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用真空蒸镀法制备Al背场的研究
被引量：
5
1
作者
乔琦
季静佳
+2 位作者
张光春
施正荣
李果华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期555-559,共5页
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结...
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明,在真空度为5.0×10^(-3)Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。
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关键词
真空蒸镀
Al背场
SEM
开路电压
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职称材料
题名
用真空蒸镀法制备Al背场的研究
被引量：
5
1
作者
乔琦
季静佳
张光春
施正荣
李果华
机构
江南大学微电子系
江苏省光伏工程技术中心
无锡尚德太阳能电力有限公司
江南大学
光信息科学与技术
系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期555-559,共5页
文摘
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明,在真空度为5.0×10^(-3)Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。
关键词
真空蒸镀
Al背场
SEM
开路电压
Keywords
vacuum evaporate plating
Al back surface fields
SEM
open-circuit voltage
分类号
TK511.5 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用真空蒸镀法制备Al背场的研究
乔琦
季静佳
张光春
施正荣
李果华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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