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炭纤维表面原位反应制备TaC涂层及其形成机理研究 被引量:2
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作者 朱辉 李轩科 +4 位作者 董志军 李艳军 丛野 袁观明 崔正威 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第8期24-30,共7页
以金属钽粉为钽源,采用原位反应法在炭纤维表面成功制备出连续的TaC涂层,研究了涂层炭纤维的相组成、微观形貌和抗氧化性能,并探究了炭纤维表面连续TaC涂层的形成机理。结果表明,在温度为1000~1400℃时能在炭纤维表面制备出TaC涂层,反... 以金属钽粉为钽源,采用原位反应法在炭纤维表面成功制备出连续的TaC涂层,研究了涂层炭纤维的相组成、微观形貌和抗氧化性能,并探究了炭纤维表面连续TaC涂层的形成机理。结果表明,在温度为1000~1400℃时能在炭纤维表面制备出TaC涂层,反应温度和时间显著影响涂层厚度以及涂层与炭纤维基体的结合性能;反应温度为1200℃时制备的涂层均匀致密,与炭纤维基体结合较好,涂覆TaC涂层后炭纤维的起始氧化温度提高了200℃。从动力学角度分析了TaC涂层的生长机理,结果表明Ta原子沿炭纤维轴向发生表面扩散,Ta原子的表面扩散行为是连续TaC涂层形成的关键因素。 展开更多
关键词 原位反应法 炭纤维 TA C涂层 抗氧化性能 生长机理
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热蒸发工艺中碳源微观结构对SiC晶须生长的影响 被引量:1
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作者 朱辉 李轩科 +4 位作者 董志军 丛野 袁观明 崔正威 李艳军 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期197-200,共4页
通过高温热蒸发硅粉工艺,以鳞片石墨、膨胀鳞片石墨、纳米炭黑和微米炭黑为碳源制备SiC晶须,研究了碳源结构对SiC晶须生长的影响。采用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对不同碳源和制得样品的微观形貌和结构进行表征。结果表明:Si... 通过高温热蒸发硅粉工艺,以鳞片石墨、膨胀鳞片石墨、纳米炭黑和微米炭黑为碳源制备SiC晶须,研究了碳源结构对SiC晶须生长的影响。采用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对不同碳源和制得样品的微观形貌和结构进行表征。结果表明:SiC晶须更容易在膨胀鳞片石墨和纳米炭黑表面生长,碳源具有乱层堆垛石墨结构和合适的晶粒尺寸是SiC晶须生长的决定性因素。 展开更多
关键词 SIC晶须 碳源结构 乱层堆垛石墨 晶粒尺寸
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HfB2液相有机前驱体的合成及其陶瓷化
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作者 龚俊捷 朱辉 +5 位作者 谢倩如 张程 林雨 刘雯聪 周思成 董志军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期34-40,共7页
以三氯化硼、氯化铵、异丙胺和三乙胺等为原料制得液相BN前驱体聚硼氮烷(PBN)为硼源,以HfC有机前驱体作铪源,通过液相途径合成HfB2有机前驱体,并通过前驱体裂解得到了HfB2陶瓷粉体。采用XRD、FTIR、SEM/EDS、TEM和SAED等分析测试手段... 以三氯化硼、氯化铵、异丙胺和三乙胺等为原料制得液相BN前驱体聚硼氮烷(PBN)为硼源,以HfC有机前驱体作铪源,通过液相途径合成HfB2有机前驱体,并通过前驱体裂解得到了HfB2陶瓷粉体。采用XRD、FTIR、SEM/EDS、TEM和SAED等分析测试手段对前驱体裂解产物组成、微观形貌和结构进行表征,讨论了硼源和铪源比例对HfB2有机前驱体合成的影响,并研究了HfB2有机前驱体的陶瓷化行为。研究结果表明:B/Hf摩尔比为6∶1时成功制备液相HfB2前驱体,该前驱体在1500℃时完全转化为HfB2陶瓷相,所得产物颗粒尺寸约为200 nm。上述HfB2陶瓷相的形成基于前驱体在低温段裂解形成的HfO2的硼热还原反应。 展开更多
关键词 HfB2 有机前驱体 B/Hf摩尔比 陶瓷化 硼热还原
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医学图像的深度先验重建仿真
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作者 李明杰 吕伟 易正明 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2023年第3期40-45,共6页
深度图像先验算法(DIP)可以将代数迭代过程与深度神经网络有效结合,完成高质量的图像重建。构建了一种基于“Conformer”结构的DIP重建算法,该网络结构改善了原始DIP算法在重建中出现的伪影问题,同时提高了算法对于病理图像在全局特征... 深度图像先验算法(DIP)可以将代数迭代过程与深度神经网络有效结合,完成高质量的图像重建。构建了一种基于“Conformer”结构的DIP重建算法,该网络结构改善了原始DIP算法在重建中出现的伪影问题,同时提高了算法对于病理图像在全局特征和局部特征中的重建能力。提出了基于感知特征相似性度量的正则化方法,使重建图像与原始图像之间的特征差异达到最小,提高图像特征细节的还原度。经对比发现,该算法在低剂量平行束CT数据集上将峰值信噪比提高了2~5 dB,在提高图像内部纹理的同时保留了良好的边缘细节。 展开更多
关键词 断层扫描成像 重建算法 深度图像先验
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