平均改善了61.8%。
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关键词
负偏置温度不稳定性
传输门
关键门
路径相关性
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Keywords
negative bias temperature instability
transmission gate
critical gate
path correlation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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