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湿度传感元件制备、封装及检测电路设计的研究进展被引量：3: 1; 作者丁书聪黄宜明 +2 位作者王晓梁峻阁顾晓峰《电子与封装》 2021年第1期24-32,共9页; 湿度传感器是一种用于感知环境湿度参数的器件,在气象探测、农业种植、工业制造、馆藏存储等领域应用广泛。湿度传感器的检测特性主要由湿敏材料、检测电极、封装及检测电路共同决定,其中湿敏材料的材料特性和结构特征对传感性能的影响... 展开更多; 关键词湿度传感器湿敏材料封装检测电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究: 2; 作者金宁陈雷雷 +3 位作者李金晓周浩闫大为顾晓峰《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第4期300-304,共5页; 相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气密度更高,更适合射频微波通信应用。然而,In0.17Al0.83N/GaN HEMTs的外延片材料往往存在较高的位错密度,... 展开更多; 关键词 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管栅电流击穿微光显微镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究: 3; 作者鹿存莉谈威 +2 位作者季颖赵琳娜顾晓峰《电子与封装》 2023年第9期60-64,共5页; 通过拟合变温电流-电压试验数据,研究了SiCMOSFET的正向和反向栅极漏电流传输机制。1)正向和反向高偏压下的栅电流由FN(Fowler-Nordheim)隧穿机制主导,得到SiC/SiO_(2)界面的电子势垒高度范围分别为2.58~2.69eV和3.02~3.26eV。2)正向高... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 电流传输机制 FN隧穿势垒高度; 在线阅读下载PDF 职称材料

电流型图像传感器的低失调电流读出电路: 4; 作者高点点虞致国顾晓峰《微电子学与计算机》 2024年第12期85-91,共7页; 电流型图像传感器将光信号转换为电流信号,在读出阶段需要将像素单元偏置成固定电压以保证其处于线性区。针对电流型图像传感器读出电路的钳位电压误差问题,设计了一种基于开关电容的低失调电流读出电路,包含钳位模块、失调修正模块和... 展开更多; 关键词电流型图像传感器读出电路钳位电压开关电容低失调; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种面向RISC-V的检查点和回滚恢复容错方法被引量：2: 5; 作者常龙鑫郭俊 +2 位作者洪广伟虞致国顾晓峰《电子与封装》 2020年第10期30-36,共7页; 随着特征尺寸的不断减小,CMOS集成电路更容易受到软错误的影响,可靠性设计已成为处理器设计中的重要考虑因素之一。基于对RISC-V特权级别、系统上下文、映射方法的研究,提出了一种面向RISC-V处理器的检查点和回滚恢复方法,并基于此实现... 展开更多; 关键词软错误可靠性设计 RISC-V 检查点和回滚恢复; 在线阅读下载PDF 职称材料

温和氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀: 6; 作者沈钢肖少庆 +1 位作者张秀梅顾晓峰《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期970-974,984,共6页; 本文采用一种简单有效的方法对石墨烯进行处理,可将多层石墨烯减薄为单层或任意层。采用自主研发的温和等离子体系统,以氢气作为先驱气体对多层石墨烯进行处理,再对处理过的样品进行高温退火。研究表明,温和氢气等离子体能利用氢离子的... 展开更多; 关键词石墨烯减薄温和等离子体拉曼各向异性; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS: 7; 作者蒋志林王旭锋 +1 位作者于平平姜岩峰《电子器件》 CAS 北大核心 2022年第1期7-12,共6页; 设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco T... 展开更多; 关键词鳍状栅极击穿电压比导通电阻 Silvaco TCAD; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向存算ADC阵列的比较器失调校准电路: 8; 作者许鑫虞致国 +2 位作者黄合磊钟啸宇顾晓峰《微电子学与计算机》 2023年第12期87-94,共8页; 提出了一种面向存算模数转换器(ADC)阵列的动态比较器全局失调校准电路,采用数字辅助的模拟微调技术,并结合阵列式应用特点全局共用校准电压.校准过程分为粗校准和细校准周期,提高了校准速度和精度.粗校准利用6-bit计数器和数模转换器(D... 展开更多; 关键词存算阵列列级模数转换器动态比较器失调校准; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿度传感元件制备、封装及检测电路设计的研究进展被引量：3: 1; 作者丁书聪黄宜明王晓梁峻阁顾晓峰; 机构江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心; 出处《电子与封装》 2021年第1期24-32,共9页; 基金国家自然科学基金青年项目(61903160) 江苏省自然科学基金青年项目(BK20190581) 中国博士后科学基金第67批面上资助(2020M6171439); 文摘湿度传感器是一种用于感知环境湿度参数的器件,在气象探测、农业种植、工业制造、馆藏存储等领域应用广泛。湿度传感器的检测特性主要由湿敏材料、检测电极、封装及检测电路共同决定,其中湿敏材料的材料特性和结构特征对传感性能的影响最为显著,也是该领域的研究热点。讨论了湿度传感元件的感湿机理和湿敏材料的分类,介绍了湿度传感器的检测参数及优化,阐述了纳米湿敏材料在湿度传感器中的应用,对常用的湿度传感器封装方案和检测电路设计进行了综述。