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1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取被引量：2: 1; 作者陆戴王文杰 +2 位作者王庆珍于平平姜岩峰《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期434-439,共6页; 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功... 展开更多; 关键词场终止型绝缘栅双极晶体管双极扩散方程物理模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种11bit流水线高速模数转换器被引量：1: 2; 作者黄政蔡孟冶姜岩峰《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期561-568,共8页; 为解决流水线模数转换器(ADC)在连续工作时功耗高、电容器匹配度有限以及运算放大器大摆幅输出信号下线性度下降的问题,基于0.5μm BCD工艺,设计了一款11 bit流水线高速ADC。提出了无采样保持放大器、幅度减半和多位量化相结合的设计方... 展开更多; 关键词流水线模数转换器(ADC) 幅度减半无采样保持线性度多位量化电容失配有效位数(ENOB); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC: 3; 作者李硕蔡孟冶姜岩峰《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期350-359,共10页; 逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)在逐次逼近的过程中,电容的切换会使参考电压上出现参考纹波噪声,该噪声会影响比较器的判定,进而输出错误的比较结果。针对该问题,基于CMOS 0.5μm工艺,设计了一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC... 展开更多; 关键词模数转换器(ADC) 参考纹波消除信噪比(SNR) 有效位数(ENOB) 积分非线性(INL) 微分非线性(DNL); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种K波段高性能正交五倍频器: 4; 作者汤思达蔡孟冶《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期648-653,共6页; 基于90 nm CMOS工艺制作了一种K波段高性能五倍频器。该五倍频器电路由正交再生分频器、单平衡混频器和三倍频器级联组成。使用电流可再生技术设计了正交再生分频器,有效降低了系统的整体功耗,使用吉尔伯特混频器电路结构提高了转换增... 展开更多; 关键词 CMOS 五倍频器 K波段谐波抑制正交输入/输出; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究被引量：5: 5; 作者高颖姜岩峰《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期839-848,共10页; 针对高端领域对高性能微小量程压力传感器的迫切需求,设计并实现了一种应用于电子血压计的高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器,并提出了相应的检测电路。根据小挠度弯曲理论设计了传感器方形敏感薄膜结构,确定了纳米硅薄膜压敏电... 展开更多; 关键词 SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器检测电路有限元分析(FEA); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种宽带CMOS低噪声放大器被引量：2: 6; 作者黄未霖蔡孟冶姜岩峰《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期493-499,共7页; 基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取... 展开更多; 关键词宽带输入匹配低噪声放大器(LNA) KA波段噪声抑制输入反射系数带宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

一步CVD法制备WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结及其表征: 7; 作者钱叶铮丁凯旋 +1 位作者余佳俊肖少庆《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第3期491-496,共6页; 本文主要研究了WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备及其光电性能。以氧化钼(MoO_(3))、氧化钨(WO_(3))、硫粉(S)作为反应物,采用改良的一步化学气相沉积法(CVD)实现高质量的WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备。使用拉曼光谱仪(Raman)、光致... 展开更多; 关键词 WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结化学气相沉积二维材料光电探测器范德瓦尔斯力限域空间; 在线阅读下载PDF 职称材料

双耦合跨导增强型低功耗压控振荡器: 8; 作者余启龙蔡孟冶姜岩峰《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期328-334,共7页; 设计了一种工作于Ku波段和Ka波段的新型电容电感压控振荡器(LC VCO),具有低功耗和低相位噪声的优点。Ku波段的信号由交叉耦合LC VCO产生,在此基础上利用PMOS push-push倍频器结构,将信号频率由Ku波段扩展到Ka波段。采用互补型交叉耦合... 展开更多; 关键词压控振荡器(VCO) 双频段倍频器电容分裂技术相位噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取被引量：2: 1; 作者陆戴王文杰王庆珍于平平姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期434-439,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61774078) 江南大学高校自主研究项目(No.1255210322160220); 文摘绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.; 关键词场终止型绝缘栅双极晶体管双极扩散方程物理模型; Keywords field stop insulated gate bipolar transistor ambipolar diffusion equation physical model; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种11bit流水线高速模数转换器被引量：1: 2; 作者黄政蔡孟冶姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期561-568,共8页; 基金江苏省自然科学基金(BK20210453)。