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GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展
1
作者
朱霞
王霄
+6 位作者
王文倩
李杨
李秋璇
闫大为
刘璋成
陈治伟
敖金平
《电子与封装》
2024年第11期64-72,共9页
GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点,已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势,将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段,也是Ga...
GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点,已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势,将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段,也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气(2DHG)的GaN基P型器件的发展进程,论述了P型器件面临的技术难题,进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性,讨论了相关的GaN集成工艺平台,对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。
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关键词
GAN
二维空穴气
P型器件
互补逻辑集成
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职称材料
GaN芯片封装技术研究进展与趋势
2
作者
宋海涛
王霄
+7 位作者
龚平
朱霞
李杨
刘璋成
闫大为
陈治伟
尤杰
敖金平
《电子与封装》
2025年第3期123-133,共11页
作为第三代半导体材料,GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性,正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而,其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战,同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN...
作为第三代半导体材料,GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性,正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而,其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战,同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案,包括晶体管外形(TO)封装、四边扁平无引线(QFN)封装等分立器件封装结构,晶圆级封装(WLP)、多芯片模块(MCM)合封器件封装结构以及诸多先进封装技术。分析了封装技术的发展趋势,如集成化、模块化封装,以及面向高频、高功率应用的优化方法。随着技术的不断突破,GaN封装有望在更高效、更可靠的方向上取得进一步进展,以满足不断增长的市场需求。
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关键词
GAN
芯片封装
先进封装
散热
寄生电感
3D集成
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职称材料
题名
GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展
1
作者
朱霞
王霄
王文倩
李杨
李秋璇
闫大为
刘璋成
陈治伟
敖金平
机构
江南大学
集成电路
学院
江南大学
集成电路
学院
物联网技术应用教育部
工程
研究
中心
江南大学集成电路学院江苏省智能传感器与专用集成电路工程研究中心
出处
《电子与封装》
2024年第11期64-72,共9页
基金
国家自然科学基金(62104183,61991442)
江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023007-1)
中央高校基本科研业务费(JUSRP123057,JUSRP123058,JUSRP123059)。
文摘
GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点,已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势,将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段,也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气(2DHG)的GaN基P型器件的发展进程,论述了P型器件面临的技术难题,进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性,讨论了相关的GaN集成工艺平台,对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。
关键词
GAN
二维空穴气
P型器件
互补逻辑集成
Keywords
GaN
two-dimensional hole gas
P-type device
complementary logic integration
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
GaN芯片封装技术研究进展与趋势
2
作者
宋海涛
王霄
龚平
朱霞
李杨
刘璋成
闫大为
陈治伟
尤杰
敖金平
机构
江南大学集成电路学院江苏省智能传感器与专用集成电路工程研究中心
江南大学
集成电路
学院
物联网技术应用教育部
工程
研究
中心
无锡华润安盛科技有限公司
出处
《电子与封装》
2025年第3期123-133,共11页
基金
国家自然科学基金(62104183,61991442)
江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023007-1)
中央高校基本科研业务费(JUSRP123057,JUSRP123058,JUSRP123059)。
文摘
作为第三代半导体材料,GaN因其高电子迁移率、高击穿场强等优异特性,正被广泛应用于高频、高功率电子器件。然而,其封装技术面临诸如热管理、电气性能优化以及封装可靠性等挑战,同时还需要满足更紧凑、更集成的需求。重点讨论了目前GaN芯片封装的多种解决方案,包括晶体管外形(TO)封装、四边扁平无引线(QFN)封装等分立器件封装结构,晶圆级封装(WLP)、多芯片模块(MCM)合封器件封装结构以及诸多先进封装技术。分析了封装技术的发展趋势,如集成化、模块化封装,以及面向高频、高功率应用的优化方法。随着技术的不断突破,GaN封装有望在更高效、更可靠的方向上取得进一步进展,以满足不断增长的市场需求。
关键词
GAN
芯片封装
先进封装
散热
寄生电感
3D集成
Keywords
GaN
chip packaging
advanced packaging
heat dissipation
parasitic inductance
3D integration
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展
朱霞
王霄
王文倩
李杨
李秋璇
闫大为
刘璋成
陈治伟
敖金平
《电子与封装》
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
GaN芯片封装技术研究进展与趋势
宋海涛
王霄
龚平
朱霞
李杨
刘璋成
闫大为
陈治伟
尤杰
敖金平
《电子与封装》
2025
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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