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分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响 被引量:7
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作者 宁建平 秦尤敏 +2 位作者 吕晓丹 A.Bogaerts 苟富君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期111-115,共5页
利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量... 利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1~3)等挥发性物质实现的。 展开更多
关键词 分子动力学 刻蚀 样品温度 SIC
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Ar+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟 被引量:4
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作者 秦尤敏 吕晓丹 +2 位作者 宁建平 A.Bogaerts 苟富君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期229-235,共7页
采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的... 采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。 展开更多
关键词 分子动力学 作用机制 刻蚀 表面富F样品表 面富C样品
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分子动力学模拟不同入射能量的CH与碳氢薄膜的相互作用 被引量:2
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作者 秦尤敏 吕晓丹 +4 位作者 赵成利 宁建平 贺平逆 A.Bogaerts 苟富均 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期138-143,共6页
本文使用分子动力学方法模拟低能CH与碳氢薄膜的相互作用,以探讨在核聚变过程中CH的再沉积行为及对面向等离子体材料性质变化的影响。选择的入射能量分别为0.3,1,5,10 eV。模拟结果表明随着入射能量的增加C原子与H原子的吸附率增加,且... 本文使用分子动力学方法模拟低能CH与碳氢薄膜的相互作用,以探讨在核聚变过程中CH的再沉积行为及对面向等离子体材料性质变化的影响。选择的入射能量分别为0.3,1,5,10 eV。模拟结果表明随着入射能量的增加C原子与H原子的吸附率增加,且在入射能量大于CH离解能的情况下,同一能量下H原子的吸附率小于C原子的吸附率。随着入射能量的增加,薄膜的厚度增加,薄膜中含有Csp2的范围变宽,并且表面逐渐转变为Csp2表面。薄膜中的C主要以Csp3形式存在,其次是Csp2,几乎不含Csp1。通过统计薄膜中的CHx(x为1~4)发现CH占优势,其次是CH2,而CH4的量非常少。 展开更多
关键词 分子动力学 碳氢薄膜 再沉积 吸附率
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导电高聚物PPV的次晶结构研究(英文)
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作者 张孝彬 张泽 盖塞H J 《浙江大学学报(农业与生命科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期79-82,共4页
通过电子衍射实验揭示了导电高聚物PPV(拉伸5倍)的次晶性;对弥散的层线强度分布进行了测量和分析,获取了表达单胞参数涨落的精确值,即Δ11(3)=Δ22(3)>0.027nm,Δ33(3)<0.012nm。此外,还推... 通过电子衍射实验揭示了导电高聚物PPV(拉伸5倍)的次晶性;对弥散的层线强度分布进行了测量和分析,获取了表达单胞参数涨落的精确值,即Δ11(3)=Δ22(3)>0.027nm,Δ33(3)<0.012nm。此外,还推导了其取向分布函数值。 展开更多
关键词 次晶性结构 透射电子显微学 PPV
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