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放电等离子烧结制备Ti_3SiC_2材料的研究 被引量:9
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作者 朱教群 梅炳初 陈艳林 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期564-567,共4页
本文报道分别以Ti Si C ,Ti SiC C为原料 ,采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC2 材料的研究结果。以元素单质粉为原料 ,掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2 的反应合成并提高材料的纯度 ,在 12 0 0~ 12 5 0℃的温度下能制备出经XRD、SME和ED... 本文报道分别以Ti Si C ,Ti SiC C为原料 ,采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC2 材料的研究结果。以元素单质粉为原料 ,掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2 的反应合成并提高材料的纯度 ,在 12 0 0~ 12 5 0℃的温度下能制备出经XRD、SME和EDS表征不含TiC和SiC等杂质相的纯净Ti3SiC2 材料。而以Ti SiC C为原料时 ,有无Al作助剂都难以制备出纯净的Ti3SiC2 。 展开更多
关键词 Ti3SiC2材料 碳硅化钛 制备 放电等离子烧结 原料
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组分偏离对PMN-PT弛豫复合钙钛矿相合成的影响 被引量:1
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作者 钟海胜 李强 +2 位作者 赵世玺 宋锋兵 李春红 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期10-11,20,共3页
采用先驱体法合成钙钛矿相0.67PMN-0.33PT。XRD物相分析表明,MgO和PbO适当的过量有利于合成纯钙钛矿相的0.67PMN-0.33PT。采用MgO过量2%~4%,PbO过量5%~7%,在低于PbO熔点温度下合成单一钙钛矿结构的0.67PMN-0.33PT。
关键词 钙钛矿相 焦绿石相 先驱体法 弛豫型铁电体 氧化镁 氧化铅 PMN-PT 铁电材料 钛酸铅
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三元层状碳化物Ti_3SiC_2的研究进展 被引量:22
3
作者 朱教群 梅炳初 陈艳林 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期105-109,共5页
本文综合介绍Ti3SiC2 的最新研究进展。三元碳化物Ti3SiC2 属于层状六方晶体结构 ,空间群为P63 mmC ;它同时具有金属和陶瓷的优良性能 ,有良好的导电和导热能力 ,高弹性模量和低维氏显微硬度 ,在室温下可切削加工 ,在高温下能产生塑性变... 本文综合介绍Ti3SiC2 的最新研究进展。三元碳化物Ti3SiC2 属于层状六方晶体结构 ,空间群为P63 mmC ;它同时具有金属和陶瓷的优良性能 ,有良好的导电和导热能力 ,高弹性模量和低维氏显微硬度 ,在室温下可切削加工 ,在高温下能产生塑性变形 ,良好的高温热稳定性和优秀的抗氧化性能 ;应用CVD、SHS、HP HIP等方法可制备该化合物 ,用HIP方法能制备高纯、致密的Ti3SiC2 陶瓷 ;Ti3SiC2 展开更多
关键词 TI3SIC2 结构 性能 制备 抗损伤机理 三元层状碳化物 碳硅化钛 陶瓷材料
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Ti-Al-Ti-C系统的反应合成与相形成过程 被引量:4
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作者 梅炳初 严明 朱教群 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期717-719,共3页
采取原位热压方法 ,以Ti、Al、TiC为原料合成了TiAl Ti2 AlC复合材料。通过差热分析和X衍射图谱 ,分析了从 6 0 0℃到 130 0℃ ,Ti Al TiC系统的反应合成过程和相形成规律。反应大致可分为两个阶段 :90 0℃之前 ,Ti和Al的反应生成TiAl... 采取原位热压方法 ,以Ti、Al、TiC为原料合成了TiAl Ti2 AlC复合材料。通过差热分析和X衍射图谱 ,分析了从 6 0 0℃到 130 0℃ ,Ti Al TiC系统的反应合成过程和相形成规律。反应大致可分为两个阶段 :90 0℃之前 ,Ti和Al的反应生成TiAl金属间化合物 ;90 0℃之后 ,TiAl金属间化合物和TiC反应并合成致密TiAl Ti2 AlC复合材料。讨论了这两个阶段的反应机理及烧结产物的微观结构特点。 展开更多
关键词 Ti-Al-TiC系统 复合材料 原位热压
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三元层状氮化物(Ti_2AlN)陶瓷的研究 被引量:3
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作者 田晨光 严明 梅炳初 《稀有金属快报》 CSCD 2006年第6期6-9,共4页
综述了Ti2AlN陶瓷合成技术的研究进展,详细介绍了Ti2AlN的力学性能和电学性能。已见报道的Ti2AlN陶瓷的制备方法有热等静压法和振动致密化反应合成法。以单质Ti,Al,TiN粉为原料,按摩尔比1∶1∶1称量后混料,用原位热压的方法合成了Ti2Al... 综述了Ti2AlN陶瓷合成技术的研究进展,详细介绍了Ti2AlN的力学性能和电学性能。已见报道的Ti2AlN陶瓷的制备方法有热等静压法和振动致密化反应合成法。以单质Ti,Al,TiN粉为原料,按摩尔比1∶1∶1称量后混料,用原位热压的方法合成了Ti2AlN多晶块状材料。X射线衍射分析结果表明,当烧结温度为1000℃时,已经开始形成Ti2AlN相,但仍然有很多未反应的TiN和中间产物TiAl;随着烧结温度的提高,Ti2AlN的衍射峰逐渐增强;当烧结温度在1300℃时,仅有微弱的TiN衍射峰,产物已经近乎纯的Ti2AlN材料。 展开更多
关键词 Ti2AIN陶瓷 制备方法 力学性能 电学性能
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