InSe是一种新兴的二维层状材料,具有多种优异的光学特性。随着层数的降低,带隙从近红外逐步变到可见(1.26 e V到2.11 e V),如此大的可调谐的带隙和高本征迁移率,让其在光电探测领域有着良好的应用前景。但是研究发现,InSe在空气中不稳定...InSe是一种新兴的二维层状材料,具有多种优异的光学特性。随着层数的降低,带隙从近红外逐步变到可见(1.26 e V到2.11 e V),如此大的可调谐的带隙和高本征迁移率,让其在光电探测领域有着良好的应用前景。但是研究发现,InSe在空气中不稳定,易被氧化,很大的限制了其应用。而石墨烯具有极宽的光谱吸收范围和高电子迁移率,同时具有理论上97.7%的透光率。因此石墨烯-InSe复合体系能够充分将石墨烯优异的电子传输特性以及InSe突出的光学吸收特性结合起来,从而提升光电性能。本文首先利用干法转移制备了石墨烯和InSe的异质结构,然后通过阶段式退火处理调控了两者之间的相互作用,研究发现随着退火时间的加长,被石墨烯覆盖的InSe荧光强度逐渐降低,说明二者之间相互作用逐渐增强,InSe中更多的电子转移到石墨烯中,极大的提升其光电特性。该结果为异质结相互作用的调控以及光电性能的提升提供了非常好的途径。展开更多
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射...运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020cm^(-3),晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×10^(16)cm^(-3),以ZnO为TCO层且Zn O的功函数低于4.4 e V时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%。展开更多
随着集成电路特征尺寸的逐步缩小,随之而来快速增长的软错误率严重限制了现代微处理器的应用,因此对微处理器可靠性进行评估十分重要。在微处理器体系结构级进行软错误易感性评估能反映出微处理器部件的可靠性,提出基于Simple Sim-ARM...随着集成电路特征尺寸的逐步缩小,随之而来快速增长的软错误率严重限制了现代微处理器的应用,因此对微处理器可靠性进行评估十分重要。在微处理器体系结构级进行软错误易感性评估能反映出微处理器部件的可靠性,提出基于Simple Sim-ARM模拟器对微处理器体系结构级进行软错误易感性评估的方法,可用于对ARM体系结构微处理器进行软错误易感性评估。根据提出方法对Strong ARM SA-11xx进行软错误易感性分析,实验结果表明,在基准配置情况下,存储部件中寄存器文件的平均AVF值为57.76%;非存储部件发射队列(IQ)、保留站与重定序缓冲(RUU)与功能单元(FU)的平均AVF值分别为38.53%、32.02%和12.39%。在不同配置下,IQ和RUU部件容量越大,对应部件AVF评估值越小;FU数量越多,该部件AVF评估值越小。展开更多
文摘InSe是一种新兴的二维层状材料,具有多种优异的光学特性。随着层数的降低,带隙从近红外逐步变到可见(1.26 e V到2.11 e V),如此大的可调谐的带隙和高本征迁移率,让其在光电探测领域有着良好的应用前景。但是研究发现,InSe在空气中不稳定,易被氧化,很大的限制了其应用。而石墨烯具有极宽的光谱吸收范围和高电子迁移率,同时具有理论上97.7%的透光率。因此石墨烯-InSe复合体系能够充分将石墨烯优异的电子传输特性以及InSe突出的光学吸收特性结合起来,从而提升光电性能。本文首先利用干法转移制备了石墨烯和InSe的异质结构,然后通过阶段式退火处理调控了两者之间的相互作用,研究发现随着退火时间的加长,被石墨烯覆盖的InSe荧光强度逐渐降低,说明二者之间相互作用逐渐增强,InSe中更多的电子转移到石墨烯中,极大的提升其光电特性。该结果为异质结相互作用的调控以及光电性能的提升提供了非常好的途径。
文摘运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020cm^(-3),晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×10^(16)cm^(-3),以ZnO为TCO层且Zn O的功函数低于4.4 e V时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%。
文摘随着集成电路特征尺寸的逐步缩小,随之而来快速增长的软错误率严重限制了现代微处理器的应用,因此对微处理器可靠性进行评估十分重要。在微处理器体系结构级进行软错误易感性评估能反映出微处理器部件的可靠性,提出基于Simple Sim-ARM模拟器对微处理器体系结构级进行软错误易感性评估的方法,可用于对ARM体系结构微处理器进行软错误易感性评估。根据提出方法对Strong ARM SA-11xx进行软错误易感性分析,实验结果表明,在基准配置情况下,存储部件中寄存器文件的平均AVF值为57.76%;非存储部件发射队列(IQ)、保留站与重定序缓冲(RUU)与功能单元(FU)的平均AVF值分别为38.53%、32.02%和12.39%。在不同配置下,IQ和RUU部件容量越大,对应部件AVF评估值越小;FU数量越多,该部件AVF评估值越小。