; 关键词湿度传感器湿敏材料封装检测电路; Keywords humidity sensor humidity-sensitive materials packaging testing circuits; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究: 2; 作者金宁陈雷雷李金晓周浩闫大为顾晓峰; 机构江南大学电子工程系华润微电子有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第4期300-304,共5页; 文摘相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气密度更高,更适合射频微波通信应用。然而,In0.17Al0.83N/GaN HEMTs的外延片材料往往存在较高的位错密度,大幅度降低了器件的击穿场强。结合栅极偏压步进应力和微光显微技术,研究晶格匹配InAlN/GaN HEMTs的栅极电流击穿过程与机制,结果发现过激Fowler-Nordheim(FN)电流是器件击穿的主要原因。来自栅极的电子在高电场作用下发生FN隧穿成为高能热电子,它们会在异质结界面释放能量,导致该处形成大量新结构缺陷,同时InAlN材料本身固有可导缺陷密度相对较高,故当缺陷密度增加并达到某一临界值时,便会立刻发生瞬态静电释放,即电流热击穿。; 关键词 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管栅电流击穿微光显微镜; Keywords InAlN/GaN high electron mobility transistor gate current breakdown emission microscopy; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究: 3; 作者鹿存莉谈威季颖赵琳娜顾晓峰; 机构江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心; 出处《电子与封装》 2023年第9期60-64,共5页; 基金中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51510) 江苏省产学研合作项目(BY2022087)。; 文摘通过拟合变温电流-电压试验数据,研究了SiCMOSFET的正向和反向栅极漏电流传输机制。1)正向和反向高偏压下的栅电流由FN(Fowler-Nordheim)隧穿机制主导,得到SiC/SiO_(2)界面的电子势垒高度范围分别为2.58~2.69eV和3.02~3.26eV。2)正向高偏压下,栅电流随温度的升高而逐渐增大的原因可解释为,当温度升高时原子围绕其平衡点做随机运动,即鞍点的高度开始波动,由于FN隧穿模型中电流密度和势垒高度的指数关系,势垒高度降低时电流密度的增加趋势远大于势垒高度升高时电流密度的减少趋势,因此随着温度升高,栅电流逐渐增大,平均势垒高度降低。3)反向高偏压下,由于碰撞电离产生了大量的电子-空穴对,注入到结型场效应晶体管(JFET)区栅极氧化物中的空穴浓度增大,势垒高度进一步降低,因此反向高偏压下势垒高度随温度升高下降的速度更快。; 关键词 SiC MOSFET 电流传输机制 FN隧穿势垒高度; Keywords SiC MOSFET current transport mechanism FN tunneling barrier height; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电流型图像传感器的低失调电流读出电路: 4; 作者高点点虞致国顾晓峰; 机构江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心; 出处《微电子学与计算机》 2024年第12期85-91,共7页; 基金江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023019-3)。; 文摘电流型图像传感器将光信号转换为电流信号,在读出阶段需要将像素单元偏置成固定电压以保证其处于线性区。针对电流型图像传感器读出电路的钳位电压误差问题,设计了一种基于开关电容的低失调电流读出电路,包含钳位模块、失调修正模块和电流读出模块。钳位模块由运算放大器和反馈管组成,用于将像素单元偏置成固定电压;失调修正模块由电容和开关组成,用于存储并修正钳位模块的失调电压;电流读出模块由电流镜组成,用于将像素单元电流读出至下一级电路。失调修正模块的工作阶段包含失调存储阶段和失调修正阶段,利用相应的开关时序来存储并修正钳位模块的失调电压,减小电流型图像传感器所需钳位电压的误差,提高电流读出精度。采用55 nm CMOS工艺进行设计,结果表明,钳位电压的3σ误差值从5.01 mV降为0.45 mV,电流读出电路的有效位数为11.62位。在1.2 V电源电压下,最大功耗为240μW。单列电流读出电路版图面积为2400μm^(2)。; 关键词电流型图像传感器读出电路钳位电压开关电容低失调; Keywords current mode image sensor readout circuit clamping voltage switched-capacitor low offset; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种面向RISC-V的检查点和回滚恢复容错方法被引量：2: 5; 作者常龙鑫郭俊洪广伟虞致国顾晓峰; 机构江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心; 出处《电子与封装》 2020年第10期30-36,共7页; 基金中央高校基本科研业务费专项资金资助(JUSRP51510) 江苏省研究生科研与实践创新计划项目(SICX18_0647) 江苏省重点研发计划(BE2019003-2)。; 文摘随着特征尺寸的不断减小,CMOS集成电路更容易受到软错误的影响,可靠性设计已成为处理器设计中的重要考虑因素之一。基于对RISC-V特权级别、系统上下文、映射方法的研究,提出了一种面向RISC-V处理器的检查点和回滚恢复方法,并基于此实现了一种面向RISC-V的检查点和回滚恢复容软错误架构。在基于Artix-7开发板实现的e203 RISC-V内核中对该容错架构进行了仿真试验。试验结果表明,所提方法可以实现预期的容软错误功能,提高了RISC-V处理器的可靠性。; 关键词软错误可靠性设计 RISC-V 检查点和回滚恢复; Keywords soft error reliability design RISC-V checkpoint and rollback recovery; 分类号 TP302.