; 文摘为解决流水线模数转换器(ADC)在连续工作时功耗高、电容器匹配度有限以及运算放大器大摆幅输出信号下线性度下降的问题,基于0.5μm BCD工艺,设计了一款11 bit流水线高速ADC。提出了无采样保持放大器、幅度减半和多位量化相结合的设计方法,使ADC在大摆幅信号下有足够的线性度来处理信号,同时使电容数模转换器(DAC)的匹配精度满足ADC分辨率的要求,极大地降低了对电容阵列几何参数的匹配精度要求,具有较低的功耗。采用Cadence Virtuoso设计版图,测试结果表明,芯片的微分非线性(DNL)在-0.5~+0.5 LSB范围内,有效位数(ENOB)为10.61 bit,功耗为97 mW,获得了较好的性能。; 关键词流水线模数转换器(ADC) 幅度减半无采样保持线性度多位量化电容失配有效位数(ENOB); Keywords pipelined analog-to-digital converter(ADC) amplitude halving no sample-and-hold linearity multi-bit quantization capacitive mismatching effective number of bits(ENOB); 分类号 TN792 [电子电信—电路与系统] TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC: 3; 作者李硕蔡孟冶姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期350-359,共10页; 基金江苏省自然科学基金(BK20210453)。; 文摘逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)在逐次逼近的过程中,电容的切换会使参考电压上出现参考纹波噪声,该噪声会影响比较器的判定,进而输出错误的比较结果。针对该问题,基于CMOS 0.5μm工艺,设计了一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC。通过增加纹波至比较器输入端的额外路径,将参考纹波满摆幅输入至比较器中;同时设计了消除数模转换器(DAC)模块,对参考纹波进行采样和输入,通过反转纹波噪声的极性,消除参考纹波对ADC输出的影响。该设计将信噪比(SNR)提高到56.75 dB,将有效位数(ENOB)提升到9.14 bit,将积分非线性(INL)从-1~5 LSB降低到-0.2~0.3 LSB,将微分非线性(DNL)从-3~4 LSB降低到-0.5~0.5 LSB。; 关键词模数转换器(ADC) 参考纹波消除信噪比(SNR) 有效位数(ENOB) 积分非线性(INL) 微分非线性(DNL); Keywords analog-to-digital converter(ADC) reference ripple cancellation signal-to-noise ratio(SNR) effective number of bit(ENOB) integral nonlinearity(INL) differential nonlinearity(DNL); 分类号 TN792 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种K波段高性能正交五倍频器: 4; 作者汤思达蔡孟冶; 机构无锡学院电子信息工程学院电子科学与微电子工程系江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期648-653,共6页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453) 无锡学院科学研究资助项目(2022R016)。; 文摘基于90 nm CMOS工艺制作了一种K波段高性能五倍频器。该五倍频器电路由正交再生分频器、单平衡混频器和三倍频器级联组成。使用电流可再生技术设计了正交再生分频器,有效降低了系统的整体功耗,使用吉尔伯特混频器电路结构提高了转换增益。整体电路具有正交输入/输出、输出功率高、谐波抑制度高的优点。测试结果表明,该五倍频器的-3 dB频率范围为24~26.2 GHz,在输入功率为3.9 dBm时,转换增益为-3.34 dB。输出信号的最大相位误差为2.398°,直流功耗为14.83 mW,芯片面积约为0.99 mm^(2)。; 关键词 CMOS 五倍频器 K波段谐波抑制正交输入/输出; Keywords CMOS frequency quintupler K-band harmonic suppression quadrature input/out-put; 分类号 TN771 [电子电信—电路与系统] TN4322 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究被引量：5: 5; 作者高颖姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期839-848,共10页; 基金国家自然科学基金面上项目(61774078)。; 文摘针对高端领域对高性能微小量程压力传感器的迫切需求,设计并实现了一种应用于电子血压计的高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器,并提出了相应的检测电路。根据小挠度弯曲理论设计了传感器方形敏感薄膜结构,确定了纳米硅薄膜压敏电阻的阻值大小和尺寸。采用ANSYS有限元分析(FEA)对所设计的传感器结构进行仿真,根据仿真结果确定了压敏电阻在膜片上的最佳放置位置。基于标准MEMS制造技术,在SOI基纳米硅薄膜上设计并实现了该压力传感器。实测结果表明,室温下,在0~40 kPa微压测量范围内所设计的传感器检测灵敏度可达0.45 mV/(kPa·V),非线性度达到0.108%F.S。在-40℃~125℃的工作温度范围内,温度稳定性好,零点温度漂移系数与灵敏度温度漂移系数分别为0.0047%F.S与0.089%F.S。所设计的压力传感器及其检测电路,在现代医疗、工业控制等领域具有较大的应用潜力。