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SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应
1
作者 陈维德 H.Bender 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第5期408-412,共5页
在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消... 在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。 展开更多
关键词 硅化合物 绝缘材料 电子束 离子束
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TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
2
作者 陈维德 雨.本德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期7-10,共4页
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2... TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。 展开更多
关键词 俄歇跃迁 双层结构 TiN_x/TiSi_x 快速热退火 深度分布 界面反应 处理法 扩散势垒 横向扩散 硅化物
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