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职业院校电子类专业毕业设计教学改革的实践 被引量:3
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作者 丁达春 《职业技术教育》 2008年第8期27-28,共2页
电子类专业学生毕业设计中普遍存在课题选择难,设计得不到实践验证,学生应付、教师难以指导等问题。解决问题的思路是,以现有的电路为基础,让学生找出改造点。将其改造成具有节能、省元件、使用方便、耐用等特点的新电路,以此提高... 电子类专业学生毕业设计中普遍存在课题选择难,设计得不到实践验证,学生应付、教师难以指导等问题。解决问题的思路是,以现有的电路为基础,让学生找出改造点。将其改造成具有节能、省元件、使用方便、耐用等特点的新电路,以此提高学生的动手能力和创新能力,效果较好。 展开更多
关键词 毕业设计 教学改革 职业院校 电子类专业
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新型OLED测试系统的设计与实现 被引量:1
2
作者 彭强 姚若河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期467-469,共3页
为了满足OLED准确批量测试及降低系统成本的需要,根据表征OLED器件性能指标的特点,设计并建立了一套可测试OLED电流密度-电压-亮度以及器件衰减曲线的测试系统。该系统在计算机程控测控稳压电源的控制下,可同时对多路OLED进行测试并实现... 为了满足OLED准确批量测试及降低系统成本的需要,根据表征OLED器件性能指标的特点,设计并建立了一套可测试OLED电流密度-电压-亮度以及器件衰减曲线的测试系统。该系统在计算机程控测控稳压电源的控制下,可同时对多路OLED进行测试并实现了OLED屏的加速老化的测试,采用光敏二极管传感器代替了通常使用的辉度计,降低了系统的成本。系统最终输出数据结果由计算机记录,提高了数据采样的准确性,对OLED制作的材料和工艺的评测提供了精确的参考数据。 展开更多
关键词 有机发光显示器件 寿命 测试系统 批量测试 老化测试 加速老化测试
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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量:3
3
作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管(FET) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺
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氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性 被引量:1
4
作者 王聪 刘玉荣 +2 位作者 李星活 苏晶 姚若河 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期11-16,共6页
为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射... 为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性;随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小;漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化锌 光诱导 稳定性
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氧化锌薄膜晶体管电性能的温度特性 被引量:2
5
作者 王聪 刘玉荣 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期50-54,61,共6页
采用射频磁控溅射法成功制备了Zn O薄膜晶体管(Zn O-TFT),研究了Zn O-TFT电学性能的温度依赖性及其影响机理。从室温27℃到210℃的变化范围,随着器件温度的升高,Zn O-TFT的开关电流比和阈值电压都有明显的减小,亚阈值摆幅明显升高,有效... 采用射频磁控溅射法成功制备了Zn O薄膜晶体管(Zn O-TFT),研究了Zn O-TFT电学性能的温度依赖性及其影响机理。从室温27℃到210℃的变化范围,随着器件温度的升高,Zn O-TFT的开关电流比和阈值电压都有明显的减小,亚阈值摆幅明显升高,有效场效应迁移率先增加再逐渐减小。电性能的变化主要来源于因温度升高引起的沟道有源层载流子浓度增加,点缺陷的形成,界面散射增强等多种因素复合作用所致。另外,当器件温度逐渐冷却至初始温度过程,器件的电特性与升温前存在一定的迟豫现象,这主要是由于升温期间Zn O薄膜有源层中产生的点缺陷(氧空位和间隙氧原子),以及被缺陷态陷阱的电子需要较长时间通过复合而消失。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化锌 电特性 温度特性
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