; 关键词 SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器检测电路有限元分析(FEA); Keywords SOI⁃based nano⁃silicon film micro⁃piezoresistive pressure sensor detection circuit finite element analysis(FEA); 分类号 S951.43 [农业科学—水产养殖]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种宽带CMOS低噪声放大器被引量：2: 6; 作者黄未霖蔡孟冶姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期493-499,共7页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)。; 文摘基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取得低噪声系数的同时,实现了宽带输入匹配;另一方面,通过体隔离技术和级间电感匹配技术提高了电路增益。同时,通过并联峰值负载技术,提高了LNA的带内增益平坦度。测试结果表明,该LNA的峰值增益为11.2 dB,-3 dB带宽为7.5 GHz(29.1~36.6 GHz)。噪声系数为5.9~6.6 dB,与仿真的最小噪声系数非常接近。输入反射系数(<-10 dB)带宽为6.7 GHz(28.3~35 GHz)。该LNA在1.2 V电源电压下功耗为9 mW,芯片面积为0.54 mm2。; 关键词宽带输入匹配低噪声放大器(LNA) KA波段噪声抑制输入反射系数带宽; Keywords wideband input matching low noise amplifier(LNA) Ka⁃band noise suppression input reflection coefficient bandwidth; 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一步CVD法制备WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结及其表征: 7; 作者钱叶铮丁凯旋余佳俊肖少庆; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第3期491-496,共6页; 基金国家自然科学基金(11704159)。; 文摘本文主要研究了WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备及其光电性能。以氧化钼(MoO_(3))、氧化钨(WO_(3))、硫粉(S)作为反应物,采用改良的一步化学气相沉积法(CVD)实现高质量的WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结的制备。使用拉曼光谱仪(Raman)、光致发光光谱仪(PL)、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)等设备,对异质结的形貌、元素组成等进行了表征。最后制备了基于WS_(2)-MoS_(2)异质结的光电探测器,测量了包括输出特性曲线、转移特性曲线、光电流曲线等光电特性。经测试,WS_(2)-MoS_(2)异质结光电探测器在532 nm激光模式下展现了良好的光响应特性,使其能应用于高效率的光电子器件的制备,在微电子学领域具有广阔的应用前景。; 关键词 WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结化学气相沉积二维材料光电探测器范德瓦尔斯力限域空间; Keywords WS_(2)-MoS_(2)vertical heterostructure chemical vapor deposition 2D material photodetector Van der Waals force confined space; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双耦合跨导增强型低功耗压控振荡器: 8; 作者余启龙蔡孟冶姜岩峰; 机构江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期328-334,共7页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)。; 文摘设计了一种工作于Ku波段和Ka波段的新型电容电感压控振荡器(LC VCO),具有低功耗和低相位噪声的优点。Ku波段的信号由交叉耦合LC VCO产生,在此基础上利用PMOS push-push倍频器结构,将信号频率由Ku波段扩展到Ka波段。采用互补型交叉耦合对结构,通过电流复用技术,提高信号的输出摆幅。同时该结构通过电容分裂技术和栅极漏极阻抗平衡技术,降低了功耗和相位噪声。该双频段VCO芯片基于0.13μm CMOS工艺实现,尺寸为0.88 mm×0.64 mm。测试结果表明,在1.25 V电源电压下,该VCO的功耗为2.25 mW。14.53 GHz时,该VCO在偏移中心频率1 MHz和10 MHz处的输出相位噪声分别为-115.3 dBc/Hz和-134.8 dBc/Hz,29.08 GHz时的输出相位噪声分别为-109.67 dBc/Hz和-129.23 dBc/Hz。; 关键词压控振荡器(VCO) 双频段倍频器电容分裂技术相位噪声; Keywords voltage-controlled oscillator(VCO) dual-band frequency doubler capacitance splitting technique phase noise; 分类号 TN752 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取	陆戴王文杰王庆珍于平平姜岩峰	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种11bit流水线高速模数转换器	黄政蔡孟冶姜岩峰	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC	李硕蔡孟冶姜岩峰	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种K波段高性能正交五倍频器	汤思达蔡孟冶	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高性能SOI基纳米硅薄膜微压阻式压力传感器的研究	高颖姜岩峰	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2023	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种宽带CMOS低噪声放大器	黄未霖蔡孟冶姜岩峰	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一步CVD法制备WS_(2)-MoS_(2)垂直异质结及其表征	钱叶铮丁凯旋余佳俊肖少庆	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	双耦合跨导增强型低功耗压控振荡器	余启龙蔡孟冶姜岩峰	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料