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温和氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀: 6; 作者沈钢肖少庆张秀梅顾晓峰; 机构江南大学电子工程系; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期970-974,984,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61404061) 江苏省自然科学青年基金资助项目(BK20140168) 江苏省产学研联合创新资金资助项目(BY2014023-19).; 文摘本文采用一种简单有效的方法对石墨烯进行处理,可将多层石墨烯减薄为单层或任意层。采用自主研发的温和等离子体系统,以氢气作为先驱气体对多层石墨烯进行处理,再对处理过的样品进行高温退火。研究表明,温和氢气等离子体能利用氢离子的轰击效应对顶层石墨烯进行刻蚀,刻蚀过程具有良好的各向异性,刻蚀后氮气环境下的高温退火能够有效修复刻蚀过程中产生的晶格缺陷,从而得到品质较好的单层与少层石墨烯。本研究为制备品质良好的单层及少层石墨烯提供了一种新的方法。; 关键词石墨烯减薄温和等离子体拉曼各向异性; Keywords graphene thinning soft plasma Raman anisotropy; 分类号 O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS: 7; 作者蒋志林王旭锋于平平姜岩峰; 机构江南大学电子工程系; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2022年第1期7-12,共6页; 基金国家自然科学基金委员会项目(61774078,51802124) 江苏省自然科学基金项目(BK 20180626)。; 文摘设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco TCAD仿真验证,结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性,如击穿电压提高了25%达到100 V,比导通电阻R_(on.sp)降低了25%至2.68 mΩ/cm^(2),品质因数FOM提高了94.5%到3.58 MW/cm^(2)。此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性,其栅漏电容C_(GD)降到了0.46×10^(-16) F/μm,跨导gm升至0.26 mS。; 关键词鳍状栅极击穿电压比导通电阻 Silvaco TCAD; Keywords fin-shaped gate breakdown voltage specific on-resistance Silvaco TCAD; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向存算ADC阵列的比较器失调校准电路: 8; 作者许鑫虞致国黄合磊钟啸宇顾晓峰; 机构江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心; 出处《微电子学与计算机》 2023年第12期87-94,共8页; 基金江苏省重点研发计划(BE2023019-3)。; 文摘提出了一种面向存算模数转换器(ADC)阵列的动态比较器全局失调校准电路,采用数字辅助的模拟微调技术,并结合阵列式应用特点全局共用校准电压.校准过程分为粗校准和细校准周期,提高了校准速度和精度.粗校准利用6-bit计数器和数模转换器(DAC)产生阶梯式校准电压,根据初始失调电压极性将校准电压连接至对应的电流补偿电路,通过较大的校准步长快速减小失调电压值,并改变其极性.细校准采用一种基于晶体管栅压调控的延时可调电路,通过10-bit计数器和DAC产生细校准电压,实现失调电压值的精细调整.基于简单门电路和触发器设计比较器校准逻辑电路,在全局校准信号的控制下,实现本地校准开关和校准周期的转换.通过校准电压发生电路的全局共用,比较器只需要增加校准逻辑电路、电流补偿电路和延时可调电路,从而减小了由校准电路导致的面积开销.基于55nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的仿真结果表明,在输入时钟50MHz条件下,失调校准范围±20mV,校准后失调电压0.96mV(3.3σ),阵列校准后失调电压呈现出较为均匀的分布,包含校准电路的比较器版图面积为696.28µm^(2).; 关键词存算阵列列级模数转换器动态比较器失调校准; Keywords computing-in-memory array column-parallel analog-to-digital converter dynamic comparator offset calibration; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	湿度传感元件制备、封装及检测电路设计的研究进展	丁书聪黄宜明王晓梁峻阁顾晓峰	《电子与封装》	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究	金宁陈雷雷李金晓周浩闫大为顾晓峰	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究	鹿存莉谈威季颖赵琳娜顾晓峰	《电子与封装》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电流型图像传感器的低失调电流读出电路	高点点虞致国顾晓峰	《微电子学与计算机》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种面向RISC-V的检查点和回滚恢复容错方法	常龙鑫郭俊洪广伟虞致国顾晓峰	《电子与封装》	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	温和氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀	沈钢肖少庆张秀梅顾晓峰	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS	蒋志林王旭锋于平平姜岩峰	《电子器件》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	面向存算ADC阵列的比较器失调校准电路	许鑫虞致国黄合磊钟啸宇顾晓峰	《微电子学与计算机》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料